2008年7月11日(金) 9:55~16:30

第103回 研究集会

開催場所

機械振興会館 B3階 研修-1

〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
東京メトロ日比谷線神谷町駅下車 徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/kaikan.htm
テーマ シリコンCMOSを超えるフロンティアデバイスのモデリング
参加費 分科会員 2000円、非分科会員 4000円
オーガナイザー 小田中紳二 ・ 羽根正巳 ・ 園田賢一郎

プログラム

座長 大倉(Selete)

1. モデリング研究委員会から 9:55-10:00
小田中紳二 (阪大)

2. 半導体ロードマップにおけるModeling & Simulationの活動 10:00-10:30
佐藤成生(富士通マイクロエレクトロニクス)

3. 多結晶シリコン薄膜トランジスタのモデリング 10:30-11:10
辻 博史 (阪大)

4. MRAMのモデリングとその事例紹介 -有限温度でのSTT-MRAMにおける書き込みエラーについて- 11:10-11:50
川端清司・谷沢元昭・石川清志・井上靖朗 (ルネサステクノロジ)

昼食

座長 小川(神戸大)

5. 単電子デバイスモデリング 13:20-14:00
渡辺 浩志 (東芝)

6. グランフェンナノリボンを用いた新規デバイスの提案とシミュレーション 14:00-14:40
相馬聡文 (神戸大)

休息 14:40-15:00

座長 園田(ルネサステクノロジ)

7. サブ100nmメタル・ソース/ドレインGe-pMOSFETのキャリア輸送特性 15:00-15:40
竹田 裕 (NECエレクトロニクス)

8. シリコンナノワイアMOSFETにおける量子閉じ込め効果 15:40-16:30
萩島大輔・松澤一也 (東芝)、小田中紳二 (阪大)

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