第182回 研究集会
開催場所
名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー ３階ベンチャーホール
≪交通≫名古屋市営地下鉄「名古屋大学」下車 徒歩5分（〒464-8603 名古屋市千種区不老町） http://www.vbl.nagoya-u.ac.jp/access/index.html| テーマ | 新しいデバイス材料とプロセス ～パワーデバイス・2Dチャネル材料～ |
|---|---|
| 参加費 | 分科会会員2,000円、非会員4,000円 |
| 担当 | 喜多浩之 (東大)、影島博之（島根大） |
| 共催 | 電子情報通信学会SDM研究会 |
プログラム
●09：30～11：50 パワーデバイス材料とMOS界面
(1) 09:30 - 09:50
［依頼講演］Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価
○谷田部然治・橋詰 保（北大）
(2) 09:50 - 10:10
［依頼講演］容量過渡分光法によるMOCVD n-GaNのトラップ評価
○徳田 豊（愛知工大）
(3) 10:10 - 10:30
［依頼講演］Al2O3/Ga2O3界面構造とその面方位依存性
○上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT）
－－－ 休憩 （ 20分 ） －－－
(4) 10:50 - 11:10
［依頼講演］3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討
○野口宗隆・岩松俊明・三浦成久・中田修平・山川 聡（三菱電機）
(5) 11:10 - 11:30
［依頼講演］SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性
○森 大輔・井上 慧・寺西秀明・瀧川亜樹・広瀬隆之（富士電機）
(6) 11:30 - 11:50
［依頼講演］SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響
○竹内和歌奈（名大）・山本建策（(株)デンソー）・坂下満男（名大）・金村髙司（(株)デンソー）・中塚 理・財満鎭明（名大）
－－－ 休憩 （ 50分 ） －－－
●12：40～16：30 MOSデバイス・メモリ高性能化 ― 材料・プロセス技術
(7) 12:40 - 13:00
光電子分光法による熱酸化SiO2/4H-SiCの化学結合状態および欠陥準位密度評価
○渡辺浩成・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大）
(8) 13:00 - 13:20
シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算
○川内伸悟・白川裕規・洗平昌晃（名大）・影島愽之（島根大）・遠藤哲郎（東北大）・白石賢二（名大）
(9) 13:20 - 13:40
Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性
○加藤祐介・荒井 崇・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大）
(10) 13:40 - 14:00
ALDおよびECRプラズマ酸化による酸化膜固定電荷密度の制御
○永冨雄太・田中慎太郎・長岡裕一・山本圭介・王 冬・中島 寛（九大）
－－－ 休憩 （ 15分 ） －－－
(11) 14:15 - 14:35
メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明
○岡 博史・箕浦佑也・淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大）
(12) 14:35 - 14:55
金属/超高Sn組成SnxGe1-x/Ge構造における電気伝導特性
○鈴木陽洋（名大）・柴山茂久（東大）・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大）
(13) 14:55 - 15:15
Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果
○浅野孝典・柴山茂久・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理（名大）・財満鎭明（名大エコトピア）
(14) 15:15 - 15:35
PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性
○栗島一徳・生田目俊秀（明大/物材機構）・塚越一仁・大井暁彦・知京豊裕（物材機構）・小椋厚志（明大）
－－－ 休憩 （ 15分 ） －－－
(15) 15:50 - 16:10
Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO ased thin film transistor fabrication process
○Keisuke Kado・Mutsunori Uenuma・Kriti Sharma・Haruka Yamazaki・Satoshi Urakawa・Yasuaki Ishikawa・Yukiharu Uraoka（NAIST）
(16) 16:10 - 16:30
極薄Al2O3/SiO2 hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善
吉田啓資・○竹内正太郎・中村芳明・酒井 朗（阪大）
●16：30～17：30 2Dチャネル材料とデバイス
(17) 16:30 - 16:50
［依頼講演］二層グラフェンのバンドギャップ形成と電極接触抵抗
○野内 亮（阪府大）
(18) 16:50 - 17:10
［依頼講演］原子薄膜の電気的極性可変トランジスタ
○中払 周（物材機構）・飯島智彦・小川真一・八木克典・原田直樹・林 賢二郎・近藤大雄・高橋 慎（産総研）・黎 松林・山本真人・林 彦甫（物材機構）・上野啓司（埼大）・塚越一仁（物材機構）・佐藤信太郎・横山直樹（産総研）
(19) 17:10 - 17:30
［依頼講演］High-k/MetalゲートMoS2 MOSFETの試作と評価
○森 貴洋（産総研）・二之宮成樹（横国大）・内田紀行・久保利隆（産総研）・渡辺英一郎・津谷大樹・森山悟士（物材機構）・田中正俊（横国大）・安藤 淳（産総研）