2010年3月12日（金） 13:00-17:00
第121回 研究集会
| テーマ | 半導体シリコン単結晶ウェーハを特徴づける評価技術 |
|---|---|
| 参加費 | 通常分科会員 2000 円，非分科会員 4000 円。 |
| 協賛 | 結晶成長学会バルク成長分科会 |
| お問い合わせ先 | 学習院大学 理学部物理学科 教授 渡邉 匡人 〒171-8588 東京都豊島区目白 1-5-1 学習院大学理学部 電話： 03-3986-0221（内線 6459） E-mail： Masahito.Watanabe@gakushuin.ac.jp |
プログラム
（１）Si MOS界面ラフネス散乱による移動度とひずみの効果
東大 工 高木 信一
（２）３次元アトムプローブによるMOSFET中のドーパント分布解析
京大 工 井上 耕治
（３）水素終端シリコン表面の自然酸化膜成長及び再結合ライフタイムに与える静電気の影響
コバレントマテリアル 荒木 延恵
（４）カソードルミネッセンス法によるパワーデバイスの結晶欠陥評価
東レリサーチセンター 杉江 隆一
（５）X線による種々のシリコン基板評価
リガク 表 和彦
（６）レーザー散乱を用いたＳＯＩウェーハ表面検査
SUMCO 神山 栄治
懇親会： (17:30～19:30) 場所は別途連絡。参加費 4,000円。