2015年11月5日(木),6日(金) 10:00-15:20,11:00-15:20
第185回 研究集会
| テーマ | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
|---|---|
| 参加費 | 分科会員 2000円、非分科会員 4000円 |
| オーガナイザー | 国清辰也 <ルネサスエレクトロニクス_SDM>, 廣木 彰 <京都工芸繊維大学> |
| 担当 | 宇野 重康 <立命館大学>, 林 洋一 <ラピスセミコンダクタ> |
| 共催 | 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM) |
プログラム
11月5日(木)
1. 10:00-10:50［招待講演］半導体における不純物拡散モデリングの現状
○植松真司（慶大）
休憩 10:50-11:00
2. 11:00-11:25 バルクCMOSにおけるシングルイベントラッチアップに対するDeep P-wellの効果
○加藤貴志・松山英也（SNI）
3. 11:25-11:50 モンテカルロ法による超高速イメージセンサの解析
○南谷夏海（阪大）・Vu Truon Son Dao・下ノ村和弘・江藤剛治（立命館大）・鎌倉良成・森 伸也（阪大）
昼食 11:50-13:30
4. 13:30-14:20［招待講演］SISPAD 2015 レビュー
○三成英樹（ソニー）
休憩 14:20-14:30
5. 14:30-15:20［招待講演］SISPAD2015レビュー
○國清辰也（ルネサス エレクトロニクス）
11月6日(金)
6. 11:00-11:50［招待講演］歪みグラフェンを用いたディラック電子エンジニアリング素子のシミュレーション
○相馬聡文・田中未来・市原圭祐・迫田翔太郎・笹岡健二・小川真人（神戸大）
昼食 11:50-13:30
7. 13:30-14:20［招待講演］Si基板上GaNパワーデバイスと電力変換機器への応用
○石田秀俊・石田昌宏・上田哲三（パナソニック）
休憩 14:20-14:30
8. 14:30-15:20［招待講演］界面準位が4H-SiC MOSFETのスイッチング動作に与える影響について
○酒井 敦・永久克己・園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス）・久田賢一・新井耕一・山本陽一（ルネサス）・谷沢元昭・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）
以上