2024年11月07日(木) 10:25～15:55
2024年11月08日(金) 10:30～16:20
2024年11月08日(金) 10:30～16:20
第253回 研究集会
開催場所
ハイブリッド開催
■現地開催場所：機械振興会館 5階 5S-2 会議室（定員25名）
※ 機械振興会館：〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
(東京メトロ日比谷線 神谷町駅から徒歩8分またはJR浜松町駅から徒歩15分)
※人数の制約もあり現地参加については先着順で人数制限の可能性があります。
■オンライン：Zoom予定
| テーマ | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
|---|---|
| 参加費 | ・シリコン継続会員，シリコンテクノロジー特別会員・賛助会員 無料 ・シリテク分科会会員 2,000円 ・その他 4,000円 ・学生 無料 |
| 主催 | モデリング研究委員会 |
| 共催 | 電子情報通信学会 |
プログラム
11月7日(木) 午前 （10：25〜12：10）
--- 挨拶、諸連絡 （ 5分 ） ---
(1) 10:30 - 11:20
［招待講演］AI応用に向けたメモリを中心とするコンピューティング
○竹内 健（東大）
(2) 11:20 - 12:10
［招待講演］SISPAD2024レビュー
○三成英樹（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
--- 昼食 （ 70分 ） ---
11月7日(木) 午後 （13：20〜14：50）
(3) 13:20 - 14:00
［招待講演］高熱伝導率を有するAlN膜の研究と先端3D Chipletへの応用
○高木 剛・二宮健生・丹羽正昭・小原聡顕・百瀬 健・霜垣幸浩・野村政宏・藤岡 洋（東大）・森 正和（龍谷大）・黒田忠広（東大）
(4) 14:00 - 14:50
［招待講演］パワーデバイスにおけるモールドエポキシ樹脂のTCADシミュレーションモデリング
○玉城朋宏・海老原洪平・小西和也・岸本幸樹・曽根田真也・高橋徹雄・新田哲也・綿引達郎（三菱電機）・李 根三（日本シノプシス）
--- 休憩 （ 15分 ） ---
11月7日(木) 午後 （15：05〜15：55）
(5) 15:05 - 15:55
［招待講演］ランダムポテンシャルがMOSFETのサブスレッショルド特性に与える影響
○森 伸也（阪大）
11月8日(金) 午前 （10：30〜12：10）
(6) 10:30 - 11:20
［招待講演］ミリケルビン温度での特性評価に基づくクライオCMOS動作の理解
○岡 博史・浅井栄大・稲葉 工・下方駿佑・由井 斉・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・中山隆史・森 貴洋（産総研）
(7) 11:20 - 12:10
［招待講演］ニューラルネットワークモデルを活用した極低温デバイスモデリングの省力化
○稲葉 工・千足勇介・小倉 実・浅井栄大・更田裕司・岡 博史・飯塚将太・加藤公彦・下方駿佑・森 貴洋（産総研）
--- 昼食 （ 60分 ） ---
11月8日(金) 午後 （13：10〜14：25）
(8) 13:10 - 14:00
［招待講演］トラップリッチ基板を有するSOI-MOSFETのコンパクトモデリング
○飯塚貴弘（広島大）
(9) 14:00 - 14:25
CFET SRAMにおけるシングルイベント効果のシミュレーション解析
○王 思達・鎌倉良成（阪工大）
--- 休憩 （ 15分 ） ---
11月8日(金) 午後 （14：40〜16：20）
(10) 14:40 - 15:30
［招待講演］機械学習によるMOSFET閾値電圧の離散不純物起因ばらつきの統計的な解析
○関 翔太・長田圭一・笠原亮太郎・髙石将輝（アイクリスタル）・沓掛健太朗・宇治原 徹（名大）
(11) 15:30 - 16:20
［招待講演］汎用ニューラルネットワークポテンシャルPFPの全安定元素対応と適用先の拡張
○高本 聡（PFN）
招待講演：発表 40 分 ＋ 質疑応答 10 分
一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分
--- 挨拶、諸連絡 （ 5分 ） ---
(1) 10:30 - 11:20
［招待講演］AI応用に向けたメモリを中心とするコンピューティング
○竹内 健（東大）
(2) 11:20 - 12:10
［招待講演］SISPAD2024レビュー
○三成英樹（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
--- 昼食 （ 70分 ） ---
11月7日(木) 午後 （13：20〜14：50）
(3) 13:20 - 14:00
［招待講演］高熱伝導率を有するAlN膜の研究と先端3D Chipletへの応用
○高木 剛・二宮健生・丹羽正昭・小原聡顕・百瀬 健・霜垣幸浩・野村政宏・藤岡 洋（東大）・森 正和（龍谷大）・黒田忠広（東大）
(4) 14:00 - 14:50
［招待講演］パワーデバイスにおけるモールドエポキシ樹脂のTCADシミュレーションモデリング
○玉城朋宏・海老原洪平・小西和也・岸本幸樹・曽根田真也・高橋徹雄・新田哲也・綿引達郎（三菱電機）・李 根三（日本シノプシス）
--- 休憩 （ 15分 ） ---
11月7日(木) 午後 （15：05〜15：55）
(5) 15:05 - 15:55
［招待講演］ランダムポテンシャルがMOSFETのサブスレッショルド特性に与える影響
○森 伸也（阪大）
11月8日(金) 午前 （10：30〜12：10）
(6) 10:30 - 11:20
［招待講演］ミリケルビン温度での特性評価に基づくクライオCMOS動作の理解
○岡 博史・浅井栄大・稲葉 工・下方駿佑・由井 斉・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・中山隆史・森 貴洋（産総研）
(7) 11:20 - 12:10
［招待講演］ニューラルネットワークモデルを活用した極低温デバイスモデリングの省力化
○稲葉 工・千足勇介・小倉 実・浅井栄大・更田裕司・岡 博史・飯塚将太・加藤公彦・下方駿佑・森 貴洋（産総研）
--- 昼食 （ 60分 ） ---
11月8日(金) 午後 （13：10〜14：25）
(8) 13:10 - 14:00
［招待講演］トラップリッチ基板を有するSOI-MOSFETのコンパクトモデリング
○飯塚貴弘（広島大）
(9) 14:00 - 14:25
CFET SRAMにおけるシングルイベント効果のシミュレーション解析
○王 思達・鎌倉良成（阪工大）
--- 休憩 （ 15分 ） ---
11月8日(金) 午後 （14：40〜16：20）
(10) 14:40 - 15:30
［招待講演］機械学習によるMOSFET閾値電圧の離散不純物起因ばらつきの統計的な解析
○関 翔太・長田圭一・笠原亮太郎・髙石将輝（アイクリスタル）・沓掛健太朗・宇治原 徹（名大）
(11) 15:30 - 16:20
［招待講演］汎用ニューラルネットワークポテンシャルPFPの全安定元素対応と適用先の拡張
○高本 聡（PFN）
招待講演：発表 40 分 ＋ 質疑応答 10 分
一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分