2023年8月25日(金) 13:05〜17:25
第245回 研究集会
開催場所
金沢工業大学虎ノ門キャンパス （東京都港区愛宕1-3-4 愛宕東洋ビル 13階 1301室）
※ 対面（先着100名）とオンライン（Zoom予定）のハイブリッド開催。学生の皆様は、現地参加も含めて無料といたします。ただし、会場収容人数の制約もあり現地参加のみ先着順といたします。| テーマ | VLSIシンポジウム特集 |
|---|---|
| 参加費 | ・シリテク分科会会員 2,000円 ・その他 4,000円 ・学生 無料（但し、現地参加希望者は先着順で、人数制限あり） ・シリコン継続会員，シリコンテクノロジー分科会特別会員・賛助会員 無料 |
| 主催 | 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 |
プログラム
1) 13:05～13:10
分科会幹事からのアナウンス
2) 13:10～13:40
FeFET特性に与えるHZO厚スケーリングの効果と低電圧での疲労回復現象：界面劣化から強誘電体疲労への劣化機構の変化
蔡 作成（東京大学）
3) 13:40～14:10
高層3Dフラッシュメモリに対応する垂直SiチャネルのMILC技術
石原 典隆（キオクシア）
4) 14:10～14:40
次世代3D NAND Flashに対応した超高速・低環境負荷・超深穴加工を実現する新エッチング技術
木原 嘉英（東京エレクトロン宮城）
5) 14:40～15:10
Si CMOS上にモノリシック積層可能な1層のPlanar FETと2層のVertical FETの異種酸化物半導体を用いた1Mbit 1T1C 3D DRAM
岡本 佑樹（半導体エネルギー研究所）
−−− 休憩15分 −−−
6) 15:25～15:55
3次元集積デバイス応用に向けた原子層堆積法によるInGaOxナノシートトランジスタ
日掛 凱斗（東京大学）
7) 15:55～16:25
ノンドープPixel-FinFETsを用いた2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサーにおけるノイズ改善
菊池 善明（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
8) 16:25～16:55
短チャネルMOSFETsの極低温動作時に発生する低周波ノイズ源の同定
稲葉 工（産総研）
9) 16:55～17:25
2023 VLSI Symposiumを振り返って
宮下 桂（東芝デバイス&ストレージ）
分科会幹事からのアナウンス
2) 13:10～13:40
FeFET特性に与えるHZO厚スケーリングの効果と低電圧での疲労回復現象：界面劣化から強誘電体疲労への劣化機構の変化
蔡 作成（東京大学）
3) 13:40～14:10
高層3Dフラッシュメモリに対応する垂直SiチャネルのMILC技術
石原 典隆（キオクシア）
4) 14:10～14:40
次世代3D NAND Flashに対応した超高速・低環境負荷・超深穴加工を実現する新エッチング技術
木原 嘉英（東京エレクトロン宮城）
5) 14:40～15:10
Si CMOS上にモノリシック積層可能な1層のPlanar FETと2層のVertical FETの異種酸化物半導体を用いた1Mbit 1T1C 3D DRAM
岡本 佑樹（半導体エネルギー研究所）
−−− 休憩15分 −−−
6) 15:25～15:55
3次元集積デバイス応用に向けた原子層堆積法によるInGaOxナノシートトランジスタ
日掛 凱斗（東京大学）
7) 15:55～16:25
ノンドープPixel-FinFETsを用いた2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサーにおけるノイズ改善
菊池 善明（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
8) 16:25～16:55
短チャネルMOSFETsの極低温動作時に発生する低周波ノイズ源の同定
稲葉 工（産総研）
9) 16:55～17:25
2023 VLSI Symposiumを振り返って
宮下 桂（東芝デバイス&ストレージ）
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