2006年12月19日(火) 13:00-17:40

第89回 研究集会

ULSI製造のためのプラズマプロセスに関して2006年秋冬のAVS、DPSなどの国際学会で発表された興味深い講演を招待し、さらに深い議論を行う場としたい。

開催場所

東京大学浅野キャンパスVDEC(武田先端知ビル)5階武田ホール

(東京都文京区弥生2-11-16、千代田線根津駅或いは南北線東大前駅下車) http://www.vdec.u-tokyo.ac.jp/Guide/access.html
テーマ 最先端プラズマプロセス技術
参加費 分科会会員 2000円 分科会非会員 4000円 
当日お受け致します(事前登録は不要です)
担当 ナノ・マイクロファブリケーション研究委員会

プログラム

13:00-13:05 開会挨拶

13:05-13:30 IEEE IEDM2006の概要報告(BEOL技術を中心に)
林 喜宏 (NEC㈱)

13:30-13:55 ポーラスLow-k/Cu配線におけるダメージ修復技術
小島 章弘, 中村 直文, 松永 範昭, 林 久貴, 柴田 英毅 (㈱東芝), 久保田 和宏 (東京エレクトロンAT㈱), 浅子 竜一, 前川 薫 (東京エレクトロン㈱), 大岩 徳久, 依田 孝 (㈱東芝)

13:55-14:20 SiOCH孤立パターンにおけるエッチングレート低下のメカニズム解析
桃井 義典, 米倉 和賢 (㈱ルネサステクノロジ), 伊澤 勝(㈱日立製作所 中央研究所)

14:20-14:45 有機low-kエッチングの表面反応制御
深沢 正永, 辰巳 哲也, 大島 啓示, 清信 吉広, 鸙野 信介, 長畑 和典, 篠原 啓二, 上出 幸洋 (ソニー㈱), 内田 三郎, 高島 成剛, 堀 勝 (名古屋大学)

14:45-15:10 RLSAマイクロ波プラズマを用いたlow-k viaエッチング
西塚 哲也, 野沢 俊久(東京エレクトロン㈱)

15:10-15:20 休憩

15:20-15:45 ArFレジストに優しいエッチング技術
林 俊雄 (㈱アルバック 半導体技術研究所) 

  

15:45-16:10 H2プラズマ処理による多層レジストのエッチング耐性の改善
田所 昌洋, 米倉 和賢, 吉川 和範, 小野 良治, 石橋健夫, 塙 哲朗, 藤原伸夫 (㈱ルネサステクノロジ), 松延 剛, 松田 景子 (㈱東レリサーチセンター)

16:10-16:35 多変量解析を用いたプラズマエッチング結果の事前予測とリアクタ内壁状態の診断方法
岩越 丈尚, 廣田 侯然, 森 政士, 田中 潤一, 板橋 直志 (㈱日立製作所 中央研究所)

16:35-17:00 ゲートLERにおけるエッチングプロセスの影響
谷畑 篤史, 小池 理, 橋本 潤, 倉知 郁生 (宮城沖電気㈱)

17:00-17:25 Si低温酸化のための酸素-希ガス混合表面波プラズマ中のO(1D2)、O(3P)原子の定量計測
堀勝, 竹田 圭吾, 高島 成剛 (名古屋大学), 塩澤 俊彦, 壁 義郎, 北川 淳一, 中西 敏雄 (東京エレクトロンAT㈱)

17:25-17:40 総合討論

17:40 閉会挨拶

17:45- 懇親会(参加費 2000円)
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