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第24回講演会 [応物シンポジウム] (2023.9 熊本)

本講演会は2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会にてシンポジウム「界⾯ナノ電⼦化学：深化する半導体ウェットプロセス」として開催されました．

【開催趣旨】半導体ウェットプロセスは、半導体表面でのナノレベルでの現象解明から300mmウェハスケールでの制御まで幅広い知見が必要となる。このシンポジウムでは、この半導体ウェットプロセスに関する企業エンジニアや大学研究者のレジェンドを招待し、現在第一線で活躍する技術者・研究者と議論する場を設け、深化を続ける半導体ウェットプロセスの未来を考える。また、この業界に興味を持つ学生への学ぶ場を提供する。

日時：2023年9月20日(水) 13:30～17:30
会場：熊本
資料：案内パンフレット

【招待講演】
■半導体基板洗浄装置の歴史とイノベーション
　荒木浩之（株式会社SCREENセミコンダクターソリューションズ）
■半導体枚様式洗浄装置の開発について
　菅野至（東京エレクトロン九州株式会社）
■半導体洗浄技術30年の歩みと今後の展望
　冨田寛（キオクシア株式会社）
■バッチ式ウエハ洗浄装置内水流解析と設計の視点
　羽深等（横浜国立大学）

【一般講演】
■枚葉式フッ硝酸Siエッチングにおける表面挙動の解析
■OpenFOAMを用いたエッチングを伴う回転円盤上での液膜流れの数値計算
■エッチングの理論解析-第一原理計算と機械学習ポテンシャル計算-
■CMOS互換プロセスで作製されたナノ共振器シリコンラマンレーザの吸収損失除去
■PVAブラシの変形に伴う液体流出及び流入挙動の観察
■誘導帯電素子を用いた二流体スプレー時の発生電荷量の制御
■界面ナノ電子化学研究会吸着ワーキンググループ活動報告

吸着・乾燥WG合同ワークショップ第4回「シン・IPAに存在する金属不純物のウェハへの吸着挙動」(2023.6 田町)

2015年より活動を開始した吸着WGの原点に立ち返り，「IPAに存在する金属不純物のウェハへの吸着挙動」について，この8年の間に蓄積された情報を活用しつつ再度議論を行いました．

■2023年6月28日(水) 13:00-17:00
■場所：キオクシア本社田町ステーションタワーS
■ ファシリテータ：
　キオクシア吉水康人
　オルガノ矢野大作
■参加者数：21名

吸着・乾燥WG合同ワークショップ第3回「回転基板上のLES-VOF法を使用した流体シミュレーション」(2023.5 田町)

SCREEN セミコンダクターソリューションズの佐藤様より，回転基板(ウェハ)上の流動解析についてご講演頂いた上で，界面における水の挙動について議論しました．

■2023年5月19日(金) 13:00-17:00
■場所：キオクシア本社田町ステーションタワーS
■講演
株式会社SCREEN セミコンダクターソリューションズ佐藤雅伸様
「回転基板上のLES-VOF法を使用した流体シミュレーション」
■ ファシリテータ：
　キオクシア吉水康人
　オルガノ矢野大作
■参加者数：21名

第7回 INE Link「液界面の新たな反応モデルの提案」(2023.3 オンライン)

INE Link第7回は，熊本大学岩津先生よりご講演頂きました．

【開催に先立ち先生から頂いたメッセージ】
過去，半導体界面の液系酸化，還元反応は，ウェットエッチング，めっき技術として良く知られています．今後，よりナノレベルの反応を実現して行く為には，真空系に対して有利な液系の反応効率性を活かしながら，弱点の異方性，制御性ほかを高められる新しい技術が必要と思います．新たな液系電解反応モデルでは，イオンを高速泳動し，配列後のイオンを瞬間反応させます．また，Dryプロセス同様に容量結合した半導体基板に非接触で酸化，還元反応を実現します．還元領域では，高速の結晶成膜，結晶配列配線，選択成膜，高AR Via，TSV埋込酸化領域では，高ORP反応，異方性，指向性エッチング，粒子捕捉などの可能性を持っていると思います．2nm最先端半導体への挑戦が始まる中，日本の得意な液系分野で新たなDe-Facto Standardの一候補技術となればと夢見て，界面ナノ技術権威の皆様との意見交換を希望します．

