Category Archives: お知らせ

第９回 「応用物理学会薄膜・表面物理分科会論文賞」および「応用物理学会薄膜・表面物理分科会奨励賞」公募のお知らせ(9/27〆)

　応用物理学会 薄膜・表面物理分科会では2016年より，当該分野における優れた業績に対して「応用物理学会薄膜・表面物理分科会論文賞」および「応用物理学会薄膜・表面物理分科会奨励賞」をお贈りしております．つきましては，以下の通り候補者を公募いたします．自薦，他薦を問わず，多数の方々からのご応募をお待ちしております．

詳細PDF： 第９回 論文賞・奨励賞募集案内

応用物理学会薄膜・表面物理分科会論文賞

  • 表彰の対象は，薄膜・表面物理関連分野の進歩向上に寄与する優秀な原著論文で，2024年7月末日までの2年間に学術刊行物に掲載されたものの著者とする
  • すでに公に顕著な賞を受けた論文は候補対象とされない場合がある
  • 受賞者は著者全員とし，必ず，薄膜・表面物理分科会会員を含むものとする

応用物理学会薄膜・表面物理分科会奨励賞

  • 表彰の対象は，薄膜・表面物理関連分野の進歩向上に貢献すると期待される優れた若手研究者で，2024年7月末日までの1年間に発行された学術刊行物に掲載された原著論文の筆頭著者とする
  • 応募時に薄膜・表面物理分科会会員であり，表彰時の3月末時点で満39歳以下の者とする
  • すでに公に顕著な賞を受けた論文は候補対象とされない場合がある
  • 論文賞と重複しての応募を可能とする（論文賞を受賞すれば奨励賞への応募は取り消し）

提出書類：

  1. 推薦状（様式自由）のPDFファイル
    (1) 対象論文の題目，学術雑誌名，巻，発行年月
    (2) 候補者全員の氏名・所属・身分・連絡先（住所，電話番号，電子メールアドレス），および筆頭著者の生年月日（薄膜・表面物理分科会奨励賞の場合）
    (3) 推薦人氏名・所属・連絡先（他薦の場合）
    (4) 推薦文（400字程度で候補業績の優れた点を簡潔に記述する）
    (5) 候補業績に関わる，応用物理学会および当分科会の主催・共催する学術講演会・研究会等での発表状況
  2. 該当する論文のPDFファイル

書類提出期限：

2024年9月27日（金）必着

※期限延長は行いませんので，提出期限厳守でお願いします．

書類提出方法：

  • メールタイトルを「薄膜・表面物理分科会論文賞応募」もしくは「薄膜・表面物理分科会奨励賞応募」として添付ファイルと共に電子メールで提出して下さい． 提出の完了を同委員会事務局からの返信メールにて確認してください．

メール送付先：薄膜・表面物理分科会 表彰選考委員会　hakuhyou@jsap.or.jp

  • 諸事情により電子メールでの送付が困難な場合には，その旨を電子メールにて連絡の上，提出する電子ファイルをUSBメモリ等のメディアに収め，以下へ郵送（書留）にて提出してください．

〒113-0031　東京都文京区根津1-21-5　公益社団法人応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 表彰選考委員会宛

贈呈式：

2025年応用物理学会春季学術講演会期間中に行います．

備　考：

各賞の規程については，下記URLをご参照ください．
https://annex.jsap.or.jp/tfspd/award/

更新：2024/5/15

2023年度 「 応用物理学会 薄膜 ･ 表面物理分科会論文賞 」および 「 応用物理学会 薄膜 ･ 表面物理分科会 奨励賞」の選考結果について

2023 年度「 応用物理学会 薄膜 ･ 表面物理分科会 論文賞」および「 応用物理学会 薄膜 ･ 表面物理分科会 奨励賞」について，以下の選考結果を得ましたので ご報告致します

１．「応用物理学会 薄膜 ･ 表面物理分科会 論文賞」受賞論文

受賞者：宇佐美 雄生 （大阪大学/九州工業大学）, Bram van de Ven (University of Twente), Dilu G. Mathew (University of Twente), Tao Chen (University of Twente), 琴岡 匠（九州工業大学），川島 悠哉（大阪大学），田中 悠一朗（九州工業大学），大塚 洋一（大阪大学），大山 浩（大阪大学）, 田向 権 （九州工業大学）, 田中 啓文（九州工業大学）, Wilfred G. van der Wiel (University of Twente), 松本 卓也（大阪大学）

受賞論文： “In-Materio Reservoir Computing in a Sulfonated Polyaniline Network”, Advanced Materials 33, 2 102688 (2021).

