1).　13：00-13：10　挨拶
東工大　益一哉

2).　13：10-13：40
山本　一郎
沖電気工業株式会社 シリコンソリューションカンパニーLSI設計高度化推進部
「サブ100nm SoCに向けた設計とプロセスの協調」

3).　13：40-14：10
坂上弘之、由村典宏、楊渊、新宮原正三、高萩隆行
広島大学大学院先端物質科学研究科
「ダイヤモンドナノ粒子を用いた低誘電率ポーラスダイヤモンド膜の形成」

4).　14：10-14：40
奥　良彰*、**、神澤公*、西山憲和***、上山惟一
ローム株式会社　半導体プロセス研究開発部*、半導体ＭＩＲＡＩプロジェクト、技術研究組合　超先端電子技術開発機構（ＡＳＥＴ）**、大阪大学大学院工学研究科***
「Low-kとしての周期的ポーラスシリカ膜」

5).　14：40-15：10
霜垣幸浩、杉山正和、濱村浩孝、金永大、飯野知久、津村猛、毛利貴志、野田優、小宮山宏
東京大学大学院工学系研究科
「ULSI多層配線用CVDプロセスの反応機構解析と高度化の検討」

6).　15：30-16：00
佐藤修三、安田善哉、石原成郎、駒井尚樹、大鳥居英、由尾啓、瀬川雄司、堀越浩、大岡豊、田井香織、高橋新吾、野上毅
ソニー株式会社セミコンダクター＆ネットワークカンパニー
「銅の電解研磨」

7).　16：00-16：30
猪原正弘
東芝セミコンダクター社システム事業部
「Cu埋め込みコンタクトプロセス」