10:00-10:30
等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上
森 貴洋, 浅井栄大, 服部淳一, 福田浩一, 大塚慎太郎, 森田行則, 大内真一,
更田裕司, 右田真司, 水林 亘, 太田裕之, 松川 貴
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

10:30-11:00
Ge/III-V族半導体を用いたトンネルFET技術
高木信一, 安 大煥, 野口宗隆, 後藤高寛, 西 康一, 金 閔洙, 竹中充一
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻所

11:00-11:30
Experimental Study on Polarization-Limited Operation Speed of
Negative Capacitance FET with Ferroelectric HfO2
小林正治, 上山 望, ? 京珉, 平本俊郎
東京大学生産技術研究所

11:30-12:00
サブ10 nm世代負性容量FinFETのデバイスシミュレーション
太田裕之¹, 池上 勉¹, 服部淳一¹, 福田浩一¹, 右田真司¹, 鳥海 明^2
1 国立研究開発法人 産業技術総合研究所，² 東京大学大学院 工学研究科

昼食（12:00-13:30）

13:30-14:00
16/14 nmノード以降においける高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向け
FinFET Split-Gate MONOS
津田是文¹, 川嶋祥之¹, 園田賢一郎¹, 吉冨敦司¹, 三原竜善¹, 鳴海俊一¹,
井上真雄¹, 村中誠志¹, 丸山隆弘¹, 山下朋弘¹, 山口泰男¹, 久本 大^2
1 ルネサス エレクトロニルネサス, ² 日立製作所

14:00-14:30
電圧トルクMRAM(VCM)向け読み出し/書き込み回路と大容量キャッシュメモリへの応用
塩田陽一¹, 野口紘希² ,池上一隆² , 安部恵子² , 藤田忍² , 野崎隆行¹, 湯浅新治¹, 鈴木義茂^3
1 産業技術総合研究所 スピントロニクス研究センター, ² 株式会社東芝 研究開発センター，
³ 大阪大学大学院 基礎工学研究科 物質創成専攻

14:30-15:00
超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ
輿田博明, 下村尚治, 大沢裕一, 白鳥聡志, 加藤侑志, 井口智明, 上口裕三,
ブヤンダライ, アルタンサガイ, 斉藤好昭, 鴻井克彦, 杉山英行, 及川壮一,
清水真理子, 石川瑞恵, 池上一隆, 黒部 篤
(株)東芝 研究開発センター

休憩（15:00-15:30）

15:30-16:00
General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation
L. Xu¹, S. Shibayama¹, K. Izukashi¹, T. Nishimura¹, T. Yajima¹, S. Migita², A. Toriumi^1
1 Department of Materials Engineering, The University of Tokyo
² National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

16:00-16:30
多様化するアナログ信号処理に向けた新規機能性受動素子
－VO2揮発性スイッチの作製と応用－
矢嶋赳彬, 西村知紀, 鳥海 明
東京大学大学院 工学系研究科 マテリアル工学専攻