| 招待講演 |
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| 化合物半導体の薄膜作製評価と多元系機能材料研究会−新機能・新材料を目指して− 松本俊 （山梨大学） |
| CZTS系薄膜太陽電池の作製と評価 片桐裕則 （長岡工業高等専門学校，科学技術振興機構CREST） |
| 化合物太陽電池の宇宙応用 −現状と展望− 今泉充 （宇宙航空研究開発機構） |
| ディスカッションセッション |
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| CZTS系太陽電池の作製 蒸着法の現状と課題 柴田肇（産業技術総合研究所） |
| Cu2ZnSn(S,Se)4ナノ粒子を用いた塗布型太陽電池の開発 張毅聞，殷明 （凸版印刷株式会社），吉原知宏，陶山直樹，山田明 （東京工業大学） |
| 非真空プロセスによるCZTS系太陽電池の作製 池田茂 （大阪大学） |
| 口頭発表 |
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| MnAs/ZnSnAs2/ZnSnAs2:Mnの磁気輸送特性 大前洸斗，神保良夫，内富直隆 （長岡技術科学大学） |
| ゾル-ゲル法で成膜した金属ナノ粒子分散誘電体薄膜の光学特性と機能性材料への応用 若木守明，横山英佐 （東海大学） |
| Cu2ZnSnS4薄膜発光スペクトルの組成比依存 進士智一，田中久仁彦，中村竜太，打木久雄 （長岡技術科学大学），神保和夫，鷲尾司，片桐裕則 （長岡工業高等専門学校） |
| 第一原理計算から見たCZTS系太陽電池材料の欠陥構造−CIS系材料との違い− 前田毅，中村哲士，和田隆博 （龍谷大学） |
| CdTe太陽電池におけるカーボン電極を用いないCdTe層へのCuドーピング法の検討 岡本保，林亮二，原茂樹，小川洋平 （木更津工業高等専門学校） |
| 硫化法によるSnS薄膜成長とSnS太陽電池の試作 平松昂，久富一真，永易京，森賢志，平野卓三，清水翼，杉山睦 （東京理科大学） |
| ポスターセッション | |
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| P-1 | ELによるCIGS太陽電池の電子線照射効果の評価 川北史郎，今泉充，艸分宏昌 （宇宙航空研究開発機構），石塚尚吾，柴田肇，仁木栄 （産業技術総合研究所），奥田修一 （大阪府立大学） |
| P-2 | CIGS太陽電池に向けたアモルファスZn-Sn-Oバッファ層の成長 張紹偉，石川薫，杉山睦 （東京理科大学） |
| P-3 | CIGS薄膜をエッチングしたKCN系廃液の安全処理と他材料へのリサイクル 庄子亮介，藤野陽，庄司竜輝，秋津貴城，杉山睦 （東京理科大学） |
| P-4 | クランク型ボールミルを用いたCu-III-VI族系化合物結晶の合成 赤木洋二，徳留勇樹 （都城工業高等専門学校） |
| P-5 | 撹拌機を用いたCuInS2多孔質結晶の合成条件の検討 高岡康平，永崎瑞樹，赤木洋二 （都城工業高等専門学校） |
| P-6 | PLD法を用いたCuInS2薄膜の作製 堀川祐輔，工藤翔平，下園庸介，吉田亮，脇田和樹 （千葉工業大学），沈用球 （大阪府立大学） |
| P-7 | Ar希釈H2S中でのCuとInの交互スパッタ法によるCuInS2薄膜の作製 小野友也，野本隆宏，坪井望 （新潟大学） |
| P-8 | ゾルゲル硫化法を用いたCu2ZnSnS4薄膜の作製における塩素フリー溶液の検討 佐久間広太，田中久仁彦，打木久雄 （長岡技術科学大学） |
| P-9 | 急速加熱法を用いたCu2ZnSnS4の薄膜改善 中野裕也，田中久仁彦，打木久雄 （長岡技術科学大学） |
| P-10 | スパッタ法で作製したCu2ZnSnS4薄膜の単元、三源ターゲットによる違いの検討 中村竜太，田中久仁彦，打木久雄 （長岡技術科学大学），神保和夫，鷲尾司，片桐裕則 （長岡工業高等専門学校） |
| P-11 | AAOマスクを用いてめっき法によるCu2ZnSnS4ナノワイヤの作製 王崇娥，田中良典，清水智弘，新宮原正三 （関西大学） |
