2019年11月7日(木)-11月8日(金)
第219回研究集会
皆様のご参加、お待ちしております。
開催場所
機械振興会館 地下3F B3-2会議室
東京メトロ日比谷線・・・・・・・神谷町駅下車 徒歩8分都営地下鉄三田線・・・・・・・・御成門駅下車 徒歩8分
都営地下鉄大江戸線・・・・・・・赤羽橋駅下車 徒歩10分
都営地下鉄浅草線・大江戸線・・・大門駅下車 徒歩10分
ＪＲ山手線・京浜東北線・・・・・浜松町駅下車 徒歩15分 http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html
| テーマ | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
|---|---|
| 参加費 | シリテク分科会会員 3,000円 応物本会のみ会員 6,000円 非会員 6,000円 学生 2,000円（聴講のみの場合無料） |
| 共催 | 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス(SDM)研究会 |
プログラム
11月7日(木)
(1) 10:00-11:00
［招待講演］SISPAD2019レビュー
鎌倉良成（阪工大）
(2) 11:00-12:00
［招待講演］強誘電体HfO2トンネル接合メモリのスケーラビリティに関する検討
小林正治・莫 非・多川友作・更屋拓哉・平本俊郎（東大）
(3) 13:10-14:10
［招待講演］2次元層状トランジスタの界面の理解と制御
長汐晃輔（東大）
(4) 14:10-15:10
［招待講演］ビーム実験による原子スケールプロセスにおける表面反応解析
唐橋一浩・伊藤智子・浜口智志（阪大）
(5) 15:20-16:20
［招待講演］Compact Modeling Bridging Industrial Applications
Mitiko Miura-Mattausch（HU）
(6) 16:20-16:45
3Dフラッシュメモリの製造技術を用いた積層型論理回路の設計法
～ 全加算器の設計法、低消費電力設計法 ～
鈴木章矢・渡辺重佳（湘南工科大）
11月8日(金)
(7) 09:30-10:30
［招待講演］強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション
服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研）
(8) 10:30-11:30
［招待講演］不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 II ～ 半導体ナノ構造におけるランダム不純物～
佐野伸行（筑波大）
(9) 11:30-12:30
［招待講演］SiC酸化プロセスの第一原理分子動力学解析
大野隆央（物質・材料研究機構）
(10) 13:30-14:30
［招待講演］トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション
渡辺正裕・執行直之・星井拓也・古川和由・角嶋邦之（東工大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝デバイス&ストレージ）・更屋拓哉・高倉俊彦・伊藤一夫・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・宗田伊里也・若林 整（東工大）・中島 昭（産総研）・西澤伸一（九大）・筒井一生（東工大）・平本俊郎（東大）・大橋弘通・岩井 洋（東工大）
(11) 14:30-15:30
［招待講演］6.5kV IGBTにおける飽和電流とテール電流のTCADキャリブレーションの方法と考察
諏訪剛史・早瀬茂昭（東芝デバイス&ストレージ）
(12) 15:40-16:40
［招待講演］先進CMOSイメージセンサ開発へ向けたRTSノイズの計測・解析技術
黒田理人（東北大）
(1) 10:00-11:00
［招待講演］SISPAD2019レビュー
鎌倉良成（阪工大）
(2) 11:00-12:00
［招待講演］強誘電体HfO2トンネル接合メモリのスケーラビリティに関する検討
小林正治・莫 非・多川友作・更屋拓哉・平本俊郎（東大）
(3) 13:10-14:10
［招待講演］2次元層状トランジスタの界面の理解と制御
長汐晃輔（東大）
(4) 14:10-15:10
［招待講演］ビーム実験による原子スケールプロセスにおける表面反応解析
唐橋一浩・伊藤智子・浜口智志（阪大）
(5) 15:20-16:20
［招待講演］Compact Modeling Bridging Industrial Applications
Mitiko Miura-Mattausch（HU）
(6) 16:20-16:45
3Dフラッシュメモリの製造技術を用いた積層型論理回路の設計法
～ 全加算器の設計法、低消費電力設計法 ～
鈴木章矢・渡辺重佳（湘南工科大）
11月8日(金)
(7) 09:30-10:30
［招待講演］強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション
服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研）
(8) 10:30-11:30
［招待講演］不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 II ～ 半導体ナノ構造におけるランダム不純物～
佐野伸行（筑波大）
(9) 11:30-12:30
［招待講演］SiC酸化プロセスの第一原理分子動力学解析
大野隆央（物質・材料研究機構）
(10) 13:30-14:30
［招待講演］トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション
渡辺正裕・執行直之・星井拓也・古川和由・角嶋邦之（東工大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝デバイス&ストレージ）・更屋拓哉・高倉俊彦・伊藤一夫・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・宗田伊里也・若林 整（東工大）・中島 昭（産総研）・西澤伸一（九大）・筒井一生（東工大）・平本俊郎（東大）・大橋弘通・岩井 洋（東工大）
(11) 14:30-15:30
［招待講演］6.5kV IGBTにおける飽和電流とテール電流のTCADキャリブレーションの方法と考察
諏訪剛史・早瀬茂昭（東芝デバイス&ストレージ）
(12) 15:40-16:40
［招待講演］先進CMOSイメージセンサ開発へ向けたRTSノイズの計測・解析技術
黒田理人（東北大）