第81回 研究集会
微細CMOS対応の接合技術に焦点をあてた研究集会です。イオン注入、アニール、シリサイドなど浅接合形成技術、及びその評価技術について討議致します。
開催場所
グランキューブ大阪（大阪国際会議場）10F 1002会議室
（大阪市北区中之島5-3-51）| テーマ | 接合技術ワークショップ |
|---|---|
| オーガナイザー | 筒井 一生（東京工業大学） 水野 文二（（株）UJTラボ） 獅子口 清一（NECエレクトロニクス（株）） |
| 共催 | IEEE EDS Kansai Chapter, SEMIジャパン |
プログラム
１）次々世代MOSFETにおける不純物原子の個数・位置制御の必要性
早稲田大学
品田賢宏、黒沢智紀、大泊巌
２）Hard X-ray Photoelectron spectroscopy (HX-PES) study on chemical binding states of ultra shallow p+/n junction fabricated by plasma doping (PD)
UJT Lab
金 成国（ジン チェングオ）
３）デカボラン・イオン注入を用いたPMOSFET
富士通研究所、日新イオン機器*
青山敬幸、海勢頭聖*，濱本成顕*，永山勉*，丹上正安*
４）コインプラント技術による65nm高性能CMOSの形成
NECエレクトロニクス
峰地 輝、獅子口 清一
５）イオン注入技術によるニッケルシリサイドの耐熱性向上
（株）ルネサステクノロジ
柏原慶一朗・山口直・奥平智仁・堤聡明・前川和義・浅井孝祐・米田昌弘
６）自己組織化(111)ファセット界面を持つNiSi2ソース・ドレイン極微細MOSFET Self-Organized (111) Faceted NiSi2 Source and Drain for Advanced MOSFETs
半導体MIRAI、技術研究組合 超先端電子技術開発機構 (ASET）
三瀬信行、渡邉幸宗、右田真司、生田目俊秀、佐竹秀喜、鳥海明
７）SSRMを用いたCMOSFET極浅接合の不純物プロファイル測定の再現性及び空間分解能解析
（株）東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー セミコンダクター社半導体研究開発センター*
張 利、大内 和也*、安達 甘奈*、石丸 一成*、高柳 万里子*、福島 伸