一般講演 ９：３０～１２:１５

午前　前半 座長　佐藤成生(富士通)

１. 9:30-9:55
不純物揺らぎが金属半導体接合の輸送に与える影響
○松沢一也・木下敦寛(東芝ＬＳＩ基盤技術ラボラトリー)・楠直樹・八木下淳史(東芝セミコンダクター社)

２. 9:55-10:20
MOSFET 反転層移動度の面方位およびチャネル方向依存性の解析
○江崎達也・中村英達・山本豊二・羽根正巳（NECシリコン研）

３. 10:20-10:45
準バリスティックMOSFETのゲートオーバーラップ効果
○土屋英昭・堀野元気・小川真人・三好旦六（神戸大）

休憩　10:45－11:00

午前　後半 座長　大倉康幸(Selete)

４. 11:00-11:25
極薄ゲート絶縁膜への波動関数浸透を考慮したＣ－Ｖシミュレーション
○中森靖彦・小宮健治・大村泰久（関西大）

５. 11:25-11:50
極薄ゲート酸化膜の擬似絶縁破壊が与える回路動作への影響
○森川周一・細井卓治・鎌倉良成・谷口研二（阪大）

６. 11:50-12:15
フルバンド･モンテカルロ･シミュレータFALCONによる量子力学的効果の解析
○田辺亮・芦澤芳夫・岡秀樹（富士通研）

29日午後

招待講演 　１３:２０～１５:２０ 座長

７. 13:20-14:00
90nm世代を迎えたバラツキ設計技術の課題
○増田弘生(ＳＴＡＲＣ)

８. 14:00-14:40
DAC2003報告　-フィジカルデザイン-
○黒川敦(ＳＴＡＲＣ)

９. 14:40-15:20
DAC2003報告　-低電力技術-
○石橋孝一郎(ＳＴＡＲＣ)

一般講演 １５:３５～１７:４０ 座長　

１０. 15:35-16:00
90nmテクノロジーノードによる銅配線形状の非破壊インバースモデリング
○国清辰也・渡邉哲也・金本俊幾(ルネサステクノロジ)・朝里浩靖(ルネサスデバイスデザイン)・白田光利・永久克己・味岡佳英・牧野博之・石川清志（ルネサステクノロジ）・岩出秀平（大阪工業大学）・井上靖朗(ルネサステクノロジ)・山下恭司・小林睦・合田明彦・小田嘉則・山口龍一(松下電器産業)

１１. 16:00-16:25
ゲート電流の基板バイアス依存性を考慮したフラッシュメモリセルのコンパクトモデル
○園田賢一郎・谷沢元昭・石川清志・清水悟・荒木康弘・河井伸治・小林真一・小倉卓・井上靖朗(ルネサステクノロジ)・小谷教彦(広島国際大学)

１２. 16:25-16:50
データ数削減アルゴリズムを組み込んだパラメータ抽出におけるグルーピングとその応用
○佐藤修平(広島市立大学大学院情報科学研究科)・寺田和夫・寺内衛(広島市立大学情報科学部)

１３. 16:50-17:15
S-sequenceによるモジュール隣接制約を考慮したフロアプラン手法
○石丸洋平・坂主圭史・小林真輔・武内良典・今井正治(阪大)

１４. 17:15-17:40
FPGAを用いた音響信号レベル圧縮プロセッサの設計
○武藤拓也・魏書剛(群馬大)