受賞理由：本論文は、ポリアニリン薄膜に微小電極を接合することにより、ニューラルネットワークを構成し、物理リザバー計算による音声認識の将来的な可能性を報告している。本論文は、有機薄膜による物理リザバー計算の可能性を示した最初の報告として位置付けられる。非線形電気特性を高信頼に制御することができれば、本研究の成果は省エネルギーなエッジコンピューティングに将来的に寄与し得る可能性を秘めている。

２．「応用物理学会　薄膜･表面物理分科会 論文賞」受賞論文

受賞者：高城 拓也（東京大学）, 秋山 了太（東京大学）, Ivan A. Kibirev (Institute of Automation and Control Processes), Andrey V. Matetskiy (Institute of Automation and Control Processes), 中西 亮介（東京大学）, 佐藤 瞬亮（東京大学）， 深澤 拓朗（東京工業大学）, 佐々木 泰祐（物質・材料研究機構）, 遠山 晴子（東京大学）, 樋渡 功太（東京大学）, Andrey V. Zotov (Institute of Automation and Control Processes), Alexander A. Saranin (Institute of Automation and Control Processes), 平原 徹（東京工業大学）, 長谷川 修司（東京大学）

受賞論文： “Soft Magnetic Skyrmions Induced by Surface State Coupling in an Intrinsic Ferromagnetic Topological Insulator Sandwich Structure Intrinsic Ferromagnetic Topological Insulator Sandwich Structure”, Nano Letters 22, 881 (2022).

受賞理由：Bi1-xSbxを含むトポロジカル絶縁体(TI)層を強磁性トポロジカル絶縁体(FMTI) で挟んだサンドウィッチ構造を考案し、組成と層厚の調節によってフェルミ準位と層表裏の表面状態の混成を制御し、 TIが1層の場合に弱磁場でスキルミオンが形成されることをトポロジカルホール効果測定から見出した．本成果は、 FMTIを用いた次世代スピントロニクス研究の発展に資すると期待される．これより、本論文は薄膜・表面物理の基礎及び応用の観点から優れた論文であると認められ，薄膜・表面物理分科会論文賞に値すると考える．

３．「応用物理学会　薄膜･表面物理分科会 奨励賞」受賞論文

受賞者：津田 泰孝（日本原子力研究開発機構）

受賞論文：“Roles of excess minority carrier recombination and chemisorbed O2 species at SiO2/Si interfaces in Si dry oxidation: Comparison between p-Si(001) and n-Si(001) surfaces”, Journal of Chemical Physics, 157, 234705 (2022).

受賞理由： SiO2/Si 界面の熱酸化速度が2つの指数関数の和で表されるとの指摘が古くからなされていたが，それに由来する2種類の反応メカニズムは不明のままであった．候補 者らは放射光を用いた光電子分光測定でSi(001) 表面酸化過程を リアルタイムで詳細に観察し， SiO2/Si界面点欠陥における多数キャリアおよび少数キャリアの捕獲により酸化反応が駆動されることを明らかにし，長年の未解決問題であった「 2種類の反応メカニズム」について，これまでの実験結果と矛盾ない形で説明できるようになった．これは，半導体プロセスで重要な熱酸化反応における長年の未解決問題を解決したものであり，薄膜・表面物理関連分野の進歩向上に寄与し，薄膜・表面物理分科会論文賞奨励賞に値すると考える．

4．「応用物理学会　薄膜･表面物理分科会 奨励賞」受賞論文

受賞者：嵐田 雄介（筑波大学）

受賞論文： “Subcycle Mid Infrared Electric Field Driven Scanning Tunneling Microscopy with a Time Resolution Higher Than 30 fs”, ACS Photonics 9, 3156 (2022).

受賞理由： 走査型トンネル顕微鏡（STM）に超短パルス中赤外光を組み合わせ，従来のTHz STMの1 psの壁を破り30 fsの時間分解能を実現した．開発した装置の性能は MoTe2のバンドリノマライゼイションの非平衡ダイナミクスを計測することで実証している．STMの高い空間分解能が併用できることから，光誘起超高速現象の解明に向けて大いなる発展が見込める手法であり，薄膜・表面起超高速現象の解明に向けて大いなる発展が見込める手法であり，薄膜・表面物理分科会奨励賞に値すると考える．

