13:00-13:05 開会の辞 辰巳 哲也 (ソニー(株))

13:05-13:30 大気圧プラズマジェット照射急速熱処理によるナノドットおよび極浅接合形成
東 清一郎 (広島大学)

13:30-13:55 磁性体および Si 系材料反応性イオンエッチングの表面反応解析
浜口 智志 (大阪大学)

13:55-14:20 プラズマプロセス中材料の表面反応の機構解析
石川 健治 (名古屋大学)

14:20-14:45 DC 重畳 CCP 装置を使った HAR-Ox エッチングでの Bowing と Bottom CD の両立
中川 顕 (東京エレクトロン AT(株))

14:45-15:10 SiO2コンタクトホールエッチングにおけるチャージング予測
八木澤 卓 (慶應義塾大学)

15:10-15:30 休憩

15:30-15:55 ソース・ドレインエクステンションエピを施したトライゲート型シリコンナノワイヤトランジスタの短チャネル性能と移動度解析
齋藤 真澄 ((株)東芝)

15:55-16:20 Si エッチングダメージのモデリング
江利口 浩二 (京都大学)

16:20-16:55 ソース・ドレインエクステンション向けのプラズマドーピング
佐々木 雄一朗 ((株)ユー・ジェー・ティー・ラボ)

16:55-17:20 プラズマエッチング装置におけるダストパーティクル挙動
小林 浩之 ((株)日立製作所)

17:20-17:45 総合討論

17:45-17:50 閉会の辞 林 久貴 ((株)東芝)