第19回 研究集会
開催場所
東京工業大学（大岡山） 大岡山西5号館W531講義室
(東京都目黒区大岡山) 最寄駅:東急大井町線大岡山駅から徒歩５分 https://annex.jsap.or.jp/silicon/shousai/img/campus(Si20).gif| テーマ | 接合技術 1 |
|---|---|
| 主催 | 応物物理学会シリコンテクノロジー分科会（ULSIデバイス研究委員会、モデリング研究会） 共同主催：IEEE EDS Japan Chapter、ECS Japan Local Section |
| 共催 | 電子情報通信学会シリコン材料デバイス研究会、学術振興会議第131委員会、学術振興会議 超集積化デバイス・システム第165委員会、SELETE、SEMI、STARC |
| 協賛 | 電気学会電子デバイス技術研究会、半導体技術ロードマップ委員会 |
プログラム
8:30 ～ 受け付け
9:00 ～ 9:10 研究会発足趣意説明
9:10 ～ 9:40 海外招待講演
Limits of ultra shallow junctions by implantation and rapid thermal annealing
Aditya Agarwal（Axcelis Technologies）
9:40 ～ 10:10 拡散技術のロードマップ概観－ ITRS 99より
河村誠一郎（富士通）
10:10 ～ 10:30 休憩
10:30 ～ 11:00 デバイスから見た拡散技術への要求
木村紳一郎（日立）
11:00 ～ 11:30 各種拡散技術の比較と今後の動向
小柳光正（東北大学）
11:30 ～ 13:00 昼食
13:00 ～ 13:30 Low Energy Ion Implantation and USJ Technology
伊藤裕之（AMAT Japan）
13:30 ～ 14:00 Sb+注入による極浅接合形成
芝原健太郎（広島大学）
14:00 ～ 14:30 プラズマドーピング
水野文二（松下電器産業）
14:30 ～ 14:50 休憩
14:50 ～ 15:20 シリコン基板中の不純物原子拡散モデリングの最近の動向
谷口研二（大阪大学）
15:20 ～ 15:50 ２次元不純物プロファイル測定の現状と将来
国宗依信 (NEC)
15:50 ～ 16:20 超低抵抗コンタクトとシリサイド
財満鎭明（名古屋大学）
16:20 ～ 16:50 固相拡散を用いたシングルドレイン積み上げ拡散層の形成
中野雅行（シャープ)
17:15 ～ 18:30 懇親会