第179回 研究集会
超LSI用途のシリコン単結晶成長およびデバイスプロセスではボイドや析出物などの数十nmオーダーの欠陥制御や、それらの欠陥の起因となる結晶成長時の点欠陥制御が必要不可欠です。そのための研究開発が盛んに行われており、新技術の探索や欠陥形成メカニズムの解明、新規評価技術の確立が求められています。本研究会では、上記課題に関わる学術機関およびシリコンメーカーの研究者に最新の成果をご紹介いただきます。本研究会を通じて、シリコン単結晶成長における点欠陥制御をはじめとする結晶性評価の最先端技術を学び、次世代半導体デバイス対応のシリコンナノテクノロジーの展望について議論したいと考えています。多くの方々のご参加をお待ちしております。
開催場所
学習院大学 南1号館101教室
〒171-8588 東京都豊島区目白1-5-1(JR山手線「目白駅」下車徒歩1分) http://www.gakushuin.ac.jp/univ /etc/access.html| テーマ | 点欠陥に関連したシリコン結晶成長と評価 |
|---|---|
| 参加費 | 通常分科会員 2,000円，応物・協賛会員 2,000円，その他 4,000円 |
| 担当 | 太子敏則（信州大）、泉妻宏治（グローバルウェーハズ・ジャパン） |
| 共催 | 応用物理学会結晶工学分科会、日本学術振興会第145委員会 |
| お問い合わせ先 | 渡邉匡人（学習院大学 理学部 教授） E-mail:masahito.watanabe@gakushuin.ac.jp TEL:03-3986-0221(内6459) |
プログラム
はじめに (13:30-13:35)
(1) 13:35--14:15 X線トポグラフィ、TEMによるSi中の転位評価
○中居克彦（日鉄住金テクノロジー）
(2) 14:15-14:55 パルス光伝導法による酸化膜およびシリコン/酸化膜界面の非接触評価
○古田正昭（熊本大）
(3) 14:55-15:35 高温熱処理によるSiウェーハ表層の特性制御
○須藤治生（グローバルウェーハズ・ジャパン）
休憩（15:35-15:50）
(4) 15:50-16:30 水素を添加したＣＺシリコン結晶中の欠陥形成挙動
○杉村渉（SUMCO）
(5) 16:30-17:10 シリコン単結晶おける点欠陥濃度と欠陥形成挙動
○中村浩三（岡山県立大学）
(6) 17:10-17:50 チョクラルスキー法によるシリコン単結晶成長への数値シミュレーションの適用～三次元横磁場解析や引き上げのダイナミクス解析による点欠陥制御
○飯塚将也（STR Japan）
閉会にあたって (17:50-17:55)