5．審査の経過について

分科会ウェブページおよび ニュースレター などを通じて、2023年度「応用物理学会　薄膜 ･ 表面物理分科会　論文賞」および「応用物理学会　薄膜･表面物理分科会　奨励賞」の公募を行ったところ，2023年9月16日の締め切りまでに 重複申請を含めて 論文賞6件，奨励賞6件の推薦があり，これらについて以下の10名の表彰委員会にて 選考を行った．それぞれの論文に対して，各委員の専門分野も勘案して審査担当を分担し書類審査を行った．審査点に基づき表彰委員会にて議論を行った結果，上記2件が論文賞に2件が奨励賞に相応しいとの合意を得た．

応用物理学会　薄膜・表面物理分科会 表彰委員会委員
渡部平司（大阪大学, 委員長） 、影島愽之（島根大学）、佐道泰造（九州大学）、清水智子（慶應義塾大学）、武田さくら（奈良先端大学）、寺本 章伸（広島大学）、中村雅一（奈良先端大学）、野平博司（東京都市大学）、吹留博一（東北大学）、渡邉孝信（早稲田大学）

更新：2023/12/8

分科会幹事選挙について

分科会幹事選挙のお知らせ

2023年度分科会幹事選挙を応用物理学会ホームページ「会員マイページ」からの電子投票のみで行います。

【電子投票期間】11月10日(金) ～ 11月26日(日)

電子投票は、会員マイページへのログインが必要ですので、会員ID、パスワードの確認を早めにお願い致します。
また、e-mailにて電子投票の依頼を行いますので、メールアドレスが未登録の方は併せて登録をお願い致します。

詳細については下記をご参照ください。

薄膜・表面物理分科会-投票画面掲載用の選挙案内（日本語）.pdf

薄膜・表面物理分科会-投票画面掲載用の選挙案内（英語）.pdf

更新：2023/11/8

第８回 「薄膜・表面物理分科会論文賞」および「薄膜・表面物理分科会奨励賞」公募締め切り延長のお知らせ(9/16〆)

　応用物理学会 薄膜・表面物理分科会では2016年より，当該分野における優れた業績に対して「薄膜・表面物理分科会論文賞」および「薄膜・表面物理分科会奨励賞」をお贈りしております．つきましては，以下の通り候補者を公募いたします．自薦，他薦を問わず，多数の方々からのご応募をお待ちしております．

詳細PDF： 第８回 論文賞・奨励賞募集案内

薄膜・表面物理分科会論文賞

  • 表彰の対象は，薄膜・表面物理関連分野の進歩向上に寄与する優秀な原著論文で，2023年7月末日までの2年間に学術刊行物に掲載されたものの著者とする
  • すでに公に顕著な賞を受けた論文は候補対象とされない場合がある
  • 受賞者は著者全員とし，必ず，薄膜・表面物理分科会会員を含むものとする

薄膜・表面物理分科会奨励賞

  • 表彰の対象は，薄膜・表面物理関連分野の進歩向上に貢献すると期待される優れた若手研究者で，2023年7月末日までの1年間に発行された学術刊行物に掲載された原著論文の筆頭著者とする
  • 応募時に薄膜・表面物理分科会会員であり，表彰時の3月末時点で満39歳以下の者とする
  • すでに公に顕著な賞を受けた論文は候補対象とされない場合がある
  • 論文賞と重複しての応募を可能とする（論文賞を受賞すれば奨励賞への応募は取り消し）

提出書類：

  1. 推薦状（様式自由）のPDFファイル
    (1) 対象論文の題目，学術雑誌名，巻，発行年月
    (2) 候補者全員の氏名・所属・身分・連絡先（住所，電話番号，電子メールアドレス），および筆頭著者の生年月日（薄膜・表面物理分科会奨励賞の場合）
    (3) 推薦人氏名・所属・連絡先（他薦の場合）
    (4) 推薦文（400字程度で候補業績の優れた点を簡潔に記述する）
    (5) 候補業績に関わる，応用物理学会および当分科会の主催・共催する学術講演会・研究会等での発表状況
  2. 該当する論文のPDFファイル

書類提出期限：

2023年8月18 日（金）必着

※公募期間を9月16日(土)まで延長いたします。

書類提出方法：

  • メールタイトルを「薄膜・表面物理分科会論文賞応募」もしくは「薄膜・表面物理分科会奨励賞応募」として添付ファイルと共に電子メールで提出して下さい． 提出の完了を同委員会事務局からの返信メールにて確認してください．

メール送付先：薄膜・表面物理分科会 表彰選考委員会　hakuhyou@jsap.or.jp

  • 諸事情により電子メールでの送付が困難な場合には，その旨を電子メールにて連絡の上，提出する電子ファイルをUSBメモリ等のメディアに収め，以下へ郵送（書留）にて提出してください．

