第87回 研究集会
| テーマ | 次世代プロセスを実現可能とする大口径Siウェーハの研究開発－不純物や欠陥の新評価技術，強度維持，計算機シミュレーション－ |
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| 参加費 | 分科会会員2,000円，分科会非会員4,000円（当日会場にてお受け致します） |
| 担当 | 表面・界面・シリコン材料研究委員会 |
| 主催 | 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 |
| お問い合わせ先 | 岡山県立大学 末岡浩治 TEL; 0866-94-2136, FAX; 0866-94-2199 Email) sueoka@cse.oka-pu.ac.jp 富士通研究所 棚橋克人 TEL; 046-250-8397, FAX; 046-248-3473 Email) tanahash@labs.fujitsu.com |
プログラム
１．デバイス製造から見たＳｉウェーハへの要求（９：３０～１０：００）
○佐藤俊哉 富士通㈱
２．n型シリコン中のヘリウム照射欠陥と炭素との関連（１０：００～１０：３０）
○杉山隆英 (株)豊田中央研究所
３．高選択比異方性エッチングによるＳｉウェハ中の欠陥解析 －ＧＯＩ特性予測－（１０：３０～１１：００）
○中嶋健次 (株)豊田中央研究所
休憩 （１１：００～１１：１５）
４．第一原理計算によるシリコン中での遷移金属ゲッタリングメカニズム解明（１１：１５～１１：４５）
○松川和人１，白井光雲２，吉田 博２
１㈱ルネサステクノロジ，２大阪大学
５．ＣＺシリコン結晶における転位への酸素によるロッキング力の動的解析（１１：４５～１２：１５）
○中村浩三，富岡純輔 コマツ電子金属(株)
休憩 （１２：１５～１３：３０）
６．Ｓｉ中Ｃｕ発光センタの振る舞い：ＰＬ，ＤＬＴＳ測定による検討（１３：３０～１４：００）
○中村 稔１，村上 進１，河合直行２，齊藤滋晃２，有江寛之２
１㈱日立製作所，２㈱ルネサステクノロジ
７．Ｓｉ中のＰｔ－Ｈ２欠陥内部の水素運動に対する荷電効果と同位元素効果（１４：００～１４：３０）
○包 那木拉，上浦洋一，山下善文，石山 武 岡山大学大学院
８．電子線照射発光活性化法による極薄SOI層および低炭素濃度Ｓｉウエハーの軽元素不純物評価（１４：３０～１５：００）
○中川聰子１，２，曽根理嗣１，２，田島道夫１，大島武３，伊藤久義３，鹿島一日兒４、斉藤広幸４
１宇宙研，２総研大，３原子力機構，４東芝セラミックス㈱
休憩 （１５：００～１５：３０）
９．超音波でのシリコン中原子空孔の観察（１５：３０～１６：００）
○後藤輝孝 新潟大学
１０．シリコン結晶成長における添加窒素の役割（１６：００～１６：３０）
○影島博之１，田口明仁１，和田一実２
１ＮＴＴ物性科学基礎研究所、２東京大学大学院
１１．遠赤外分光による窒素酸素複合欠陥ＳＴＤの評価（１６：３０～１７：００）
○小野春彦 ＮＥＣ基礎・環境研究所