研究奨励賞:先進パワー半導体分科会

先進パワー半導体分科会

公益財団法人 応用物理学会 ENGLISH PAGE

研究奨励賞

研究奨励賞について

本分科会の活動の活性化と若手研究者の育成を図るために、本分科会が主催する講演会で優れた研究成果を積極的にアピールした若手研究者を表彰する制度です。2004年度講演会より実施しています。(研究奨励賞実施規程はこちら

選考対象
分科会講演会(年一回開催)での一般応募講演の発表者(口頭発表およびポスター発表の筆頭者)から応募者数の10%を最大として選考します。
応募資格
発表年月日以降の4月1日時点で満33才以下であり、過去に本研究奨励賞あるいは応用物理学会講演奨励賞を受賞していない方。
応募方法
講演申込み時に、応募資格を有していることを明記してください。

分科会講演会の閉会式にて表彰し(表彰状・記念品贈呈)、分科会ホームページに受賞者名を掲載いたします。

研究奨励賞受賞者 (各回欄右上の【 】内は【一般講演件数, 奨励賞申請件数】)

第14回受賞者(分科会 第4回講演会・2017年11月1日・名古屋国際会議場)【118件, 28件】
一村 愛子
(デンソー)
IA-271030 V, 0.94 mΩcm2 SiCトレンチMOSFETの開発
小久保 信彦
(名古屋大学)
IB-17ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の刃状成分の解析
第13回受賞者(分科会 第3回講演会・2016年11月9日・つくば国際会議場)【135件, 40件】
田中 一
(京都大学)
P-51p型4H-SiCにおけるHall散乱因子・正孔密度・正孔移動度の理論的検討
森 誠悟
(ローム)
P-1253kV 4H-SiC逆阻止MOSFETの作製と特性評価
第12回受賞者(分科会 第2回講演会・2015年11月10日・大阪国際交流センター)【96件, 23件】
小林 拓真
(京都大学)
P-65高濃度p型ボディ層を有するSiC MOSFETにおける移動度劣化要因の検討
田尻 光毅
(大阪大学)
P-41SF6ガスを用いたサブ大気圧プラズマエッチングによるSiC基板の高能率加工
第11回受賞者(分科会 第1回講演会・2014年11月19日・ウインクあいち)【100件, 27件】
平井 悠久
(東京大学)
P-474H-SiC/SiO2界面に低温O2酸化によって形成される酸化副生成物の赤外分光法による解析
内田 光亮
(住友電気工業)
P-77埋込み耐圧構造を有するV溝型トレンチSiC MOSFETの特性評価
第10回受賞者(第22回講演会・2013年12月10日・埼玉会館)【140件, 35件】
丹羽 弘樹
(京都大学)
C-254H-SiC における衝突イオン化係数の温度依存性
大岡 篤志
(パナソニック)
C-37ダイオード内蔵型SiC-MOSFET(DioMOS)の設計と特性改善
第9回受賞者(第21回講演会・2012年11月20日・大阪市中央公会堂)【113件, 26件】
梶 直樹
(京都大学)
II-3超高耐圧SiC PiNダイオードの作製とキャリア寿命向上プロセスを用いた低オン抵抗化
大黒 寛典
(トヨタ自動車)
P-1界面形状制御溶液法による4H-SiC バルク成長
第8回受賞者(第20回講演会・2011年12月9日・愛知県産業労働センター)【124件, 37件】
池口 大輔
(大阪大学)
P-75紫外線照射による熱酸化膜SiO2/SiC構造中の電気的欠陥生成
中野 佑紀
(ローム)
P-111690V 1.00mΩcm2 SiCダブルトレンチMOSFET
第7回受賞者(第19回講演会・2010年10月22日・つくば国際会議場)【88件, 31件】
纐纈 英典
(奈良先端科技大学)
P-19塩素ガス熱エッチングによる4H-SiCサブトレンチの解消
宮澤 哲哉
(電力中央研究所)
P-31炭素イオン注入・熱処理法を適用した4H-SiCエピ膜のキャリア寿命
第6回受賞者(第18回講演会・2009年12月17日・神戸国際会議場)【105件, 31件】
岡本 大
(奈良先端科技大学)
P-67SiO2/SiC界面へのリンの導入による高チャネル移動度4H-SiC MOSFETの作製
川原 洸太郎
(京都大学)
P-73デバイスプロセスによって4H-SiC中に生じる深い準位の検出および低減
第5回受賞者(第17回講演会・2008年12月8日・大田区産業プラザ)【113件, 38件】
日吉 透
(京都大学)
P-35熱酸化によるn型4H-SiC中の深い準位の低減
渡辺 優
(大阪大学)
P-91窒素プラズマ照射および水素ガスアニールによるSiO2/SiC界面欠陥終端化とその熱劣化過程の評価
第4回受賞者(第16回講演会・2007年11月3日・愛知県女性総合センター)【76件, 13件】
伊藤 雅彦
(電力中央研究所)
P-1大面積均一性を伴った高速4H-SiCエピタキシャル結晶成長技術の開発
鈴木 拓馬
(東芝)
P-71ドライ酸化膜のウェット再酸化による、高チャネル移動度・高信頼性4H-SiC(000-1)面ゲート酸化膜の実現
第3回受賞者(第15回講演会・2006年11月9日・高崎シティギャラリー)【83件, 21件】
但野 克典
(京都大学)
P-22n型4H-SiC成長層における深い準位の評価と起源の考察
日野 史郎
(東京工業大学)
P-71MOCVD法による低温堆積したAl2O3膜をゲート絶縁膜に有する高移動度4H-SiC MOSFETの作製と評価
第2回受賞者(第14回講演会・2005年11月10日・京都大学)【79件, 11件】
覚張 光一
(埼玉大学)
P-25In-SituエリプソメータによるSiCの酸化の実時間観察
原 英之
(大阪大学)
P-30触媒作用を援用した化学ポリシング法による4H-SiC(0001)の加工
第1回受賞者(第13回講演会・2004年10月22日・名古屋国際会議場)【77件, 20件】
小杉 亮治
(産業技術総合研究所)
P-78(0001)4H-SiC高温(>1,400℃)急速酸化および窒化
根来 佑樹
(京都大学大学院)
P-21Al,Bイオン注入4H-SiCの注入飛程端付近における電気特性
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