座長 大倉（Selete）

1. モデリング研究委員会から 9:55-10:00
小田中紳二 （阪大）

2. 半導体ロードマップにおけるModeling & Simulationの活動 10:00-10:30
佐藤成生（富士通マイクロエレクトロニクス）

3. 多結晶シリコン薄膜トランジスタのモデリング 10:30-11:10
辻 博史 （阪大）

4. MRAMのモデリングとその事例紹介 -有限温度でのSTT-MRAMにおける書き込みエラーについて- 11:10-11:50
川端清司・谷沢元昭・石川清志・井上靖朗 （ルネサステクノロジ）

昼食

座長 小川（神戸大）

5. 単電子デバイスモデリング 13:20-14:00
渡辺 浩志 (東芝)

6. グランフェンナノリボンを用いた新規デバイスの提案とシミュレーション 14:00-14:40
相馬聡文 (神戸大）

休息 14:40-15:00

座長 園田（ルネサステクノロジ）

7. サブ100nmメタル・ソース/ドレインGe-pMOSFETのキャリア輸送特性 15:00-15:40
竹田 裕 （ＮＥＣエレクトロニクス）

8. シリコンナノワイアMOSFETにおける量子閉じ込め効果 15:40-16:30
萩島大輔・松澤一也 (東芝)、小田中紳二 (阪大)