2004年2月2日(月) 11:00-17:00

第58回 研究集会

開催場所

機械振興会館地下3階研修1号室

テーマ 低誘電率層間膜,配線材料および一般
共催 電子情報通信学会シリコンデバイス材料研究会

プログラム

1. 低圧W-CVDを用いたCu配線の自己整合メタルキャップ技術
芦原洋司,石川憲輔,大島隆文,笹島勝博,野口純司,小西信博,宇野正一,大田黒彰,久保真紀,津金 賢,岩崎富生*,齋藤達之
(日立デセ,日立・機械研*)

2. 超臨界流体を利用した一貫メタライゼーションプロセスの可能性
近藤英一,志鎌耕一郎,菱川正毅
(山梨大・大学院)

3. 無電解めっきでのボトムアップ堆積による微細接続孔埋め込み
新宮原 正三,王増林,八重樫道,小畑涼,坂上弘之,高萩隆行
(広大・先端物質科学研究科)

4. 電気抵抗比による市販ICのエレクトロマイグレーション信頼度評価
石田猛,武田健一,日野出憲治,古澤健志*,田切克典,中山貴弘,藤田藩
(日立・中研,ルネサス*)

5. シングルダマシンCu配線におけるエレクトロマイグレーション誘起ボイドの発生と成長
横川慎二
(NECエレクトロニクス)

6. ビアファースト多層ハードマスクプロセスを用いた高目ずれマージンCuデュアルダマシン形成
大竹浩人,田上政由,有田幸司*,林喜宏
(NEC,NECエレクトロニクス*)

7. NCSを用いた多層配線技術
中平順也,三沢信裕,杉浦 巌*,中田義弘*,杉本文利,西川伸之,射場義久,北田秀樹,長谷川明弘,大島政男,大場隆之,福山俊一,清水紀嘉,宮嶋基守,松山英也,矢野映*
(富士通,富士通研*)

8. Novel Self-Assembled Ultra-Low-k Porous Silica Films with High Mechanical Strength for 45 nm BEOL Technology
奥 良彰, 山田 和弘, 後藤 隆, 清野 豊*, 石川 彰, 尾形 哲郎, 高村 一夫,藤井 宣年,秦 信宏*, 市川 理恵*, 吉野 雄信*, 根来千絵*, 中野 昭典, 園田 譲,高田省三*,三好 秀典, 大池 俊輔, 田中 博文, 松尾 尚典, 木下 啓藏, 吉川 公麿*,**
(MIRAI-ASET*,MIRAI-AIST** RCNS, Hiroshima Univ)

9. A New Plasma-Enhanced Co-Polymerization (PCP) Technology for Reinforcing echanical Properties of Organic Silica Low-k/Cu Interconnects on 300 mm Wafers
川原 潤, 中野 昭典, 国見 信孝,木下 啓藏, 林 喜宏, 石川 彰, 清野豊*,尾形 哲郎,高橋 秀樹, 園田 譲, 吉野 雄信*, 後藤 隆, 高田省三*, 市川 理恵*,三好秀典,松尾 尚典, 足立 三郎, 吉川 公麿*,**
(MIRAI-ASET* ,MIRAI-AIST** RCNS, Hiroshima Univ)

10. 極薄ポアシールを用いた65nm対応多層配線
多田宗弘,田村貴央*,原田恵充,井上尚也,伊藤文則,吉木政行,大竹浩人,成広充,田上政由,植木誠,肱岡健一郎,阿部真理,竹内常雄,齋藤忍,小野寺貴弘,古武直也,新井浩一,藤井清*,林喜宏
(NEC,NECエレクトロニクス*)

講演20分,質疑5分
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