〒113-0031　東京都文京区根津1-21-5　公益社団法人応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 表彰選考委員会宛

贈呈式：

2024年応用物理学会春季学術講演会期間中に行います．

備　考：

各賞の規程については，下記URLをご参照ください．
https://annex.jsap.or.jp/tfspd/award/

更新：2023/5/29

ホームページメンテナンスのお知らせ

2023年5月24日（水）午後1時から30分程度、ホームページのメンテナンスを行います。

更新：2023/5/23

ニュースレターへのアクセスの不具合について

ニュースレターバックナンバーのNo.170（2020年3月）以降へのアクセスができない不具合が生じております。暫定的に下記のリンクにて
https://annex.jsap.or.jp/tfspd/newsletter/2020/
上記バックナンバーへアクセスが可能です。不具合解消までの暫くの間お手数をおかけしまして誠に恐縮ですが、どうぞ宜しくお願い申し上げます。


更新：2023/3/22

2022年度 「薄膜・表面物理分科会 論文賞」「奨励賞」の選考結果について

2022年度「薄膜・表面物理分科会 論文賞」および「薄膜・表面物理分科会 奨励賞」について，以下の選考結果を得ましたので御報告申し上げます．

１．「薄膜・表面物理分科会 論文賞」受賞論文

  • 受賞者：山原 弘靖（東京大学），Bin Feng（東京大学），関 宗俊（東京大学），足立 真輝（東京大学），Md Shamim Sarker（東京大学），武田 崇仁（東京大学），小林 正起（東京大学），石川 亮（東京大学），幾原 雄一（東京大学），長 康雄（東北大学），田畑 仁（東京大学）
  • 受賞論文：“Flexoelectric nanodomains in rare-earth iron garnet thin films under strain gradient”, Communications Materials 2, 95 (2021).
  • 受賞理由：パルスレーザー堆積法でエピタキシャルさせた希土類鉄ガーネット薄膜に傾斜格子歪を導入することで，フレクソエレクトリック効果による誘電分極が発生し，さらに保磁場が増大することを見出した．この発見は，将来の不揮発性メモリやスピントロニクスデバイス等への応用につながることが期待される．本論文は薄膜・表面物理の基礎及び応用の観点から優れた論文であると認められ，薄膜・表面物理分科会論文賞に値すると考える．

２．「薄膜・表面物理分科会 論文賞」受賞論文

  • 受賞者：Kaifeng Zhang （張 開鋒）（日立製作所／京都大学），Yi-Fan Bao（Xiamen University），Maofeng Cao（Xiamen University），谷口 伸一（日立製作所），渡辺 正浩（日立製作所），神林 琢也（日立製作所），岡本 敏弘（徳島大学），原口 雅宣（徳島大学），Xiang Wang（Xiamen University），小林 圭（京都大学），山田 啓文（京都大学），Bin Ren（Xiamen University），立崎 武弘（東海大学）
  • 受賞論文：“Low-Background Tip-Enhanced Raman Spectroscopy Enabled by a Plasmon Thin-Film Waveguide Probe”, Analytical Chemistry 93, 7699 (2021).
  • 受賞理由：プラズモン薄膜導波路探針を用いた間接照射型TERSを開発し，背景信号の極限的抑圧に成功した．10 nm程度の空間分解能を持つTERS像が得られている．探針は安定性と耐久性に優れており，実用的なTERSとしての発展が期待される．薄膜・表面物理の新展開をもたらす新しい測定技術の創出として高い価値が認められ，薄膜・表面物理分科会論文賞に値すると考える．

３．「薄膜・表面物理分科会 奨励賞」受賞論文

  • 受賞者：Kuan-Ju Zhou（台湾 國立中山大學／東京工業大学）
  • 受賞論文：“Heterogeneous metal oxide channel structure for ultra-high sensitivity phototransistor with modulated operating conditions”, Journal of Materials Chemistry C , 10, 9192 (2022).
  • 受賞理由： 酸化物半導体フォトトランジスタによる紫外線センシングにおいて，独自の設計指針に基づく３層のアモルファス薄膜からなるチャネル構造を用いることで，光応答の改善と安定動作を両立した．さらに，動作パラメータを詳細に調査して最適な動作条件を示すと共に，その動作・劣化メカニズムを慎重に議論しており，薄膜・表面物理分科会論文賞奨励賞に値すると考える．

