Ａ会場（部屋番号：Ｓ２２３）

Ａ－１（９：３０－１０：００）
準単結晶Si薄膜太陽電池
東京工業大学、*帝京科学大学　　葉 文昌、*内田恭敬、松村正清

Ａ－２（１０：００－１０：３０）
ガラス基板の表面構造の制御等による低温堆積した多結晶Si膜の結晶性の改善
金沢大学　　長谷川誠一、Syd Moniruzzaman、坂田 充、土田 亮、猪熊孝夫、倉田喜博

Ａ－３（１０：３０－１１：００）
高速成長低酸素結晶を用いたH2/Ar雰囲気RTAによるウエーハ表面のCOP消滅挙動
信越半導体(株)　　小林徳弘、秋山昌次、加藤正弘、阿部孝夫

Ａ－４（１１：００－１１：３０）
SiHCl3-H2系シリコン気相エピタキシャル成長の化学反応
信越半導体(株)、*広島大学　　羽深 等、青山康明、*島田 学、*奥山喜久夫

Ａ－５（１１：３０－１２：００）
原子層成長したSi(100)表面のAFM観察
東京工業大学　　佐藤康夫、池田圭司、菅原 聡、松村正清

Ａ－６（１３：００－１３：３０）
水素終端Siウエハ表面におけるステップのウエハスケール自己組織化配列
広島大学　　高萩隆行、坂上弘之、新宮原正

Ａ－７（１３：３０－１４：００）
水素終端Si(111)表面の酸化初期過程の原子分解能観察
広島大学　　坂上弘之、新宮原正三、高萩隆行

Ａ－８（１４：００－１４：３０）
触媒CVD法におけるガス分解反応を応用した極薄Si酸化膜の低温形成とその評価
北陸先端科学技術大学院大学　　曽原 聰、工藤 学、和泉 亮、松村英樹

Ａ－９（１４：３０－１５：００）
急速熱窒化技術による極薄シリコン窒化膜成長
室蘭工業大学　　佐藤 卓、福田 永、野村 滋

Ａ－１０（１５：１５－１５：４５）
UV＆オゾンによる半導体表面の直接酸化
金沢大学　　高宮三郎、葛西悠葵、勝井敬之、杉村智之、猪熊孝夫、橋本松進、飯山宏一

Ａ－１１（１５：４５－１６：１５）
O1s光電子の極薄シリコン酸化膜中での非弾性散乱
武蔵工業大学　　野平博司、高橋健介、服部健雄

Ａ－１２（１６：１５－１６：４５）
シリコン熱酸化膜のフォトルミネッセンス分光
東京都立大学、*IBM　　西川宏之、*J.H.Stathis、*E.Cartier

Ａ－１３（１６：４５－１７：１５）
シリコン酸化膜中酸素欠損濃度によるホ－ル準位の変化
(株)日立製作所　　北川 功、丸泉琢也、牛尾二郎、宮尾正信

Ｂ会場（部屋番号：Ｓ２２４）

Ｂ－１（１０：３０－１１：００）
SIMOX基板上50nm金属ソース／ドレイン ショットキーMOS-FET
東京工業大学　　斉藤 渉、山上滋春、伊藤 淳、浅田雅洋

Ｂ－２（１１：００－１１：３０）
エレベイテッドソース／ドレイン微細MOSFETにおける選択エピタキシャル成長層へのイオン注入効果
三菱電機(株)　　西岡康隆、杉原浩平、中畑 匠、古川泰助、山川 聡、丸野茂光、徳田安紀

Ｂ－３（１１：３０－１２：００）
SiのSETと細線MOSFETとの組み合わせメモリデバイス
日本電信電話(株)　　高橋庸夫、藤原 聡、山崎謙治、生津英夫、栗原健二、村瀬克実

Ｂ－４（１３：００－１３：３０）
極薄SOI層のエピタキシャルCoシリサイド化
電子技術総合研究所　　坂本邦博、前田辰郎、石井賢一

Ｂ－５（１３：３０－１４：００）
ウエーハ密閉搬送によるCoシリサイドのシート抵抗上昇抑制
ソニー(株)　　嵯峨幸一郎、国安 仁、服部 毅

Ｂ－６（１４：００－１４：３０）
ECRプラズマ窒化により形成したWSiNバリアメタルの銅ダマシン配線への適用
日本電信電話(株)　　枚田明彦、町田克之、粟屋信義、久良木 億、前田正彦

Ｂ－７（１４：３０－１５：００）
高次有機基含有シリカ膜の堆積と特性評価
東京工業大学、*武蔵工業大学　　宇佐美浩一、菅原 聡、*小林光男、住村和仁、*服部健雄、松村正清

Ｂ－８（１５：００－１５：３０）
フッ素化アモルファスカーボン膜の低誘電率化メカニズム
日本電気(株)　　遠藤和彦、篠田啓介、辰巳 徹

Ｂ－９（１５：４５－１６：１５）
Au/Siショットキー障壁の非理想特性
東京理科大学　　前田敬二

Ｂ－１０（１６：１５－１６：４５）
Asイオン注入後のBの再分布メカニズム
大阪大学　　金 良守、夏 建新、斎藤朋也、青木丈典、古田善一、鎌倉良成、谷口研二

Ｂ－１１（１６：４５－１７：１５）
Ｘ線リソグラフィーにおける化学増幅ネガ型レジストの表面ラフネス
日本電信電話(株)　　中村二朗、中西和也、出口公吉、小田政利

懇親会（１７：３０～）