2022年6月21日(火) 13:00-18:00
第235回 研究集会
開催場所
名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー（VBL）3F ベンチャーホール
| テーマ | MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術 |
|---|---|
| 参加費 | シリコン継続会員，シリコンテクノロジー特別会員・賛助会員 無料 シリテク分科会会員 2,000円 その他 4,000円 学生 2,000円 |
| 主催 | 表面・界面・シリコン材料研究委員会 |
| 共催 | 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（SDM） |
プログラム
(1) 13:00-13:40
［招待講演］酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性
○柴山茂久・土井拓馬・坂下満男・田岡紀之（名大）・清水三聡（産総研）・中塚 理（名大）
(2) 13:40-14:00
多層量子ドット構造実現に向けた絶縁体上へのGe1-xSnxナノドットの自己形成
○橋本 薫・柴山茂久・安坂幸師・中塚 理（名大）
(3) 14:00-14:20
金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響
○安田 航・田岡紀之・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一（名大）
−−− 14:20-14:30 休憩（ 10分 ） −−−
(4) 14:30-15:10
［依頼講演］オペランド・ナノX線分光を活用した次世代高周波デバイス研究
○吹留博一（東北大）
(5) 15:10-15:50
［依頼講演］TMD混晶の物性と新規低温CVD原料の探索
○小椋厚志・横川 凌（明大理工/MREL）・若林 整（東工大）
(6) 15:50-16:30
［依頼講演］遷移金属カルコゲン化合物ヘテロ構造体の電子物性
○丸山実那（筑波大）
−−− 16:30-16:40 休憩（ 10分 ） −−−
(7) 16:40-17:20
［招待講演］WSe2 n/p
FETsを用いた低電圧動作CMOSインバータ
○川那子高暢・松﨑貴広・梶川亮介・宗田伊理也・星井拓也・角嶋邦之・筒井一生・若林 整（東工大）
(8) 17:20-17:40
SiO2上へのニッケルシリサイド薄膜形成とその表面形態・結晶相制御
○木村圭佑・田岡紀之・西村駿介・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一（名大）
(9) 17:40-18:00
Si(111)上のAl(111)薄膜形成と熱処理によるSi原子の表面偏析制御
○酒井大希・松下圭吾・大田晃生・田岡紀之・牧原克典・宮﨑誠一（名大）
［招待講演］酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性
○柴山茂久・土井拓馬・坂下満男・田岡紀之（名大）・清水三聡（産総研）・中塚 理（名大）
(2) 13:40-14:00
多層量子ドット構造実現に向けた絶縁体上へのGe1-xSnxナノドットの自己形成
○橋本 薫・柴山茂久・安坂幸師・中塚 理（名大）
(3) 14:00-14:20
金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響
○安田 航・田岡紀之・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一（名大）
−−− 14:20-14:30 休憩（ 10分 ） −−−
(4) 14:30-15:10
［依頼講演］オペランド・ナノX線分光を活用した次世代高周波デバイス研究
○吹留博一（東北大）
(5) 15:10-15:50
［依頼講演］TMD混晶の物性と新規低温CVD原料の探索
○小椋厚志・横川 凌（明大理工/MREL）・若林 整（東工大）
(6) 15:50-16:30
［依頼講演］遷移金属カルコゲン化合物ヘテロ構造体の電子物性
○丸山実那（筑波大）
−−− 16:30-16:40 休憩（ 10分 ） −−−
(7) 16:40-17:20
［招待講演］WSe2 n/p
FETsを用いた低電圧動作CMOSインバータ
○川那子高暢・松﨑貴広・梶川亮介・宗田伊理也・星井拓也・角嶋邦之・筒井一生・若林 整（東工大）
(8) 17:20-17:40
SiO2上へのニッケルシリサイド薄膜形成とその表面形態・結晶相制御
○木村圭佑・田岡紀之・西村駿介・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一（名大）
(9) 17:40-18:00
Si(111)上のAl(111)薄膜形成と熱処理によるSi原子の表面偏析制御
○酒井大希・松下圭吾・大田晃生・田岡紀之・牧原克典・宮﨑誠一（名大）