(1) 13:05-13:40
「新世代Si-IGBTの開発～量産可能な両面ゲートIGBTの技術開発と性能向上への取り組み～」
東京大学 生産技術研究所　更屋 拓哉, 平本 俊郎

(2) 13:35～14:05
「Si-IGBTのポテンシャルを伸ばすマルチゲートIGBT（仮）」
株式会社 東芝 研究開発センター 先端デバイス研究所 電子デバイスラボラトリー　坂野 竜則

(3) 14:15-14:50
「プロトン照射を用いたドーピング技術ーシリコンウエハ中不純物の影響評価に関してー（仮）」
三菱電機株式会社　先端技術総合研究所　清井 明

−−−　休憩（14:50-15:00）−−−

(4) 15:00-15:35
「電気物性SPMによるIGBTの解析事例、およびキャリア濃度分布の定量化に向けた取り組み」
株式会社 東レリサーチセンター　松村 浩司

(5) 15:35-16:10
「液体窒素温度／室温PLによる Si結晶中の微量炭素定量と CiOi欠陥の評価」
JAXA 宇宙科学研究所、NPERC-J、明治大学　田島 道夫

(6) 16:10-16:45
「チョクラルスキー法によって育成した低酸素濃度・窒素ドープシリコン単結晶の欠陥形成挙動（仮）」
株式会社SUMCO　梶原 薫

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