2002年7月15日(月), 16日(火) 10:00-17:00, 10:00-17:30

第41回 研究集会

開催場所

東京大学弥生講堂

http://www.u-tokyo.ac.jp/jpn/campus/map/map01/d21-j.html
テーマ 次世代リソグラフィ(NGL)ワークショップ2002
共催 日本学術振興会「荷電粒子ビームの工業への応用」第132委員会、応用物理学会次世代リソグラフィ技術研究会

プログラム

7月15日(月)

総合講演
10:00-10:10  開会の辞
堀池靖浩 (東大)

10:10-10:50  日本の半導体産業再興を目指して
西村吉雄 (東大)

10:50-11:30 半導体デバイス開発戦略
松澤 昭 (松下)

F2リソグラフィ
11:30-12:00  SELETEのF2リソグラフィ開発状況
井谷俊郎 (SELETE)

12:00-13:10 昼食

13:10-13:40  F2リソグラフィ装置技術
羽田英夫 (CANON)

13:40-14:10  F2用レジスト
岸村眞治 (松下)

X線リソグラフィ
14:10-14:40 第二世代PXL技術
炭谷博昭 (三菱)

14:40-15:10  X-Ray Lithography Activities in the USA
K. Mason (JMAR/SAL)

15:10-15:30  休憩

フォトマスク
15:30-16:00 光露光用マスク技術(超解像/光近接効果補正)
法元盛久 (大日本印刷)

16:00-16:30 マスク描画装置の現状と課題
東條徹 (東芝)

16:30-17:00  マスク検査技術
渡壁弥一郎 (レーザテック)

17:20-19:20  懇親会


7月16日(火)

EUVリソグラフィ
10:00-10:30 The EUVL Engineering Test Stand: Recent results from the alpha-class full-field projection scanner
D. Tichenor (Sandia Nat. Lab.)

10:30-11:00 EUV露光装置技術
村上勝彦 (NIKON)

11:00-11:30 ASETでのプロセス開発状況
西山岩男 (ASET)

11:30-12:00 EUV光源
富江敏尚 (産総研)

12:00-13:10 昼食

ナノインプリント
13:10-13:40 ナノインプリントの動向
古室昌徳 (産総研)

EBリソグラフィ
13:40-14:10 低加速EB直描装置
安藤厚司 (東芝)

14:10-14:40 マルチ電子ビーム露光装置用電磁レンズの開発
安田洋 (アドバンテスト)

14:40-15:10 EBステッパー(EPL)
山口武 (ニコン)

15:10-15:30 休憩

15:30-16:00 低加速等倍EB転写 (LEEPL) 装置
遠藤章裕 (LEEPL)

16:00-16:30 電子線用マスク技術
雨宮勲 (HOYA)

16:30-17:00 EPL用マスクデータ変換技術
山下浩 (SELETE)

17:00-17:30 LEEPL用ステンシルマスク
栗原健二 (NTT-AT)

17:30 閉会

このページの上部へ