2026年8月24日(月) 12:55-17:25
第267回シリコンテクノロジー研究集会「VLSIシンポジウム特集」
開催場所
ハイブリッド開催
■現地開催場所：金沢工業大学虎ノ門キャンパス（先着100名）
※東京都港区愛宕1-3-4 愛宕東洋ビル 13階1301室
※学生の皆様は、現地参加も含めて無料といたします。
ただし、会場収容人数の制約もあり現地参加のみ先着順といたします。
■オンライン：Zoom予定
| テーマ | VLSIシンポジウム特集 |
|---|---|
| 参加費 | ・シリコン継続会員，シリコンテクノロジー特別会員・賛助会員 無料 ・シリテク分科会会員 2,000円 ・その他 4,000円 ・学生 無料（但し、現地参加希望者は先着順で、人数制限あり） |
| 主催 | 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 |
プログラム
(1) 13:00～13:05
分科会幹事からのアナウンス
(2) 13:05～13:35
超高密度3次元フラッシュメモリに向けた多層セルアレイCBA(CMOS Directly Bonded to Array)技術
野田 光彦（キオクシア）
(3) 13:35～14:05
非接触チップ間インターフェースを用いたDRAM-on-GPU集積向け三次元直交ダイ積層技術
御手洗 勇輝（東京大学）
(4) 14:05～14:35
次世代3D集積を加速するバンプレス・フェイスダウンCOWチップレット技術
北田 秀樹（東京科学大学）
(5) 14:35～15:05
セルフアライン局所絶縁構造による高密度裏面接続
重歳 卓志（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
--- 15:05–15:25 休憩（20分）---
(6) 15:25～15:55
Vth精密調整に向けたTiO₂を混合したLa₂O₃系・Al₂O₃系ダイポール技術
神岡 武文（LSTC、産総研）
(7) 15:55～16:25
アモルファスおよび多結晶 InGaOx FET のキャリア輸送に関する実験的研究：ホール測定、温度依存性、速度飽和
Anlan Chen（東京大学）
(8) 16:25～16:55
CFETに向けた多段TMDチャネルとソース/ドレイン用ドープTMDの形成プロセス
田邉 真一（東京エレクトロン）
(9) 16:55～17:25
2026 VLSIシンポジウムを振り返って
遠藤 和彦（東北大学）
分科会幹事からのアナウンス
(2) 13:05～13:35
超高密度3次元フラッシュメモリに向けた多層セルアレイCBA(CMOS Directly Bonded to Array)技術
野田 光彦（キオクシア）
(3) 13:35～14:05
非接触チップ間インターフェースを用いたDRAM-on-GPU集積向け三次元直交ダイ積層技術
御手洗 勇輝（東京大学）
(4) 14:05～14:35
次世代3D集積を加速するバンプレス・フェイスダウンCOWチップレット技術
北田 秀樹（東京科学大学）
(5) 14:35～15:05
セルフアライン局所絶縁構造による高密度裏面接続
重歳 卓志（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
--- 15:05–15:25 休憩（20分）---
(6) 15:25～15:55
Vth精密調整に向けたTiO₂を混合したLa₂O₃系・Al₂O₃系ダイポール技術
神岡 武文（LSTC、産総研）
(7) 15:55～16:25
アモルファスおよび多結晶 InGaOx FET のキャリア輸送に関する実験的研究：ホール測定、温度依存性、速度飽和
Anlan Chen（東京大学）
(8) 16:25～16:55
CFETに向けた多段TMDチャネルとソース/ドレイン用ドープTMDの形成プロセス
田邉 真一（東京エレクトロン）
(9) 16:55～17:25
2026 VLSIシンポジウムを振り返って
遠藤 和彦（東北大学）