0. 10:00-10:05
モデリング研究委員会から
廣木 彰 <モデリング研究委員会>

座長 小田嘉則

1. 10:05-10:55
[招待講演] 自己無撞着 GW 近似法の半導体などへの応用；バンド構造や衝突イオン化率等の計算
小谷岳生
<鳥取大学工学部 応用数理工学>

2. 10:55-11:45
[招待講演] グラフェンの電子物性におけるナノスケール・エッジ効果の理論
若林克法
<(独) 物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点>

昼食 11:45-13:00

座長 宇野重康 <立命館大学>

3. 13:00-13:40
シリセン／ゲルマネン／グラフェン FET の電子輸送モデリング（仮）
土屋英昭、兼古志郎、平井秀樹、森規泰
<神戸大学大学院工学研究科 電気電子工学専攻>

4. 13:40-14:20
量子エネルギー輸送モデルを用いた Si, Ge, Ⅲ-Ⅴ n-MOSFET の短チャネル効果の解析
鍾 菁廣 1、小田中 紳二 1、廣木 彰 2
<1 大阪大学サイバーメディアセンター, 2 京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科>

休憩

座長 山川真弥 <ソニー株式会社>

5. 14:30-15:10
半導体/バイオインターフェイス構造の分子動力学法による解明
前川侑毅、澁田靖、坂田利弥
<東京大学大学院工学系研究科>

6. 15:10-15:50
新材料系デバイス回路混合解析
松澤 一也，小田 嘉則，小町 潤，伊藤 浩之，石川 清志
<(株)半導体理工学研究センター>

7. 15:50-16:30
SiC デバイスシミュレーションと第一原理計算技術
(1)デバイスシミュレーション技術、(2)第一原理計算
(1)山口 憲、桑原 匠史、(2)加藤信彦, 西原慧径、岡崎一行
<アドバンスソフト株式会社>

以上