[Grown-in欠陥] 座長：大橋渡氏（新日鐵） １３：００－１５：００

(１)固液界面のV/Gが欠陥発生に与える影響
コマツ電子金属
中村浩三、前田　進、十河慎二、最勝寺俊昭、冨岡純輔

(２)CZ-Si単結晶中の固液界面形状が異なる場合の育成速度に対する各欠陥領域の挙動
住友金属工業(株)
奥井正彦、江頭和幸、伊藤誠人

(３)Grown-in欠陥に析出する炭素とゲート酸化膜耐圧
NTTエレクトロニクス(株)、*NTT、**大阪府立大学
植木武美、*逸見　学、*竹田忠雄、**井上直久

(４)Pピュアシリコンの最近の話題
三菱マテリアルシリコン（株）
降屋　久、室井幸男、小屋　浩

休憩　１５：００－１５：１５

[結晶ウェーハの完全性と制御]　座長：　佐野正和氏（住友金属工業）１５：１５－１７：１５

(５)COPの接合リーク電流に及ぼす影響
(株)東芝セミコンダクター社
新田伸一、永野　元、菅元淳二

(６)高温アニールによる表面完全性制御
新日本製鉄(株)
碇　敦、中井克彦、井上宣治、高橋　淳、横田秀樹、立川昭義

(７)エピタキシャルウェーハにおけるLADの影響
富士通(株)
佐藤俊哉

(８)同位体分離による高熱伝導度シリコン単結晶とその応用
慶応義塾大学
伊藤公平

懇親会　１７：３０から