第93回 研究集会
ゲート絶縁膜まわりのトピックスとして、
１）ゲート絶縁膜への窒素導入
２）La系ゲート絶縁膜
３）ゲート絶縁膜/Ｇｅ基板
を中心に取り上げ, 新しい展開と諸問題について集中的に議論する.
開催場所
広島大学 東広島キャンパス 学士会館２階ホール
東広島市鏡山1丁目2-2．JR西条駅から広島大行きバス15分 「広大中央口」下車 徒歩10分 http://www.hiroshima-u.ac.jp/add_html/access/ja/saijyo2.html| テーマ | ゲートスタック構造の新展開 |
|---|---|
| 参加費 | 分科会会員2,000円，分科会非会員4,000円（当日会場にてお受けいたします.） |
| 担当 | 表面・界面・シリコン材料研究委員会 |
| 共催 | 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（ＳＤＭ）（テーマ： 「ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」） |
| お問い合わせ先 | 金田千穂子（富士通研究所） Tel：046-250-8212, E-mail：kaneta.chioko@jp.fujitsu.com 野平博司(武蔵工大） Tel：03-3703-3111 (ext.2788), E-mail：nohira@ee.musashi-tech.ac.jp 今回の合同研究会において, 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（ＳＤＭ）に関するお問い合わせは, 宮崎誠一(広島大） Tel：082-424-7656, E-mail：semiya@hiroshima-u.ac.jp へお願いいたします. |
プログラム
題目の後に＊のある講演は，応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会のアレンジによるものです．
6月7日(木) 午後 （13：30 - 17：45）
(1) 13:30 - 13:55
MONOS型不揮発メモリの電子および正孔トラップ解析
○石田 猛・山田廉一・鳥居和功（日立）・白石賢二（筑波大）
(2) 13:55 - 14:20
Si3N4/SRN/Si3N4積層膜の電子捕獲特性
○峰 利之・石田 猛・濱村浩孝・鳥居和功（日立）
(3) 14:20 - 14:45
窒化膜中のキャリア移動度測定手法とMONOSメモリのデータ保持特性への応用
○片山弘造・石川清志（ルネサス）
(4) 14:45 - 15:10
プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測
○三浦真嗣・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広大）・鴻野真之・西田辰夫・中西敏雄（東エレ）
----- 休憩 （ 20分 ） -----
(5) 15:30 - 15:55
SiO2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案
○高田幸宏・白石賢二（筑波大）
(6) 15:55 - 16:20
大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価
○熊谷勇喜・須川成利・諏訪智之・寺本章伸・大見忠弘（東北大）
(7) 16:20 - 16:45
B添加Pd2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調
○白石博之・細井卓治・大田晃生・宮崎誠一・芝原健太郎（広大）
(8) 16:45 - 17:10
高圧水蒸気処理によるSiO2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性
○矢野裕司・武田大輔・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）
----- 懇親会 （ 17:30-19:00 ） -----
6月8日(金) 午前 （09：00 - 15：55）
(9) 09:00 - 09:25
プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、電子帯構造 ＊
○寺本章伸・荒谷 崇・樋口正顕（東北大）・池永英司（JASRI）・野平博司（武蔵工大）・須川成利・大見忠弘・服部健雄（東北大）
(10) 09:25 - 09:50
極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注入の効果 ＊
○寺井真之・藤枝信次（ＮＥＣ）
(11) 09:50 - 10:15
窒素濃度依存性を考慮したNBTI機構のモデリング ＊
○下川淳二・遠田利之・青木伸俊・伊藤早苗・谷本弘吉・豊島義明（東芝）
----- 休憩 （ 15分 ） -----
(12) 10:30 - 10:55
HfSiOxの閾値変動に対する窒素添加効果 ＊
○田村知大・内藤達也（筑波大）・佐藤基之・犬宮誠治（Selete）・蓮沼 隆・山部紀久夫（筑波大）
(13) 10:55 - 11:20
LaAlO/Si基板界面への１原子層SrSi2挿入による界面電気特性改善効果の実証 ＊
○高島 章・西川幸江・清水達雄・鈴木正道・松下大介・吉木昌彦・富田充裕・山口 豪・小山正人・福島 伸（東芝研開セ）
(14) 11:20 - 11:45
ラジカル窒化によるLa2O3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 ＊
○佐藤創志・舘 喜一・宋 在烈・角嶋邦之・パールハット アヘメト・筒井一生・杉井信之・服部健雄・岩井 洋（東工大）
----- 昼食 （ 60分 ） -----
(15) 12:45 - 13:10
熱処理雰囲気に依存したLaAlO3ゲート絶縁膜上メタルゲート電極の実効仕事関数評価 ＊
○鈴木正道・土屋義規・小山正人（東芝研開セ）
(16) 13:10 - 13:35
スパッタ法によるLaAlO3の成膜と電気特性の評価
○西岡 浩・菊地 真・木村 勲・神保武人・鄒 紅コウ（アルバック半技研）
(17) 13:35 - 14:00
Ge/High-k絶縁膜の界面反応に着目した電気特性の制御 ＊
○喜多浩之・能村英幸・鈴木 翔・高橋俊岳・西村知紀・鳥海 明（東大）
----- 休憩 （ 15分 ） -----
(18) 14:15 - 14:40
光電子分光法によるHfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価
○大田晃生・中川 博・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）
(19) 14:40 - 15:05
ゲルマニウム窒化膜の形成と評価 ＊
○朽木克博・岡本 学・志村考功・安武 潔・渡部平司（阪大）
(20) 15:05 - 15:30
Ge窒化膜を界面層とするHfO2/Ge-MIS構造の特性 ＊
○前田辰郎・森田行則・西澤正泰（MIRAI-産総研）・高木信一（MIRAI-産総研東大院新領域）
(21) 15:30 - 15:55
Ｇｅ基板上へのＰｒ酸化膜の作製と評価 ＊
○坂下満男・鬼頭伸幸・酒井 朗・小川正毅・財満鎭明（名大）