| P-12 | CuInS2-Cu2ZnSnS4結晶の作製と評価 小川貴史，中村謙太，安芸恵太，大石耕一郎，深井翔太，山崎誠，片桐裕則 （長岡工業専門高等学校） |
| P-13 | Cu2SnS3薄膜太陽電池特性のCu/Sn組成比依存性 粟飯原直也，豊永詞，荒木秀明，神保和夫，片桐裕則 （長岡工業高等専門学校） |
| P-14 | Cu2SnS3薄膜の発光スペクトルの観測 後藤祐輔，田中久仁彦，打木久雄 （長岡技術科学大学），粟飯原直也，荒木秀明 （長岡工業高等専門学校） |
| P-15 | 反応性スパッタ法により作製したa-InxGa1-xN薄膜における製膜条件による特性への影響 鈴木俊正，加藤好徳，片山竜一，伊藤貴司，野々村修一 （岐阜大学） |
| P-16 | 硫化法を用いたSnS薄膜のキャリア密度制御 久富一真，永易京，森賢志，平松昂，杉山睦 （東京理科大学） |
| P-17 | 可視光透過型太陽電池に向けたNiO:Cu薄膜の成長 橋本龍一，中村文香，川出大佑，山下貴史，石田淳，杉山睦 （東京理科大学），秩父重英 （東北大学） |
| P-18 | 対向ターゲット式反応性交互スパッタ法によるp形NiO薄膜の作製 高橋雄大，古谷靖明，野本隆宏，坪井望 （新潟大学） |
| P-19 | Ce3+添加によるCaGa2S4 中の欠陥のESR 測定 北嶋一徹，滝沢武男，日高千晴 （日本大学），野村重孝 （東京理科大学） |
| P-20 | CaGa2S4:Mn2+赤色発光の希土類元素共添加による増感現象のESR研究 北嶋一徹，滝沢武男，日高千晴 （日本大学），野村重孝 （東京理科大学） |
| P-21 | EuGa2S4スパッタ膜の発行と透過率 土肥稔 （静岡理工科大学） |
| P-22 | スプレー熱分解硫化法により作製されたSrGa2S4:Eu薄膜の発光特性 谷祐太朗，加藤有行 （長岡技術科学大学） |
| P-23 | マイクロエマルジョンを用いたポリオール法によるYVO4:Biナノ蛍光体の作製 池口明良，磯前厚，加藤有行 （長岡技術科学大学） |
| P-24 | 電気泳動堆積法によるペロブスカイト蛍光体薄膜の作製 加藤陸，加藤有行 （長岡技術科学大学） |
| P-25 | 層状結晶GaSeのフォトルミネッセンススペクトル 大杉信斗，米田稔 （岡山理科大学），瀬戸悟 （石川工業高等専門学校），神谷なお美，吉野賢二 （宮崎大学） |
| P-26 | ゾルゲル法により作成した有機/無機ハイブリッド薄膜と発光ダイオードへの応用 大谷直毅，實井祐介，木村慎平，中川諒，殿井將文 （同志社大学） |
| P-27 | ZnSnAs2/InAlAs積層構造の作製および評価 鈴木晶子，大前洸斗，豊田英之，内富直隆 （長岡技術科学大学） |
| P-28 | Si(111)面上GaSbヘテロエピタキシャル薄膜の構造評価 豊田英之，神保良夫，内富直隆 （長岡技術科学大学） |
| P-29 | 鎖状タリウム化合物における光照射による表面形状変化 梅崎美亜，沈用球 （大阪府立大学），脇田和樹 （千葉工業大学），Nazim Mamedov （アゼルバイジャン科学アカデミー） |
| P-30 | 層状TlGaS2の誘電率スペクトルの温度特性 川端利幸，沈用球 （大阪府立大学），脇田和樹 （千葉工業大学），Nazim Mamedov （アゼルバイジャン科学アカデミー） |
| P-31 | 三元Tl系化合物の光第二高調波発生法による結晶構造の評価 荒木祥人，宮本桂，浅葉亮，脇田和樹 （千葉工業大学），沈用球，三村功次郎 （大阪府立大学），Nazim Mamedov （アゼルバイジャン物理学研究所） |
| P-32 | 第一原理計算によるII-VI族化合物半導体の酸素ドープの電子構造の解析 石川真人 （横河電機株式会社），中山隆史 （千葉大学） |
| P-33 | (Pb,M)Sr2(Y,Ca)Cu2Oz（M：Co，Ni，Zn）の組成と電気的性質 前田敏彦，田代大陸，春田正和，堀井滋 （高知工科大学） |
| P-34 | 歪環境下におけるNiシリサイドの相図 飯塚将太，中山隆史 （千葉大学） |