－－－　世話人挨拶　（ 5分 ）　－－－

シリコンテクノロジー分科会研究会アレンジ
「ゲートスタック研究の進展－Ge系材料を中心に」

(1) 09:30 - 10:00
Geの材料物性ーSiとの比較　（ハイライト講演）
○伊藤公平（慶大）

(2) 10:00 - 10:20
分子動力学法によるGeO2/Ge界面のモデリング　～ SiO2/Siとの違い ～
○渡邉孝信・恩田智弥・登坂　亮（早大）

(3) 10:20 - 10:40
Si酸化における界面反応の第一原理計算
○秋山　亨（三重大）・影島博之（NTT）・植松真司（慶大）・伊藤智徳（三重大）

－－－　休憩　（ 10分 ）　－－－

(4) 10:50 - 11:20
GeO2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術　（ハイライト講演）
○渡部平司・齊藤真里奈・斉藤正一朗・岡本　学・朽木克博・細井卓治・小野倫也・志村考功（阪大）

(5) 11:20 - 11:50
GeMIS界面欠陥の電気的性質　（ハイライト講演）
○田岡紀之・水林亘・森田行則・右田真司・太田裕之（半導体MIRAI-NIRC）・高木信一（半導体MIRAI-NIRC・東大）

－－－　昼食　（ 50分 ）　－－－

(6) 12:40 - 13:00
Ge MOSデバイスの熱安定性　～ Ge oxygen [GeO(g)]脱ガスにおけるGe monoxide
[GeO(II)]の役割 ～　（ハイライト講演）
○鎌田善己（MIRAI-東芝）・高島　章（東芝）・手塚　勉（MIRAI-東芝）

(7) 13:00 - 13:20
金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性
○西村知紀・長汐晃輔・喜多浩之・鳥海　明（東大）

(8) 13:20 - 13:40
ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御
○加藤公彦・近藤博基・坂下満男・財満鎭明（名大）

(9) 13:40 - 14:00
HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上
○今庄秀人・ヒュン イ・ドンフン イ・吉岡祐一・金島　岳・奥山雅則（阪大）

(10) 14:00 - 14:20
界面層にHfGeNおよびGeO2を有するhigh-k膜/Ge構造の形成と電気的評価　～ Ge基板への絶縁膜形成 ～
○中島　寛・平山佳奈・楊　海貴・王　冬（九大）

－－－　休憩　（ 10分 ）　－－－

ＳＤＭアレンジ
「ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」

レギュラーセッション

(11) 14:30 - 14:50
熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析
○村上秀樹・小埜芳和・大田晃生・東　清一郎・宮崎誠一（広島大）

(12) 14:50 - 15:10
LaAlO/Ge構造の界面反応へのALD-Al2O3層の効果
○坂下満男・加藤亮祐・京極真也・近藤博基・財満鎭明（名大）

(13) 15:10 - 15:30
低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討
○諸岡　哲・松木武雄・三瀬信行・神山　聡・生田目俊秀・栄森貴尚・奈良安雄・由上二郎・池田和人・大路　譲（Selete）

－－－　休憩　（ 10分 ）　－－－

(14) 15:40 - 16:00
ＬａまたはＡｌ添加によるＨｆＳｉＯＮ／ＳｉＯ２界面のダイポール変調に起因する
移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係
○辰村光介・石原貴光・犬宮誠治・中嶋一明・金子明生・後藤正和・川中　繁・木下敦寛（東芝）

(15) 16:00 - 16:20
High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ
○小原孝介・浦岡行治・山下一郎（奈良先端大）・八重樫利武・茂庭昌弘・吉丸正樹（STARC）

(16) 16:20 - 16:40
Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成
○近藤博基・古田和也・松井裕高・坂下満男・財満鎭明（名大）

－－－　休憩　（ 10分 ）　－－－

ショートプレゼンテーション

(17) 16:50 - 16:55
極薄LaOxからHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散
○大田晃生・貫目大介・東　清一郎・宮崎誠一（広島大）

(18) 16:55 - 17:00
ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討
○五月女真一・中山隆史（千葉大）

(19) 17:00 - 17:05
TiO2/Pt界面の化学結合および電子状態評価
○後藤優太・貫目大介・大田晃生・Wei Guobin・村上秀樹・東　清一郎・宮崎誠一（広島大）

(*) 17：05～18：05
ポスターセッション