9月27日(月) 13:00～18:15

13:00-13:25
p-i-nフォトダイオードの高周波応答特性のモデル化
◯金野幸吉・松島理・原清仁・鈴木学・Dondee Navarro・三浦道子（広島大学）

13:25-13:50
FD-SOI MOSデバイスのRFモデリングに関する検討
○清水由幸・金奎哲・村上豊生・上田啓介・洞木吉博・車承佑・松岡俊匡・谷口研二（大阪大学）

13:50-14:15
非同期式プロセッサのパイプライン化アルゴリズム ---条件分岐のない場合---
○籠谷裕人・岡本卓爾（岡山大学）

14:15-14:40
Elmore遅延を用いた配線遅延ばらつきの相関計算手法について
○冨田雅彦・築山修治（中央大学）

14:40-15:00 休憩(20分)

15:00-16:00
【フェロー記念講演】回路シミュレーションの立上げと物理設計ＣＡＤの実用化
○秋濃俊郎(近畿大)

16:00-17:00
【招待講演】DAC2004報告　－物理設計技術－
○黒川敦(STARC)

17:00-17:15 休憩(15分)

17:15-18:15
【招待講演】65nm世代以降のリソフレンドリ設計技術
○小谷敏也(東芝)

9月28日(火) 10:00～16:15

10:00-10:25
分子動力学シミュレーションによるプラズマエッチング表面反応機構の解析
○浜口智志（大阪大学）

10:25-10:50
三次元プロセスシミュレータHySyProSにおける解析モデルイオン注入計算高速化
○望月麻理恵・内田哲也・竹中正浩・伊藤早苗・石川英明・藤永正人・和田哲典（半導体先端テクノロジーズ）

10:50-11:15
ITRS 2003にしたがった微細化による不純物ばらつきの解析
○芦澤芳夫・岡秀樹（富士通研究所）

11:15-11:40
極薄SOI MOSFETへのhigh-k材料導入法に関する検討
○川本敏貴・小宮健治・大村泰久（関西大学）

11:40-13:00 昼休み(80分)

13:00-13:25
3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討
○田辺亮・芦澤芳夫・岡秀樹（富士通研究所）

13:25-13:50
MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価
○岡垣健・谷沢元昭・内田哲也・国清辰也・園田賢一郎・五十嵐元繁・石川清志（ルネサステクノロジ）・小谷教彦（広島国際大学）

13:50-14:15
Gamovの方法を用いたMOSFETにおけるゲートトンネル電流の計算
○岡本真輝・竹田裕・森伸也（大阪大学）

14:15-14:40
量子格子気体法によるデバイス内部の電子波伝播解析
◯酒井敦・鎌倉良成・谷口研二（大阪大学）

14:40-15:00 休憩(20分)

15:00-15:25
運動論的観点からの準弾道電子輸送の理論的考察
○佐野伸行（筑波大学）

15:25-15:50
擬似バリスティック輸送下におけるMOSFETの電流駆動力と電流雑音特性
○土屋英昭・堀野元気・淺沼昭彦・三好旦六（神戸大学）

15:50-16:15
分子動力学/アンサンブルモンテカルロ法による極微細ninダイオードの電流解析
○鎌倉良成・谷口研二（大阪大学）