10:00 - 10:10
挨拶 & SDM研究会若手優秀発表賞表彰式（ 10分 ）

1) 10:10 - 10:50
［記念講演］表面ラフネス散乱の非線形モデルに基づく極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計
○隅田 圭・姜 旼秀・陳 家驄・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一（東大）

2) 10:50 - 11:30
［記念講演］極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響
○岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森 貴洋（産総研）

3) 11:30 - 11:50
自己組織化単分子膜を用いた極薄SiO2/SiC界面特性の評価
○奥平 諒（関西学院大）・川那子高暢（東工大）・細井卓治（関西学院大）

4) 11:50 - 12:10
FeナノドットへのSiH4照射がシリサイド化反応に及ぼす影響
○斎藤陽斗・牧原克典・谷田 駿・田岡紀之・宮﨑誠一（名大）

5) 12:10 - 12:30
熱酸化Zr/Hf多重積層構造の結晶構造および強誘電特性評価
○佐野友之輔（名大）・田岡紀之（愛知工大）・牧原克典（名大）・大田晃生（福岡大）・宮﨑誠一（名大）

−−−　12:30 - 13:30　休憩（ 60分 ） −−−

6) 13:30 - 14:10
［依頼講演］オペランドレーザー励起光電子顕微鏡による強誘電体キャパシタの非破壊イメージングの開拓
○藤原弘和・糸矢祐喜・小林正治・バレイユ セドリック・辛 埴・谷内敏之（東大）

7) 14:10 - 14:50
［依頼講演］結晶相転移接合トランジスタの実証
○冨岡克広・勝見 悠・本久順一（北大）

8) 14:50 - 15:30
［招待講演］加熱その場高分解能TEMを用いた薄膜Si固相結晶化過程の原子スケールリアルタイム観察 ～ 多結晶Siチャネル高性能化に向けて ～
○手面 学・浅野孝典・高石理一郎・富田充裕・齋藤真澄・田中洋毅（キオクシア㈱）

★研究会終了後、広島大学・ナノデバイス研究所見学（希望者対象）