第80回 研究集会
| テーマ | シリコン結晶に関する基礎研究と応用技術ー若手研究者を中心とした討論会ー |
|---|---|
| 参加費 | 分科会会員2,000円，分科会非会員4,000円（当日会場にてお受けいたします） |
| 担当 | 表面・界面・シリコン材料研究委員会 |
| お問い合わせ先 | 岡山県立大学 末岡浩治 Tel)0866-94-2136 Fax)0866-94-2199 Email) sueoka@cse.oka-pu.ac.jp 学習院大学 渡辺匡人 Tel)03-3986-0221(内6459) Fax)03-5992-1029 Email) masahito.watanabe@gakushuin.ac.jp 富士通研究所 棚橋克人 Tel)046-250-8276 Fax)046-248-3473 Email) tanahash@labs.fujitsu.com |
プログラム
1. 半導体クラスタにおける点欠陥集合体の電子状態 (9:30-10:00)
○東口義経、*沼田貴英、大森謙伍、川西浩之、早藤貴範（関西学院大院理、*現大阪市立大学大学院）
2. Siナノ薄膜とナノ細線の理想強度に関する第一原理計算 (10:00-10:30)
○小野 晃，末岡浩治，芝世弐，福谷征史郎 （岡山県立大）
3. 照射誘起欠陥を利用した極薄SOI層中の軽元素不純物評価 (10:30-11:00)
○中川聰子1, 2、曽根理嗣1, 2、田島道夫1 （1JAXA宇宙研、2総研大）
休憩 (11:00-11:15)
4. Si中のPt-H2欠陥に対する応力効果 (11:15-11:45)
○佐藤公泰、上浦洋一、山下善文、石山 武 （岡山大学）
5. 歪みシリコンウエハーのフォトルミネッセンス評価 (11:45-12:15)
○八代吉宗1,2，平下紀夫3，手塚勉3，高木信一2,3，仙田剛士4，本臼正周4，泉妻宏治4，田島道夫1,2 （1JAXA宇宙研，2東大工，3MIRAI，4東芝セラミックス）
休憩 (12:15-13:30)
6. シリコン中の極微小欠陥検出に関する陽電子消滅法による研究 (13:30-14:00)
○堀 史説 （大阪府立大学大学院工学研究科）
7. 赤外レーザ照射によるシリコン中の酸素とドーパントの増速拡散 (14:00-14:30)
○金田 寛1、棚橋克人1、柿本浩一2、須藤彰三3 （1富士通、2九州大学、3東北大学）
8. 球状シリコン結晶の格子欠陥 (14:30-15:00)
○磯前誠一1、明石義弘2、岡本親扶3、葛岡義和4、山口由岐夫4 （1エムイーシーシステム、2クリーンベンチャー２１、3立命館大、4東京大）
休憩 (15:00-15:15)
9.高濃度添加CZ-Si結晶中の析出核形成挙動 (15:15-15:45)
○杉村 渉、小野 敏昭、宝来 正隆 （SUMCO株式会社）
10. ＣＺーＳｉウェーハにおける金属不純物のＩＧシミュレーション (15:45-16:15)
○中村浩三、富岡純輔 （コマツ電子金属(株)）
11. シリコン結晶： 研究開発の未来と若手研究者への期待 ー私の研究開発の体験からー (16:15-17:00)
○津屋 英樹 （(株)テクノス）