2006年6月12日(月) 13:30-17:00

第81回 研究集会

微細CMOS対応の接合技術に焦点をあてた研究集会です。イオン注入、アニール、シリサイドなど浅接合形成技術、及びその評価技術について討議致します。

開催場所

グランキューブ大阪(大阪国際会議場)10F 1002会議室

(大阪市北区中之島5-3-51)
テーマ 接合技術ワークショップ
オーガナイザー 筒井 一生(東京工業大学)
水野 文二((株)UJTラボ)
獅子口 清一(NECエレクトロニクス(株))
共催 IEEE EDS Kansai Chapter, SEMIジャパン

プログラム

1)次々世代MOSFETにおける不純物原子の個数・位置制御の必要性
早稲田大学
品田賢宏、黒沢智紀、大泊巌

2)Hard X-ray Photoelectron spectroscopy (HX-PES) study on chemical binding states of ultra shallow p+/n junction fabricated by plasma doping (PD)
UJT Lab
金 成国(ジン チェングオ)

3)デカボラン・イオン注入を用いたPMOSFET
富士通研究所、日新イオン機器*
青山敬幸、海勢頭聖*,濱本成顕*,永山勉*,丹上正安*

4)コインプラント技術による65nm高性能CMOSの形成
NECエレクトロニクス
峰地 輝、獅子口 清一

5)イオン注入技術によるニッケルシリサイドの耐熱性向上
(株)ルネサステクノロジ
柏原慶一朗・山口直・奥平智仁・堤聡明・前川和義・浅井孝祐・米田昌弘

6)自己組織化(111)ファセット界面を持つNiSi2ソース・ドレイン極微細MOSFET Self-Organized (111) Faceted NiSi2 Source and Drain for Advanced MOSFETs
半導体MIRAI、技術研究組合 超先端電子技術開発機構 (ASET)
三瀬信行、渡邉幸宗、右田真司、生田目俊秀、佐竹秀喜、鳥海明

7)SSRMを用いたCMOSFET極浅接合の不純物プロファイル測定の再現性及び空間分解能解析
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー セミコンダクター社半導体研究開発センター*
張 利、大内 和也*、安達 甘奈*、石丸 一成*、高柳 万里子*、福島 伸

このページの上部へ