0.(10:00-10:05)
開会の挨拶

1. (10:05-10:50) 基調講演
BEOLプロセスを用いた超低電圧デバイスの開発
木村 紳一郎
超低電圧デバイス技術研究組合

2. (10:50-11:20)
Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイスの性能評価
久米 一平, 井上 尚也, 肱岡 健一郎, 川原 潤, 武田 晃一, 古武 直也, 白井 浩樹, 風間 賢也,桑原 愼一, 渡會 雅敏, 佐甲 隆, 高橋 寿史, 小倉 卓, 泰地 稔二, 笠間 佳子, 坂本 美里，羽根 正巳，林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス

3. (11:20-1150)
InGaZnOチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化
金子 貴昭, 井上 尚也, 齋藤 忍, 古武 直也, 砂村 潤, 川原 潤, 羽根 正巳, 林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス

■ 昼食 11:50- 13:00

4. (13:00-13:30)
ラマン分光法およびXPSによるSiO2/Si基板上での多層グラフェン成長初期の研究
尾白 佳大, 小川 修一, 犬飼 学, 佐藤 元伸, 池永 栄司, 室 隆桂之, 二瓶 瑞久, 高桑 雄二, 横山 直樹
東北大学多元物質科学研究所

5. (13:30-14:00)
ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜,
清水 秀治 1)2), 嶋 紘平 1), 百瀬 健 1), 小林 芳彦 2), 霜垣 幸浩 1)
大陽日酸 1) , 東京大学 2)

6. (14:00-14:30)
微小流路型反応器を利用した銅めっき液中添加剤作用の解析
齊藤 丈靖, 宮本 豊, 服部 直, 岡本 尚樹, 近藤 和夫
大阪府立大学大学院工学研究科

■ 休憩 14:30-14:55

7. (14:55-15:25)
３次元実装TSVへのコンフォーマル無電解バリアメタルの形成
有馬 良平, 三宅 浩, 井上 史大, 清水 智弘, 新宮原 正三
関西大学理工学研究科

8. (15:25-15:55)
Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係
北田 秀樹 1)2), 前田 展秀 1), 藤本 興冶 1), 児玉 祥一 1), 金 永束 1), 水島 賢子 1)2), 中村 友二 2), 大場 隆之 1)
東京大学 1)、富士通研究所 2)

9. (15:55-16:25)
Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価
中塚 理 1), 北田 秀樹 2), 金 永束 2), 水島 賢子 3), 中村 友二 3), 大場 隆之 2), 財満 鎭明 1)
名古屋大学 1)、東京大学 2)、富士通研究所 3)

0. (16:25-16:30)
閉会の挨拶