9：20- 9：30　　開会のご挨拶
東京工業大学　岩井　洋

9：30- 9：55　　MRS2001　国際会議報告
京都大学　松尾二郎

9：55-10：20　　インジウムの過渡増速拡散におけるEOR欠陥の影響
松下電器産業　野田泰史

10：20-10：45　　レーザーアニールを用いた原子層吸着拡散法
東北大学　栗野浩之、高光旭、呉赫宰、崔勲、小柳光正

10：45-11：10　　極低温イオン注入技術
東芝　須黒恭一、村越篤、圷晴子、奥村勝弥

11：10-11：35　　ノッチゲート構造によるSub‐50nmCMOSの試作
富士通　ピディン セルゲイ、志度秀治、山本知成、杉井寿博

11: 35-12：00　　MOSFET直列寄生抵抗の解析
NEC　植木 誠、竹内 潔、最上 徹

12：00-13：00　　お昼休み

13：00-13：25　　Ultra Shallow Junction 2001 参加報告
富士通　片岡祐治

13：25-13：50　　アモルファス化注入ダメージによるバックグラウンドＢおよびＰ再分布のシミュレーション
大阪大学　金 良守、廣瀬哲也、車野敏文、辻　博史、古橋壮之、谷口研二

13：50-14：15　　統一拡散モデルによるSi中の不純物拡散シミュレーション
ＮＴＴ　植松真司

14：15-14：40　　ジボラン分子イオン注入における稀釈水素量による接合深さの制御
関西大学、*日新電機、**神奈川高度技術支援財団　横田勝弘、中瀬周作、中村和宏、丹上正安*、松田耕自*、高野弘道**

14：40-14：55　　休憩

14：55-15：20　　インジウム・アンチモン イオンビームの発生と注入技術
日新イオン機器　山下貴敏

15：20-15：45　　SIMSを用いた極浅領域ドーパントのプロファイル計測
アルバック・ファイ　星 孝弘

15：45-16：10　　走査型トンネル顕微鏡による微細トランジスタ観察
富士通、*大阪大学　福留秀暢、奥井登志子*、長谷川繁彦*、中島尚男*、有本宏