10：00　委員長挨拶

10：10　IEDMレビュー
久本　大，日立製作所

10：40　ワイドレンジVDD動作に適した65nmCMOS技術
中原寧，深井利憲**，東郷光洋**，小山晋*，保国裕美*，松田友子*，坂本圭司*，藤原秀二*，国宗依信*，永瀬正俊*，田村貴央*，小野田中*，三宅慎一，山夕貴子，藤智 彦，池田昌弘，山縣保司，山本豊二**，今井清隆
NECエレクトロニクス 先端デバイス開発事業部、*NECエレクトロニクス プロセス技術事業部、**NEC シリコンシステム研究所

11：10　65nmノード用高性能25nm CMOS技術
後藤賢一，田川幸雄，大田裕之，森岡博，S.ピディン，籾山陽一，小倉輝，稲垣聡， 田村直義，堀充明，森年史，加勢正隆，橋本浩一，児島学，杉井寿博
富士通株式会社　次世代LSI開発事業部

11：40　65nmノードLOP用途を目的とした極浅接合CMOSプロセス
大塚文雄，小崎浩司，佐々木隆興，泉直希，中川義和，峰地輝，安平光雄，有門経敏
半導体先端テクノロジーズ（Selete）第一研究部

12：10　　昼食

13：10　ひずみSOI MOSFETのチャネル構造設計と作製技術
高木信一，水野智久，手塚勉，杉山直治，沼田敏典，臼田宏治，中払周，守山佳彦， 古賀淳二，田邊顕人，平下紀夫，前田辰郎
半導体MIRAIプロジェクト，MIRAI-AIST，東京大学大学院

13：40 　Scalability of Strained Silicon CMOSFET and　 High Drive Current Enhancement in the 40nm Gate Length Technology
佐貫朋也，大石周，森政幸夫，青田正司，木下朋子，蓮見良治，竹川陽一，磯部和亜樹，吉村尚郎，岩井正明，須之内一正，野口達夫
株式会社東芝セミコンダクター社　システムLSIデバイス技術開発統括部

14：10 　Poly-Si/HfSiO/SiO2ゲート構造を用いた低電力，高速HfSiOゲートCMOS FET
岩本敏幸，小倉卓，寺井真之，渡辺啓仁，渡部平司，五十嵐信行，宮村真，辰巳徹，西藤哲史，森岡あゆ香，渡部宏治，斎藤幸重，矢部裕子，五十嵐多恵子，増崎幸治， 望月康則，最上徹
NEC シリコンシステム研究所

14：40　プラズマ窒化を用いた低消費電力CMOS用高移動度・低リーク電流pol-Si/HfSiONゲートスタックの形成
関根克行，犬宮誠治，佐藤基之，金子明生，江口和弘，綱島 祥隆
株式会社東芝セミコンダクター社　プロセス技術推進センター

15：10　休憩

15：30　ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作 ABC-SOI SRAM
一法師隆志，平野有一，新居浩二，塚本康正，前川繁登，犬石昌秀，大路譲
株式会社ルネサステクノロジ　生産技術本部　ウェハプロセス技術統括部

16：00　Si(110)面を用いた低雑音バランスドCMOS技術
寺本章伸，濱田龍文*，赤堀浩史，二井啓一，小谷光司*，大見忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター　　*東北大学工学研究科

16：30　　高誘電率ゲート絶縁膜のための統一的移動度模型
斎藤慎一，久本大，平谷正彦，木村紳一郎
日立製作所，中央研究所

17：00　総合討論

17：30　終了