1. (9:30-10:00) IEDM2011 概要
吉田英司
富士通研究所

2. (10:00-10:30) 超低消費電力LSI向けのSiN電荷捕獲層を有する新規Vth自己調整MISFET
辰村光介¹, 川澄篤², 川中繁³
1 (株) 東芝 研究開発センター ＬＳＩ基盤技術ラボラトリ－
2 (株) 東芝 セミコンダクター＆ストレージ社 半導体研究開発センター先端ワイヤレス・アナログ技術開発部
3 (株) 東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能ＣＭＯＳデバイス技術開発部

3. (10:30-11:00) 超低電圧動作を可能にするチャネルエンジニアリング
藤田和司、鳥居泰伸、堀充明、王純志、L.Shifren^**、P.Ranade^**、中川雅樹^*、岡部堅一 三宅利紀、大越克明、蔵前正樹、森年史、鶴田智也^*、S.Thompson^**、江間泰示
無印&* 富士通セミコンダクター株式会社、** SuVolta Inc.

4. (11:00-11:30) 100 億トランジスタのしきい値電圧ばらつき
水谷朋子，Anil Kumar，平本俊郎
東京大学生産技術研究所

昼食 11:30-12:30

5. (12:30-13:00) トライゲートナノワイヤMOSFETにおける自己発熱効果の系統的理解
太田健介、齋藤真澄、田中千加、中林幸雄、沼田敏典
東芝 研究開発センター

6. (13:00-13:30) 引張りひずみ及びMOS界面バッファ層による InxGa1-xAs MOSFETの移動度向上と
その物理的理解
金相賢¹，横山正史¹、田岡紀之¹、中根了昌¹、安田哲二², 市川磨³、福原昇³、秦雅彦³、竹中充¹、高木信一¹
1 東京大学、2 産業総合研究所、3 住友化学

7. (13:30-14:00) 原子スイッチの現状と将来
青野正和、長谷川剛
物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点

8. (14:00-14:30) 物理モデルに基づく高信頼性ReRAMの開発
魏志強、高木剛、神澤好彦、加藤佳一、二宮健生、河合賢、岡俊作、三谷覚、片山幸治、藤井覚、宮永良子、川島良男、三河巧、島川一彦、青野邦年
パナソニック株式会社 先行デバイス開発センター

休憩 14:30-14:40

9. (14:40-15:10) 光学モバイル用途に優れた 㻿㻻㻽（シリコン・オン・クォーツ）デバイス
永田敏雄¹、金丸浩¹、池上正美¹、長友良樹²、半田正人³、中村里克³、内堀邦彦³
1 ラピスセミコンダクタ宮崎株式会社 生産本部 デバイス技術部
2 ラピスセミコンダクタ株式会社 生産本部 デバイス開発部
3 シチズンファインテックミヨタ株式会社 電子デバイス部

10. (15:10-15:40) High-K/Metal Gate MOSFETs における新しいレイアウト依存性
M.Hamaguchi, D.Nair¹, D.Jaeger¹, H.Nishimura, W.Li¹, M-H.Na¹, C.Bernicot⁴, J.Liang³, K.Stahrenberg³, K.Kim3, M.Eller³, K-C.Lee⁵, T.Iwamoto⁷, Y-W.Teh⁶, S.Mori, Y.Takasu, JH Park⁵, L.Song¹, N-S.Kim⁶, S.Kohler⁴, H.Kothari⁴, J-P.Han³, S.Miyake⁷, H.V.Meer⁸, F.Arnaud⁴, K.Barla⁴, M.Sherony¹, R.Donaton¹, M.Celik⁴, K.Miyashita, V.Narayanan², R.Wachnik¹, M.Chudzik¹, J.Sudijono⁶, J.-H.Ku⁵, J.D.Kim⁵, M.Sekine⁷, S.Johnson⁸, W.Neumueller³, R.Sampson⁴, E.Kaste¹, R.Divakaruni¹ and F.Matsuoka⁹
Toshiba Corporation, 1 IBM Semiconductor Research and Development Center, 2 IBM Research Division, T.J.Watson Research Center, 3 Infineon Technologies, 4 STMicroelectronics, 5 Samsung Electronics, 6GLOBALFOUNDRIES Singapore, 7 Renesas Electronics, 8 GLOBALFOUNDRIES, 9 Toshiba America Electronic Components Inc.

11. (15:40-16:10) 低電圧・極低電力 㻯㻹㻻㻿 ロジック回路における回路特性のデバイスパラメータ依存性の評価
更田裕司^*, 安福正^*, 飯田智士^*, 高宮真^*, 野村昌弘^**, 篠原尋史^**, 桜井貴康^*
* 東京大学、 ** 半導体理工学研究センター

12. (16:10-16:50) 総合討論