(1) 13:00～13:05
分科会幹事からのアナウンス

(2) 13:05～13:35
ゲート分断型半円構造セルの課題とその改善による3次元フラッシュメモリの超高ビット密度化
諸岡 哲（キオクシア）

(3) 13:35～14:05
高性能IoTマイコン向け22nmロジック混載STT-MRAMの高速読み出し、高速書き換え回路技術の開発
渡辺 源太（ルネサスエレクトロニクス）

(4) 14:05～14:35
極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響
岡 博史（産総研）

(5) 14:35～15:05
スピン量子ビット読み出し向け極低温で動作するCMOS電流比較回路
更田 裕司（産総研）

−−−　休憩（ 15分 ）　−−−

(6) 15:20～15:50
ナノシートCMOS性能バランス整合に向け異種面方位が集積したGe CFETの開発
張 文馨（産総研）

(7) 15:50～16:20
サブミクロン画素CMOSイメージセンサ対応の低ノイズマルチゲート画素トランジスタ
本庄 亮子（ソニーセミコンダクタソリューションズ）

(8) 16:20～16:50
飽和信号量と量子効率の向上を可能にする2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー
西田 水輝（ソニーセミコンダクタソリューションズ）

(9) 16:50～17:20
2022 VLSI Symposiumを振り返って
宮下 桂（東芝デバイス&ストレージ）

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