(0) 10:00 - 10:05
モデリング研究委員会から
○廣木 彰 (モデリング研究委員会)

(1) 10:05 - 10:45
NRA(Nuclear Reaction Analysis)法を使った水素分布抽出について
○東悠介1, 高石理一郎1, 鈴木正道1, 中崎靖1, 富田充裕1, 三谷祐一郎1, 松本益明2, 加藤弘一2, 小倉正平2, 福谷克之2 (1 (株)東芝研究開発センター, 2 東京大学 生産技術研究所)

(2) 10:45 - 11:25
高不純物濃度Siナノ構造中における不純物のイオン化エネルギーの解析
○田中貴久1，黒澤裕也2，角谷直哉2，高橋綱己1，小田俊理2，内田建1 (1 慶應義塾大学，2 東京工業大学)

昼食　11:25 - 13:00

(3) 13:00 - 13:40
GaN デバイスにおける電圧依存性容量モデルの検討
○谷島琢磨, 中野誠彦 (慶應義塾大学)

(4) 13:40 - 14:20
非常に狭いメサ構造をもつSi-IGBTのスケーリング限界について
○永久克己1、酒井敦1、松浦仁2、中沢芳人2、秋山豊1、山口泰男1 (1 ルネサスエレクトロニクス、2 ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング)

(5) 14:20 - 14:40
フルバンドモンテカルロ法による4H-SiCのホットキャリア輸送解析
○藤田流星1、小長晃輔1、上岡良季1、小谷岳生2、鎌倉良成1、森伸也1 (1 大阪大学大学院工学研究科、2 鳥取大学大学院工学研究科)

休憩　14:40 - 15:00

(6) 15:00 - 15:40
ISFETの微細化に界面電荷が与える影響のシミュレーション
○松澤一也 (東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー)

(7) 15:40 - 16:20
メニィコア時代の3次元ドリフト拡散モデルの並列化手法
○鍾菁廣、小田中紳二 (大阪大学サイバーメディアセンター)

(8) 16:20 - 17:00
マルチ電荷収集ゲート構造をもつ超高速撮像素子のクロストーク解析
○Anh Quang Nguyen1, Vu Truing Son Dao2, 下ノ村和弘1，鎌倉良成3，江藤剛治3 (1 立命館大学，2 Ho Chi Minh City International University，3 大阪大学)