1. (10:00-10:05)
開会の挨拶

2. (10:05-10:50)
《基調講演》集積化CMOS-MEMS技術とその応用
町田 克之，森村 浩季¹，武藤 伸一郎¹，佐藤 康博¹
(N TTアドバンステクノロジ，1 NTTマイクロシステムインテグレーション研究所)

3. (10:50-11:20)
短TATシリル化ポーラス・シリカ (k=2.1) を適用した32nmノード向けUltra Low-k／Cu (keff=2.6) デュアル・ダマシン技術
小田 典明、隣 真一、窪田 壮男、中尾 慎一、冨岡 和弘、曽田 栄一、中村 直文、野川 潤¹、川島 由嗣¹、林 遼¹、斎藤 修一
(半導体先端テクノロジーズ、1 NECエレクトロニクス)

4. (11:20-11:50)
グリーンIT対応のフル多孔質low-k配線技術～無欠陥化に向けた材料・プロセス・配線構造の統合設計～
植木 誠，田上 政由，伊藤 文則，久米 一平，山本 博規，川原 潤，井上 尚也，肱岡 健一郎，竹内 常雄，斉藤 忍，小野寺 貴弘，古武 直也，岡田 紀雄，林 喜宏
(NECエレクトロニクス)

5. (11:50-12:20)
一括後抜きプロセスを用いた低コストエアギャップ配線技術
中村 直文、松永 範昭、和田 真、上夏井 健、渡邊 桂、柴田 英毅
(東芝)

■　昼食 12:20 - 13:10

6. (13:10-13:40)
Tiバリアメタル表面窒化プロセスによる低抵抗・高信頼性Cu配線の開発
坂田 敦子、加藤 賢、大竹 由季恵¹、豊田 啓、川ノ上 孝、羽多野 正亮、和田 純一、山田 周輝、沖 知普、山口 人美、中村 直文、東 和幸、山田 雅基、藤巻 剛、蓮沼 正彦
(東芝、1 東芝ナノアナリシス)

7. (13:40-14:10)
ベベルクリーニング用Ruバリア薄膜の電気化学溶解
青木 秀充, 渡邊 大祐, 大井 直樹, 鄭鍾, 木村 千春, 杉野 隆
(大阪大学)

8. (14:10-14:40)
Ruバリアメタル構造のCu配線におけるCu研磨時のガルバニック腐食制御
丸山 浩二、塩原 守雄、山田 浩司、近藤 誠一、斎藤 修一
(半導体先端テクノロジーズ)

■　休憩　14:40-14:55

9. (14:55-15:25)
高性能パッシブ素子の開発と回路応用
畠山 英樹^1,2、上道 雄介¹、石原 昇²、益 一哉²
(1 フジクラ、2 東京工業大学)

10. (15:25-15:55)
フリップチップ実装工程におけるCu/low-k多層配線の信頼性向上技術
内堀 千尋、マイケル・リー、シフォン・ザン、ポール・ホー¹、中村 友二²
(米国富士通研究所、1 テキサス大学、2 富士通研究所)

11. (15:55-16:25)
新メッシュ構造および裏打ちめっき層による電源配線技術
太田 行俊、石川 和弘、伊藤 史人、伊藤 豊、柄谷 周子、小池 功二、西尾 太一、平野 博茂
(パナソニック）

12. (16:25-16:30)
閉会の挨拶