10:00-11:10
１．Siナノ構造酸化の二次元シミュレーション
○植松 真司、影島 博之、白石 賢二 (NTT)

２．分子計算による薄膜界面の剥離強度・拡散解析
○岩崎 富生 (日立製作所)

３．任意の面方位と歪でのバンド構造からの移動度計算
○江崎 達也、羽根正巳 (NEC)

13:00-14:40
４．ひずみSiおよびGeチャネルpMOSFETにおける反転層ホール輸送解析
○内田 雅也、鎌倉 良成、谷口 研二 (大阪大学)

５. 量子力学的手法に基づくsub-10nmデバイスモデリング
○小川 真人、籠谷 直明、三好 旦六 (神戸大学)

６．２，３次元密度勾配モデルシミュレーション
○鳥谷部 達 (東洋大学)

７．速度オーバーシュート並びにバリスティック輸送を考慮した，1 次元修正ドリフト－拡散模型－多重加速流の導入による，McKelvey 法の拡張－
○宝玉 充 (セイコーエプソン)

15:00-16:15
８．Floating Channel type SGT(FC-SGT)フラッシュメモリセルのサブスレッショルド特性に関する解析
○山崎 宏明、桜庭 弘、舛岡 富士雄 (東北大学)

９．ソフトエラー耐性に対するSurrounding Gate構造の効果
○松岡史宜、桜庭弘、舛岡富士雄 題目 (東北大学)

１０．RF回路設計のための大振幅モデル
○渡辺一史、小谷光司、寺本 章伸、須川 成利、大見忠弘 (東北大学)