第40回 薄膜・表面物理セミナー(2012)
半導体SiC の基礎と応用
(省エネ･低炭素社会を目指したパワーデバイス開発の将来)

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主旨：
IV-IV 族化合物である半導体SiC は，絶縁破壊電界強度，高温動作性，熱伝導性などの材料物性がSi に比べ数倍を超える特性を有しています．そのため，SiC を半導体デバイスに利用することで，従来のSi デバイスに比べ大幅な省エネルギー化が期待できます．これまでSiC は，ウエハ製造の困難さや結晶欠陥の発生しやすさなどにより実用化が妨げられていました．しかし，近年の飛躍的な技術革新により，それら課題が解決されつつあります．このような背景の元，CO2削減を始めとする地球環境問題への対策が急務とされている現在，SiC は高耐圧・低損失のパワーデバイス材料として，世界的な注目を集めています．本セミナーでは，この魅力的なSiC の基礎と応用について，第一線でご活躍されている講師の方々に最新の成果をご紹介頂きます．多くの方々のご参加をお待ちしております．

日時：2012年8月3日(金) 10:00-17:50 (受付開始 9:30)

場所：
東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール
(東京都目黒区大岡山2-12-1,
tel: 03-5734-3737，
東急大井町線・目黒線 大岡山駅下車 徒歩1分)
http://www.somuka.titech.ac.jp/ttf/access/index.html (アクセスマップ)

プログラム

参加費：

*薄膜・表面物理分科会賛助会社の方は分科会会員扱いといたします．

**応用物理学会賛助会社の方は，応用物理学会会員扱いといたします．

現在非会員の方でも，参加登録時に薄膜・表面物理分科会(年会費A会員：3,000円，B会員：2,200円)にご入会いただければ，本セミナーより会員扱いとさせていただきます．
http://www.jsap.or.jp/ より入会登録を行い，仮会員番号を取得後，本セミナーにお申込み下さい．
入会決定後，年会費請求書をお送りいたします．（年会費をセミナー参加費と同時にお振込なさらないで下さい．）

***学生の場合は，会員・非会員の別を問いません．

定員：60名 (満員になり次第締め切ります．)

参加申込締切：
2012年7月20日(金)

参加申込方法：
下記分科会ホームページ内の登録フォームにて参加登録してください．
https://annex.jsap.or.jp/phpESP/public/survey.php?name=HakuhyouSeminar40
参加登録完了後，ご連絡いただいた期日までに参加費を下記銀行口座にお振込ください．原則として参加費の払い戻し，請求書の発行は致しません．領収書は当日会場にてお渡しいたします．

参加費振込期限：
2012年7月27日(金)
参加費の入金確認後，参加証をお送りします．

参加費振込先：
三井住友銀行 本店営業部（本店でも可）
普通預金 　口座番号： 9474715
　(社)　応用物理学会薄膜・表面物理分科会
 　(シャ)　オウヨウブツリガッカイハクマク・ヒョウメンブツリブンカカイ

セミナー内容問合せ先：

物質•材料研究機構
長谷川 剛
TEL: 029-860-4734
FAX: 029-860-4790
E-Mail: HASEGAWA.Tsuyoshi＠nims.go.jp

日立ハイテクノロジーズ
古川 貴司
TEL: 0495-32-2508
FAX: 0495-32-2080
E-Mail: furukawa-takashi＠deco.hitachi-hitec.com

参加登録問合せ先：
応用物理学会事務局分科会担当
上村 さつき
TEL: 03‐5802‐0863
FAX: 03‐5802‐6250
E-Mail: kamimura＠jsap.or.jp