2015年3月2日(月) 10:00-16:00

第180回 研究集会

開催場所

機械技術振興会館 地下3階 研修1号室

http://www.jspmi.or.jp/about/access.html
テーマ 配線・実装技術の新展開
参加費 会員 1,000円, 非会員 2,000円
担当 近藤英一 (山梨大学)
共催 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ シリコン材料・デバイス研究会

プログラム

10:05 単一分子の特性評価を目指したMEMSのバイオ応用
○久米村百子,藤田博之
東京大学生産技術研究所マイクロナノメカトロニクス国際研究センター

10:35 性能スケーラビリティと機能フレキシビリティを実現する三次元FPGAのためのインテグレーション技術
○武田健一,青木真由 日立中研

11:05 チップ間光配線に向けた高密度・アサーマルシリコン光インターポーザ
○中村 隆宏1,賣野 豊1,荒川 泰彦2
1 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)
2 東京大学 生産技術研究所

11:35 エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御
○中塚理,鄧云生,鈴木陽洋,坂下満男,田岡紀之,財満鎭明
名古屋大学大学院工学研究科)

13:05 双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価
○角田浩司,青木正樹,能代英之,射場義久,吉田親子,山崎裕一,高橋厚,畑田明良,中林正明,杉井寿博
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

13:35 選択成長を用いたCNTビアのインテグレーション
磯林厚伸,和田真,伊東伴,斎藤達朗,西出大亮,石倉太志,片桐雅之,山崎雄一,松本貴士,北村政幸,渡邉勝仁,佐久間尚志,○梶田明広,酒井忠司
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

14:25 インターカレーションによる低抵抗多層グラフェン配線の実現
○近藤大雄 1,2,中野美尚 1,周波 1,井亜希子 1,林賢二郎 1,2,高橋誠 1,佐藤信太郎 1,2,横山直樹 1,2
1 産総研,2 富士通研

14:55 めっき銅薄膜配線マイグレーション耐性に及ぼす微細組織の影響
○鈴木研,加藤武瑠,三浦英生
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター

15:25 CVD/ALDを用いたCu(Mn)/Co(W)配線システムの構築と3次元アトムプローブによるサブ ナノ構造・バリヤ性評価
○嶋 紘平1, ツ ユアン2, 韓 斌2, 高見澤 悠2, 清水 秀治1, 清水 康雄2, 百瀬 健1, 井上 耕治2, 永井 康介2, 霜垣 幸浩1
東大院工1,東北大金研2

(以上すべて招待講演)

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