第195回 研究集会
| テーマ | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
|---|---|
| 参加費 | 分科会員 2000円、非分科会員 4000円 |
| オーガナイザー | 国清辰也 <ルネサスエレクトロニクス_SDM>, 廣木 彰 <京都工芸繊維大学> |
| 担当 | 宇野 重康 <立命館大学>, 林 洋一 <ラピスセミコンダクタ> |
| 共催 | 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM) |
プログラム
11月10日(木)
(1) 10:00 - 11:00
［招待講演］SISPAD 2016レビュー (1)
○園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス）
(2) 11:00 - 12:00
［招待講演］SiC トレンチ型DMOS（TED MOS）のチャネル特性に関する研究
○手賀直樹・久本 大・島 明生・嶋本泰洋（日立）
昼食（ 90分 ）
(3) 13:30 - 14:30
［招待講演］Potential and Prospects of Low-Energy SOI Devices in Sensor Network Era
○Yasuhisa Omura（Kansai Univ.）
(4) 14:30 - 15:30
［招待講演］フリーキャリア密度に依存したGeのバンドギャップとフォノン周波数 ～ 半導体のバンドは本当に『リジッド』なのか？ ～
○株柳翔一・鳥海 明（東大）
休憩 （ 10分 ）
(5) 15:40 - 16:40
［招待講演］ISFETの構造が感度に与える影響のシミュレーション
○松澤一也（東芝）
11月11日(金)
(6) 10:00 - 11:00
［招待講演］SISPAD 2016 レビュー(2)
○鎌倉良成（阪大）
(7) 11:00 - 12:00
［招待講演］ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイス開発に資するシミュレーション研究
○望月和浩（産総研）
昼食（ 90分 ）
(8) 13:30 - 14:30
［招待講演］チャージポンピング法による単一MOS界面トラップの個別検出と解析 ～ 原子スケールの視点で新たなトラップ物理を目指して ～
○土屋敏章（島根大）
(9) 14:30 - 15:30
［招待講演］高品位Si，Ge基板の開発に資する第一原理計算 ～ 大口径結晶成長中の点欠陥制御から基板熱処理中の不純物ゲッタリングまで ～
○末岡浩治（岡山県立大）
休憩（ 10分 ）
(10) 15:40 - 16:05
ダブルゲート構造における自己無撞着モンテカルロシミュレーション
○坂本 萌・六郷泰昭・佐野伸行（筑波大）
(11) 16:05 - 16:30
a-Si pin太陽電池の自己無撞着シミュレーションとキャリアの捕獲生成過程の物理機構
○鈴木 東（筑波大）・吉田勝尚（東大）・佐野伸行（筑波大）
以上