2004年6月28日(月), 29日(火) 9:15-18:00, 9:15-17:20

第63回 研究集会

開催場所

コクヨホール

http://www.kokuyo.co.jp/ksr/kokuyo_hall.html
参加費 主催研究会、分科会、共催委員会会員、および学生;3,000円 (6月 15日まで)
4,000円 (上記以降)
共催 応用物理学会 NGL技術研究会 シリコンテクノロジー分科会 日本学術振興会「荷電粒子ビームの工業への応用」第 132委員会

プログラム

6月28日(月)

[基調講演]
9:15-9:25  開会の辞
堀池靖浩(物材機構)

9:25-10:00 「先端システムLSI (SoC)開発を支援する」-ASPLAプラットフォームが目指すオープンな協業環境-
川手啓一(ASPLA)

10:00-10:35 Advanced Lithography Strategy and Plan at International Sematech
Giang Dao (ISMT)

10:35-10:50 休憩

[液浸]
10:50-11:15 液浸リソグラフィー
中野勝志(ニコン)

11:15-11:40 Immersion Litho-technologies
Christian Wagner (ASML)

11:40-12:05 ArF液浸露光装置の課題と現状
本多徳行(キヤノン)

12:05-12:30 液浸リソグラフィーにおける光学結像の特徴と課題
渋谷眞人(東京工芸大)

12:30-13:40 昼食

[F2 & EPL]
13:40-14:10 SeleteにおけるF2リソグラフィ開発状況
藤井清(Selete)

14:10-14:40 EPL露光装置の開発状況
宇田川仁(ニコン)

14:40-15:10 EPL開発の進捗
有本宏(Selete)

15:10-15:40 低加速電子線近接投影露光装置LEEPLの現状と今後
佐本典彦(リープル)

15:40-16:00 休憩

16:00-18:00 ポスターセッション

18:00-19:30 懇親会


6月29日(火)

[EUVL]
9:15-9:45 EUV Lithography Development at International Sematech
Giang Dao (ISMT)

9:45-10:15 レーザー生成Snプラズマからの13.5nmEUV放射物理と変換効率向上の指針
西村博明(阪大)

10:15-10:40 EUV light source development at EUVA
Georg Soumagne (EUVA)

10:40-11:05 小フィールドEUV投影光学系HiNA-3の開発
村上勝彦(ニコン)

11:05-11:20 休憩

[マスクレス]
11:20-11:45 Optical Mask-less Lithography
Arno Bleeker (ASML)

11:45-12:10 低加速EB直接描画装置(EBIS)
岸本克己(イービーム)

12:10-13:20 昼食

[諸技術]
13:20-13:45 Step and Flash Imprint Lithography
Mark M-Smith(Molecular Imprints)

13:45-14:10 NGL対応レジスト材料開発と今後の展開
緒方寿幸(東京応化)

14:10-14:35 次世代電子ビーム露光に向けたマスク開発の現状
雨宮勲(HOYA)

14:35-15:00 X線リソグラフィーを成長市場に応用する
古村雄二(フィルテック)

15:00-15:20 休憩

[パネル討論]
15:20-17:20 題目:システムLSIに適したリソグラフィ
司会:岡崎信次(ASET)

なお受付は両日とも8:45開始といたします。御協力下さい。


NGL 2004ポスタープログラム

[EUVL]
P1 XeクライオターゲットによるレーザープラズマEUV光源の研究 天野壮(兵庫県立大)
P2 EUVLモデルプラズマ用ガスフロー微粒子ターゲット供給装置の開発 屋代英彦(AIST)
P3 EUV実験干渉計による波面測定法の評価 大内千種(EUVA)
P4 EUVマスクブランクス多層膜位相欠陥の露光波長検出 手塚好弘(MIRAI)
P5 EUVL用多層膜の光学特性評価 三宅明(キヤノン)
P6 アンジュレータ光源を用いたEUVミラーコンタミネーションの実験 新部正人(兵庫県立大)
P7 EUV露光装置用Mo/Si多層膜の散乱測定 神高典明(ニコン)
P8 EUVLマスクブランクス欠陥の結像特性 橋本武夫(ASET)
P9 EUVLマスク用TaGeN吸収体の吸収係数測定とエッチング特性 田中雄介(ASET)
P10 EUVマスク、ブランクス開発の現状 笑喜勉(HOYA)
P11 EUVLマスクの吸収層ドライエッチングおよび欠陥修正技術の評価 安部司(大日本)
P12 Schott Lithotec Activities of LTEMs for EUVL Optics Applications Lutz Aschke (Schott L.)
P13 EUVLフォトマスクサブストレート用極低膨張ガラスセラミックス 中島耕介(オハラ)
P14 最先端EUV多層膜マスク基板 森澤拓(ショット日本)
P15 EUVL基板用改善ゼロ膨張硝子の開発 岩橋康臣(旭硝子)

[液浸レジスト・EB・PXL]
P16 ArF液浸プロセスへのレジスト開発 中川大樹(JSR)
P17 液浸リソグラフィー用材料の開発状況について 辻 裕光(東京応化)
P18 部分一括露光とマルチコラムセル 安田洋(アドバンテスト)
P19 電子ビーム露光の3次元近接効果補正タングステンビア3層構造上での反射電子の影響 大澤森美(富士通)
P20 回折光を用いたPXLの展開 豊田英二郎(早大)
P21 Br含有X線レジストの開発 糸賀賢二(三菱電機

[マスク(EUVLを除く)]
P22 ArF液浸露光機とマスク倍率 武久究(東北大)
P23 凸版印刷におけるEBマスクの開発状況 吉井崇(凸版)
P24 大日本印刷におけるEBマスクの開発状況 有塚祐樹(大日本)
P25 NGLステンシルマスク向けデータ変換システム 加藤心(SIIナノテク)
P26 EPL/LEEPL/EBDW データ変換システム 庄司正弘(日本コントロール)
P27 櫛型パタ-ンの分割について 竹内邦雄(ISS)
P28 ステンシルマスク欠陥検査装置 丸山聡(東京精密)
P29 ステンシルマスク欠陥修正技術 山本洋(SIIナノテク)
P30 電子線によるマスク修正装置の開発 海老沢正晴(カールツァイス)
P31 ナノインプリントモールド 栗原健二(NTT-AT)

[ナノインプリント]
P32 低LER SOGモールドによる光インプリント 廣島洋(AIST)
P33 熱インプリント法における成形メカニズムとその応用 平井義彦(大阪府立大)
P34 熱インプリント装置の開発とバイオ応用 宮内昭浩(日立)
P35 二層レジスト構造を用いた室温インプリント 中松健一郎(兵庫県立大)

[新技術]
P36 可視光源を用いた非断熱過程による近接場リソグラフィー 川添忠(科技構SORST)
P37 近接場リソグラフィー技術の開発 山田朋宏(キヤノン)
P38 電子ビームナノリソグラフィの3次元加工への応用 山崎謙治(NTT)
P39 ずらし二重露光による大ピッチラインパターン解像限界k1値の改善 堀内敏行(東京電機大)
P40 量産時におけるフォーカス、露光量の計測方法 千徳孝一(キヤノン)

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