第91回 研究集会
開催場所
機械振興会館 地下3階2号室
営団地下鉄日比谷線神谷町駅下車 徒歩8分営団地下鉄三田線御成門駅下車 徒歩8分
都営地下鉄大江戸線赤羽橋駅下車 徒歩10分
都営地下鉄浅草線・大江戸線大門駅下車 徒歩10分
JR浜松町駅下車 徒歩15分 http://www.jspmi.or.jp/kaikan.htm
| テーマ | 配線・実装技術と関連材料技術 |
|---|---|
| 担当 | 多層配線システム研究委員会 |
| 共催 | 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（ＳＤＭ） |
プログラム
1. (10:00-10:05)
開会の挨拶
新宮原 正三（関西大学）
2. (10:05-10:50)
基調講演
３次元LSI技術の現状及び将来技術の課題
元吉真1、上林和利1、小柳光正1,2、盆小原學1（1ザイキューブ、2東北大学）
3. (10:50-11:20)
密度変調Low-k膜を用いた32nm世代対応Cu配線技術
多田宗弘、山本博規、伊藤文則、成広充、植木誠、井上尚也、阿部真理、斉藤忍、竹内常雄、古武直也、小野寺貴弘、川原潤、笠間佳子1、泰地稔二1、戸塚誠1、関根誠1、林喜宏（NEC、1NECエレクトロニクス）
4. (11:20-11:50)
45nm node 向け塗布ポーラス Low-k 膜の材料設計
渡邉桂（東芝セミコンダクター社）
■ 昼食 11:50 - 13:00
5. (13:00-13:35)
45nmノード以降に適用可能なCu配線用PVDバリアメタル技術
清水紀嘉、酒井久弥1、大塚信幸、田平貴裕、河野隆宏1、中石雅文1、宮嶋基守1（富士通研究所、1富士通）
6. (13:35-14:10)
高信頼性を実現した銅溶断型電気ヒューズ技術の開発
河野和史，米津俊明，大林茂樹，荒川政司，浅野喜宣，内田孝裕，岩本猛(ルネサステクノロジ)
7. (14:10-14:45)
Infusion Processing for Reliable Copper Interconnects
S. Kondo, T. Ishigami, M. Enomoto, T. Suzuki, S. Sherman1, M. Tabat1, J. Hautala1（SELETE、1Epion）
■ 休憩 14:45-15:00
8. (15:00-15:35)
銅微細配線において車載信頼性を実現するための新低効率評価方法
横川慎二、菊田邦子、土屋秀昭、竹脇利至、鈴木三惠子、豊嶋宏徳、角原由美、川原尚由、宇佐美達也、大音光市、藤井邦宏、土屋泰章、有田幸司、本山幸一、戸原誠人、泰地稔二、黒川哲也、関根誠（NECエレクトロニクス）
9. (15:35-16:10)
ユビキタス世代に対応したLSIデバイスの構造変革～RF特性の及ぼす寄生抵抗・容量の影響～
林喜宏（NEC）
10. (16:10-16:45)
性能指数に基づくオンチップ配線技術評価－長距離配線における伝送線路配線の有効性－
岡田 健一、伊藤 浩之、益 一哉 (東京工業大学)
11. (16:45-17:00)
閉会の挨拶