11月15日(木)

0. 10:00-10:05
オープニングトーク
廣木 彰 <モデリング研究委員会>

座長　国清 辰也 <ルネサスエレクトロニクス>

1. 10:05-10:55
[招待講演] 2012 SISPAD レビュー ～ 量子輸送，新材料，原子・分子モデリング，その他 ～
鎌倉 良成 <阪大>

2. 10:55-11:45
[招待講演] 2012 SISPADレビュー ～ コンパクトモデル、デバイス(ばらつき、信頼性) ～
飯塚 貴弘 <広島大>

昼食　11:45-13:00

座長　安斎 久浩 <ソニー>

3. 13:00-13:50
[招待講演] SiCパワーデバイス・モジュールの高性能化－低抵抗，高耐熱によるシステムの小型化－
中村 孝、明田 正俊、中野 佑紀、大塚 拓一、花田 俊雄 <ローム>

4. 13:50-14:15
随伴変数法に基づくトポロジー最適化によるパワーデバイスの新設計手法
野村 勝也、近藤 継男、石川 剛、川本 敦史、松森 唯益、杉山 隆英 <豊田中研>

休憩　14:15-14:30

座長　大倉 康幸

5. 14:30-15:20
[招待講演] 高周波帯域雑音計測プローブによるMOSFETの時間揺らぎ特性評価－1/f（低周波）から熱雑音（100 MHz超）まで－
大毛利 健治 <筑波大>

6. 15:20-15:45
ランダム・テレグラフ・ノイズを引き起こす欠陥の種類とその特性
陳 杰智、平野 泉、辰村 光介、三谷 祐一郎 <東芝>

11月16日(金)

座長　石川 清志 <ルネサスエレクトロニクス>

7. 10:00-10:25
20nm以細MOSFETの実効移動度モデルの反転層電荷閉じ込めを考慮した評価
山本 真大、廣木 彰、尹 鍾鐵 <京都工繊大>

8. 10:25-10:50
低エネルギーLSI応用に向けたXCT-SOI CMOSの微細化指針に関する検討
佐藤 大貴、大村 泰久 <関西大>

9. 10:50-11:15
経験的擬ポテンシャル法による4H-SiC MOS反転層の2次元電子状態の計算
渡邊 龍太 1、鎌倉 良成 1,2 <阪大 1、JST CREST 2>

10. 11:15-11:40
離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響　KMCとNEGFによる研究
森 伸也 1,2、植松 真司 2,3、三成 英樹 1,2、ミリニコフ ゲナディ 1,2、伊藤 公平 2,3 <阪大 1、JST CREST 2、慶大 3>

昼食　11:40-13:00

座長　森 伸也 <阪大>

11. 13:00-13:25
立体構造シリコン中の熱輸送に関する分子動力学シミュレーション
図師 知文 1,3、大毛利 健治 2,3、山田 啓作 2,3、渡邉 孝信 1,3<早大 1、筑波大 2、JST CREST 3>

12. 13:25-13:50
現実的分散モデルを用いたSi薄膜中のフォノン輸送モンテカルロシミュレーション
久木田 健太郎 1、鎌倉 良成 1,2 <阪大 1、JST CREST 2>

13. 13:50-14:15
カーボンナノチューブやグラフェンシートの電子バンド構造に及ぼす三次元ひずみ場の影響解析
鈴木 研、大西 正人、三浦 英生 <東北大>

14. 14:15-14:40
Tunnel FETの非局所モデリング　－デバイスモデルと回路モデル－
福田 浩一、森 貴洋、水林 亘、森田 行則、田邊 顕人、昌原 明植、安田 哲二、右田 真司、太田 裕之 <産総研>

休憩　14:40-14:55

座長　林 洋一 <ラピスセミコンダクタ>

15. 14:55-15:20
弾道・準弾道輸送円筒形GAA-MOSFETの回路コンパクトモデルとシミュレーション
程 賀 1,3、宇野 重康 2,3、沼田 達宏 1,3、中里 和郎 1<名大 1、立命館大 2、JST CREST 3>

16. 15:20-15:45
トンネル型トランジスタを用いたシステムLSIとSEAセル型DRAMの設計法
鈴木 良輔、渡辺 重佳 <湘南工科大>

17. 積層型Chain構造PRAM15:45-16:10
加藤 翔、渡辺 重佳 <湘南工科大>

以上