11 月 12 日(木) 10：00～16：20

－－－ イントロダクトリー・トーク 小田中紳二 （阪大） （ 10 分 ） －－－
(1) 10:10 - 11:00
［招待講演］誘導結合通信による低消費電力３次元システムインテグレーションとその展望
○黒田忠広（慶大）

(2) 11:00 - 11:50
［招待講演］MOSFET コンパクトモデルと今後の展開～バルク MOSFET からマルチゲート MOSFET に向けて ～
○三浦道子・三宅正尭・上口光・楠隼太・石村健太・菊地原秀敏・Feldmann Uwe・Mattausch Hans Juergen
（広島大）

－－－ 昼食 （ 70 分 ） －－－

(3) 13:00 - 13:40
［招待講演］2009 SISPAD レビュー
○田中克彦（半導体先端テクノロジーズ）

(4) 13:40 - 14:20
［招待講演］2009 SISPAD レビュー (2)
○小川真人（神戸大）

－－－ 休憩 （ 20 分 ） －－－

(5) 14:40 - 15:05
表面ポテンシャルを用いた薄膜トランジスタのドレイン電流モデル
○辻博史・鎌倉良成・谷口研二（阪大）

(6) 15:05 - 15:30
回路シミュレーション用 IGBT モデル"HiSIM-IGBT"
○三宅正尭・舛岡弘基・ウヴェ フェルトマン・三浦道子（広島大）

(7) 15:30 - 15:55
MEMS 等価回路ジェネレータの開発
○藤原信代・浅海和雄（みずほ情報総研）・小池智之（ﾏｲｸﾛﾏｼﾝｾﾝﾀｰ）・土屋智由（京大）・橋口原（静岡大）

(8) 15:55 - 16:20
CMOS バイオセンサー応用のためのデバイスモデリングとシミュレーション
○宇野重康・中里和郎（名大）

11 月 13 日(金) 10：00～16：15

(9) 10:00 - 10:25
自己発熱効果がナノスケールトランジスタの電気特性に与える影響
○鎌倉良成・森伸也・谷口研二（阪大）

(10) 10:25 - 10:50
原子論モデルにおける R 行列量子輸送シミュレーション
ミリニコフ ゲナディ・○森伸也・鎌倉良成（阪大）

(11) 10:50 - 11:15
フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪み SiGe/Si-pMOSFET のキャリア輸送特性解析
○竹田裕（NEC ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽ）・河田道人（NEC 情報ｼｽﾃﾑｽﾞ）・竹内 潔・羽根正巳（NEC ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽ）

(12) 11:15 - 11:40
微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション
○来栖貴史・和田真・松永範昭・梶田明広・柴田英毅・谷本弘吉・青木伸俊・豊島義明（東芝セミコン社）

－－－ 昼食 （ 80 分 ） －－－

(13) 13:00 - 13:50
［チュートリアル招待講演］薄層 SOI デバイスの性能、有用性と今後の展開の見通し ～ 20 年前の議論、10 年前の議論と現在の課題 ～
○大村泰久（関西大）

(14) 13:50 - 14:40
［招待講演］微細 MOS デバイスにおけるランダムばらつき
○竹内潔・西田彰男（MIRAI-Selete）・平本俊郎（東大）

－－－ 休憩 （ 20 分 ） －－－

(15) 15:00 - 15:25
チャネル不純物分布を正確に反映した離散化表面ポテンシャルモデルとその超高速不純物濃度ばらつき解析への応用
○坂本浩則・有本宏・増田弘生・船山敏・熊代成孝（MIRAI-Selete）

(16) 15:25 - 15:50
High-k/Metal-gate 界面健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの相互作用の原子レベルシミュレーション
○鈴木研・伊藤雄太・井上達也・三浦英生（東北大）・吉川英樹・小林啓介（物質・材料研究機構）・寒川誠二（東北大）

(17) 15:50 - 16:15
構造緩和した SiO2 中の Si クラスタへのタイトバイディング計算の適用
○川端研二・渡辺浩志・市川尚志（東芝）