6月28日(月)

[基調講演]
9:15-9:25　 開会の辞
堀池靖浩(物材機構)

9:25-10:00 「先端システムLSI (SoC)開発を支援する」-ASPLAプラットフォームが目指すオープンな協業環境-
川手啓一(ASPLA)

10:00-10:35 Advanced Lithography Strategy and Plan at International Sematech
Giang Dao (ISMT)

10:35-10:50 休憩

[液浸]
10:50-11:15 液浸リソグラフィー
中野勝志（ニコン）

11:15-11:40 Immersion Litho-technologies
Christian Wagner (ASML)

11:40-12:05 ArF液浸露光装置の課題と現状
本多徳行(キヤノン)

12:05-12:30 液浸リソグラフィーにおける光学結像の特徴と課題
渋谷眞人(東京工芸大)

12:30-13:40 昼食

[F2 & EPL]
13:40-14:10 SeleteにおけるF2リソグラフィ開発状況
藤井清(Selete)

14:10-14:40 EPL露光装置の開発状況
宇田川仁（ニコン）

14:40-15:10 EPL開発の進捗
有本宏（Selete)

15:10-15:40 低加速電子線近接投影露光装置LEEPLの現状と今後
佐本典彦(リープル)

15:40-16:00 休憩

16:00-18:00 ポスターセッション

18:00-19:30 懇親会

6月29日(火)

[EUVL]
9:15-9:45 EUV Lithography Development at International Sematech
Giang Dao (ISMT)

9:45-10:15 レーザー生成Snプラズマからの13.5nmEUV放射物理と変換効率向上の指針
西村博明(阪大)

10:15-10:40 EUV light source development at EUVA
Georg Soumagne (EUVA)

10:40-11:05 小フィールドEUV投影光学系HiNA-3の開発
村上勝彦（ニコン）

11:05-11:20 休憩

[マスクレス]
11:20-11:45 Optical Mask-less Lithography
Arno Bleeker (ASML)

11:45-12:10 低加速EB直接描画装置（EBIS)
岸本克己（イービーム)

12:10-13:20 昼食

[諸技術]
13:20-13:45 Step and Flash Imprint Lithography
Mark M-Smith（Molecular Imprints)

13:45-14:10 NGL対応レジスト材料開発と今後の展開
緒方寿幸(東京応化)

14:10-14:35 次世代電子ビーム露光に向けたマスク開発の現状
雨宮勲(HOYA)

14:35-15:00 Ｘ線リソグラフィーを成長市場に応用する
古村雄二(フィルテック)

15:00-15:20 休憩

[パネル討論]
15:20-17:20 題目：システムLSIに適したリソグラフィ
司会：岡崎信次(ASET)

なお受付は両日とも８：４５開始といたします。御協力下さい。

NGL 2004ポスタープログラム

[EUVL]
P1 XeクライオターゲットによるレーザープラズマEUV光源の研究　天野壮(兵庫県立大)
P2 EUVLモデルプラズマ用ガスフロー微粒子ターゲット供給装置の開発　屋代英彦(AIST)
P3 ＥＵＶ実験干渉計による波面測定法の評価　大内千種(EUVA)
P4 EUVマスクブランクス多層膜位相欠陥の露光波長検出　手塚好弘（MIRAI)
P5 EUVL用多層膜の光学特性評価　三宅明（キヤノン）
P6 アンジュレータ光源を用いたＥＵＶミラーコンタミネーションの実験　新部正人(兵庫県立大)
P7 EUV露光装置用Mo/Si多層膜の散乱測定　神高典明(ニコン)
P8 EUVLマスクブランクス欠陥の結像特性　橋本武夫(ASET)
P9 EUVLマスク用TaGeN吸収体の吸収係数測定とエッチング特性　田中雄介(ASET)
P10 EUVマスク、ブランクス開発の現状　笑喜勉(HOYA)
P11 EUVLマスクの吸収層ドライエッチングおよび欠陥修正技術の評価　安部司(大日本)
P12 Schott Lithotec Activities of LTEMs for EUVL Optics Applications　Lutz Aschke (Schott L.)
P13 EUVLフォトマスクサブストレート用極低膨張ガラスセラミックス　中島耕介(オハラ)
P14 最先端EUV多層膜マスク基板　森澤拓(ショット日本)
P15 EUVL基板用改善ゼロ膨張硝子の開発　岩橋康臣(旭硝子)

[液浸レジスト・ＥＢ・PXL]
P16 ArF液浸プロセスへのレジスト開発　中川大樹(JSR)
P17 液浸リソグラフィー用材料の開発状況について　辻　裕光(東京応化)
P18 部分一括露光とマルチコラムセル　安田洋（アドバンテスト)
P19 電子ビーム露光の３次元近接効果補正タングステンビア３層構造上での反射電子の影響　大澤森美(富士通)
P20 回折光を用いたPXLの展開　豊田英二郎(早大)
P21 Br含有X線レジストの開発　糸賀賢二(三菱電機

[マスク(EUVLを除く)]
P22 ArF液浸露光機とマスク倍率　武久究(東北大)
P23 凸版印刷におけるＥＢマスクの開発状況　吉井崇(凸版)
P24 大日本印刷におけるＥＢマスクの開発状況　有塚祐樹(大日本)
P25 NGLステンシルマスク向けデータ変換システム　加藤心(SIIナノテク)
P26 EPL/LEEPL/EBDW データ変換システム　庄司正弘(日本コントロール)
P27 櫛型パタ－ンの分割について　竹内邦雄(ISS)
P28 ステンシルマスク欠陥検査装置　丸山聡(東京精密)
P29 ステンシルマスク欠陥修正技術　山本洋(SIIナノテク)
P30 電子線によるマスク修正装置の開発　海老沢正晴(カールツァイス)
P31 ナノインプリントモールド　栗原健二(NTT-AT)

[ナノインプリント]
P32 低ＬＥＲ　SOGモールドによる光インプリント　廣島洋(AIST)
P33 熱インプリント法における成形メカニズムとその応用　平井義彦(大阪府立大)
P34 熱インプリント装置の開発とバイオ応用　宮内昭浩(日立)
P35 二層レジスト構造を用いた室温インプリント　中松健一郎(兵庫県立大)

[新技術]
P36 可視光源を用いた非断熱過程による近接場リソグラフィー　川添忠(科技構SORST)
P37 近接場リソグラフィー技術の開発　山田朋宏(キヤノン)
P38 電子ビームナノリソグラフィの３次元加工への応用　山崎謙治(NTT)
P39 ずらし二重露光による大ピッチラインパターン解像限界ｋ1値の改善　堀内敏行(東京電機大)
P40 量産時におけるフォーカス、露光量の計測方法　千徳孝一(キヤノン)