    • 薄膜・表面物理分科会 表彰委員会委員
    渡部 平司（大阪大学，委員長）
    影島 愽之（島根大学）
    武田 さくら（奈良先端大学）
    中原 仁（(株)トヤマ）
    吉越 章隆（原子力機構）
    渡邉 孝信（早稲田大学）

更新：2022/12/14

分科会幹事選挙について

分科会幹事選挙のお知らせ

2022年度分科会幹事選挙を応用物理学会ホームページ「会員マイページ」からの電子投票のみで行います。

【電子投票期間】11月11日(金) ～ 12月1日(木)

電子投票は、会員マイページへのログインが必要ですので、会員ID、パスワードの確認を早めにお願い致します。
また、e-mailにて電子投票の依頼を行いますので、メールアドレスが未登録の方は併せて登録をお願い致します。

詳細については下記をご参照ください。

分科会幹事選挙2022のご案内ダウンロード

更新：2022/10/14

第7回 「薄膜・表面物理分科会論文賞」および「薄膜・表面物理分科会奨励賞」公募締め切り延長のお知らせ(9/16〆)

応用物理学会 薄膜・表面物理分科会では2016年より，当該分野における優れた業績に対して「薄膜・表面物理分科会論文賞」および「薄膜・表面物理分科会奨励賞」をお贈りしております．つきましては，以下の通り候補者を公募いたします．自薦，他薦を問わず，多数の方々からのご応募をお待ちしております．

詳細PDF： 第7回 論文賞・奨励賞募集案内

薄膜・表面物理分科会 論文賞

  • 表彰の対象は，薄膜・表面物理関連分野の進歩向上に寄与する優秀な原著論文で，2022年7月末日までの2年間に学術刊行物に掲載されたものの著者とする
  • すでに公に顕著な賞を受けた論文は候補対象とされない場合がある
  • 受賞者は著者全員とし，必ず，薄膜・表面物理分科会会員を含むものとする

薄膜・表面物理分科会 奨励賞

  • 表彰の対象は，薄膜・表面物理関連分野の進歩向上に貢献すると期待される優れた若手研究者で，2022年7月末日までの1年間に発行された学術刊行物に掲載された原著論文の筆頭著者とする
  • 応募時に薄膜・表面物理分科会会員であり，表彰時の3月末時点で，満39歳以下の者とする
  • すでに公に顕著な賞を受けた論文は候補対象とされない場合がある
  • 論文賞と重複しての応募を可能とする（論文賞を受賞すれば奨励賞への応募は取り消し）

提出書類：

  1. 推薦状（様式自由）のPDFファイル
    (1) 対象論文の題目，学術雑誌名，巻，発行年月
    (2) 候補者全員の氏名・所属・身分・連絡先（住所，電話番号，電子メールアドレス），および筆頭著者の生年月日（薄膜・表面物理分科会奨励賞の場合）
    (3) 推薦人氏名・所属・連絡先（他薦の場合）
    (4) 推薦文（400字程度で候補業績の優れた点を簡潔に記述する）
    (5) 候補業績に関わる，応用物理学会および当分科会の主催・共催する学術講演会・研究会等での発表状況
  2. 該当する論文のPDFファイル

書類提出期限：

2022年8月19 日（金）必着
※公募期間を9月16日(金)まで延長いたします。

書類提出方法：

  • メールタイトルを「薄膜・表面物理分科会論文賞応募」もしくは「薄膜・表面物理分科会奨励賞応募」として添付ファイルと共に電子メールで提出して下さい． 提出の完了を同委員会事務局からの返信メールにて確認してください．

メール送付先：薄膜・表面物理分科会 表彰選考委員会　hakuhyou@jsap.or.jp

  • 諸事情により電子メールでの送付が困難な場合には，その旨を電子メールにて連絡の上，提出する電子ファイルをUSBメモリ等のメディアに収め，以下へ郵送（書留）にて提出してください．

〒113-0031　東京都文京区根津1-21-5　公益社団法人応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 表彰選考委員会宛

贈呈式：

2023年応用物理学会春季学術講演会期間中に行います．

備　考：

各賞の規程については，下記URLをご参照ください．
https://annex.jsap.or.jp/tfspd/award/

更新：2022/9/6

ニュースレターへのアクセスの不具合について

ニュースレターバックナンバーのNo.170（2020年3月）〜No178（2022年3月）分へのアクセスができない不具合が生じております。暫定的に下記のリンクにて
https://annex.jsap.or.jp/tfspd/newsletter/2020/
上記バックナンバーへアクセスが可能です。不具合解消までの暫くの間お手数をおかけしまして誠に恐縮ですが、どうぞ宜しくお願い申し上げます。


更新：2022/6/17