2017年11月9日(木) - 10日(金) 10：00～16：40
第202回 研究集会
開催場所
機械振興会館
〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8 東京メトロ日比谷線 神谷町駅下車 徒歩8分 http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html| テーマ | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
|---|---|
| 参加費 | 分科会員 2,000円、非分科会員 4,000円 |
| 担当 | 相馬 聡文（神戸大学）、高篠 裕行（ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング） |
| 共催 | 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM) |
プログラム
11月9日(木) 午前 （10：00～12：00）
(1) 10:00 - 11:00
［招待講演］GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション
○白石賢二・関口一樹・長川健大・白川裕規・川上賢人・山本芳裕・洗平昌晃・芳松克則（名大）・ 寒川義裕・柿本浩一（九大）
(2) 11:00 - 12:00
［招待講演］SISPAD 2017 レビュー（1）
○廣木 彰（京都工繊大）
－－－ 昼食 （ 65分 ） －－－
11月9日(木) 午後 （13：05～16：40）
(3) 13:05 - 13:30
p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討
○酒井 敦・永久克己・藤井宏基・森 隆弘・秋山 豊・山口泰男（ルネサス）
(4) 13:30 - 14:30
［招待講演］SiC中の不純物拡散モデル
○植松真司（慶大）
(5) 14:30 - 15:30
［招待講演］SiCパワーMOSFETの特性測定とモデル化
○佐藤高史・大石一輝・廣本正之（京大）・新谷道広（奈良先端大）
－－－ 休憩 （ 10分 ） －－－
(6) 15:40 - 16:40
［招待講演］深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション
○福田浩一・浅井栄大・服部淳一・清水三聡（産総研）・橋詰 保（北大）
11月10日(金) （10：00～16：40）
(7) 10:00 - 11:00
［招待講演］SISPAD 2017 レビュー（2）
○来栖貴史（東芝メモリ）
(8) 11:00 - 12:00
［招待講演］不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 ～ ランダム不純物ばらつきと自己平均化 ～
○佐野伸行（筑波大）
－－－ 昼食 （ 90分 ） －－－
(9) 13:30 - 14:30
［招待講演］極微細トランジスタの量子輸送シミュレーション
○森 伸也・美里劫夏南（阪大）・岩田潤一・押山 淳（東大）
(10) 14:30 - 15:30
［招待講演］行列指数法によるデバイス過渡シミュレーションの正確な時間刻み指標
○熊代成孝・亀井達也・廣木 彰・小林和淑（京都工繊大）
－－－ 休憩 （ 10分 ） －－－
(11) 15:40 - 16:40
［招待講演］トラップ電荷起因抵抗を考慮した28nm世代混載フラッシュ向けSG-MONOS SPICEモデル
○黄 俐昭・宮森 充・常野克己・牟田哲也・川嶋祥之（ルネサス エレクトロニクス）
(1) 10:00 - 11:00
［招待講演］GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション
○白石賢二・関口一樹・長川健大・白川裕規・川上賢人・山本芳裕・洗平昌晃・芳松克則（名大）・ 寒川義裕・柿本浩一（九大）
(2) 11:00 - 12:00
［招待講演］SISPAD 2017 レビュー（1）
○廣木 彰（京都工繊大）
－－－ 昼食 （ 65分 ） －－－
11月9日(木) 午後 （13：05～16：40）
(3) 13:05 - 13:30
p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討
○酒井 敦・永久克己・藤井宏基・森 隆弘・秋山 豊・山口泰男（ルネサス）
(4) 13:30 - 14:30
［招待講演］SiC中の不純物拡散モデル
○植松真司（慶大）
(5) 14:30 - 15:30
［招待講演］SiCパワーMOSFETの特性測定とモデル化
○佐藤高史・大石一輝・廣本正之（京大）・新谷道広（奈良先端大）
－－－ 休憩 （ 10分 ） －－－
(6) 15:40 - 16:40
［招待講演］深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション
○福田浩一・浅井栄大・服部淳一・清水三聡（産総研）・橋詰 保（北大）
11月10日(金) （10：00～16：40）
(7) 10:00 - 11:00
［招待講演］SISPAD 2017 レビュー（2）
○来栖貴史（東芝メモリ）
(8) 11:00 - 12:00
［招待講演］不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 ～ ランダム不純物ばらつきと自己平均化 ～
○佐野伸行（筑波大）
－－－ 昼食 （ 90分 ） －－－
(9) 13:30 - 14:30
［招待講演］極微細トランジスタの量子輸送シミュレーション
○森 伸也・美里劫夏南（阪大）・岩田潤一・押山 淳（東大）
(10) 14:30 - 15:30
［招待講演］行列指数法によるデバイス過渡シミュレーションの正確な時間刻み指標
○熊代成孝・亀井達也・廣木 彰・小林和淑（京都工繊大）
－－－ 休憩 （ 10分 ） －－－
(11) 15:40 - 16:40
［招待講演］トラップ電荷起因抵抗を考慮した28nm世代混載フラッシュ向けSG-MONOS SPICEモデル
○黄 俐昭・宮森 充・常野克己・牟田哲也・川嶋祥之（ルネサス エレクトロニクス）