■2023年3月22日(水) 15:00-17:00
■場所：オンライン(Zoom)
■講演
熊本大学産業ナノマテリアル研究所客員教授岩津春生先生
「液界面の新たな反応モデルの提案」
■ モデレーター：
東京エレクトロン九州株式会社中森光則様
■参加者数：約60名

【INE Linkとは】
新型コロナの影響により直接お会いする機会が少なくなっていますが，当研究会ではオンライン開催での交流機会を増やすべく，新しい研究や技術を紹介するイベント「INE Link」を企画しました．INE Linkは人と人，人と技術，技術と技術をつなげる「場」として、シリーズ開催しています．

春季学術講演会公開シンポジウム (2023.3 上智大)

第70回応用物理学会春季学術講演会にて，一般公開シンポジウム「就活生必見!! 日本が止まると世界が止まる！私たちの半導体レジェンド技術」を開催しました．また，終了後，同会場にて「学生のためのランチョンセミナー」，夜にはSEAJとINEの合同懇親会を開催しました．

公開シンポジウム
日時：2023年3月17日(金) 9:30-12:05
場所：上智大
資料：案内パンフレット
主催：応用物理学会・SEAJ日本半導体製造装置協会
企画：INE界面ナノ電子化学研究会・インダストリアルチャプター

吸着・乾燥WG合同ワークショップ第2回「接合性と機能を一括して得るための低温大気圧表面改質手法」(2023.3 田町)

物質・材料研究機構(NIMS)の重藤様より，低温＆非真空ハイブリッド接合技術についてご講演頂いた上で，接合時における水分子の役割について議論しました．

■2023年3月10日(金) 13:00-17:00
■場所：キオクシア本社田町ステーションタワーS
■講演
物質・材料研究機構重藤暁津様
「接合性と機能を一括して得るための低温大気圧表面改質手法」
■ ファシリテータ：
　オルガノ矢野大作
　キオクシア吉水康人
■参加者数：17名

吸着・乾燥WG合同ワークショップ第1回「最先端等方性ドライエッチ技術とウエットプロセスとのアナロジーの深掘り」(2023.2 田町)

2022年12月にINE Linkにてご講演頂きました日立ハイテク大竹様に再登壇頂き，水の機能と役割について，より深い議論を行いました．

■2023年2月17日(金) 14:00-17:00
■場所：キオクシア本社田町ステーションタワーS
■講演
日立ハイテク大竹浩人様
「最先端等方性ドライエッチ技術とウエットプロセスとのアナロジー」の深掘り
■ ファシリテータ：
　東京エレクトロン九州中森光則
　キオクシア吉水康人
■参加者数：23名

第6回 INE Link「最先端等方性ドライエッチ技術とウエットプロセスとのアナロジー」(2022.12 オンライン)

INE Link第6回は，日立ハイテク大竹様よりご講演頂きました．FinFET / GAAや3D NAND / 3D DRAM構造など最先端のデバイスには3次元構造が検討されており，3次元構造を実現する等方性エッチングが強く求められています．まずドライエッチング技術で昨今検討が進むAtomic Layer Etchingについて，ガスフェーズエッチやラジカルエッチについて紹介して頂き，そのうえで，改質層を除去するドライ的アプローチと，低温化による疑似ウエットエッチアプローチを比較議論しました．今後，ウエットとドライの境界領域の学術的議論が広がり、類似性と差異の理解から新しい学問領域が生まれることを期待します．

■2022年12月9日(金) 15:00-17:00
■場所：オンライン(Zoom)
■講演
株式会社日立ハイテクプロセス東京技術センタ部長代理大竹浩人様
「最先端等方性ドライエッチ技術とウエットプロセスとのアナロジー」
■ モデレーター：
東京エレクトロン九州株式会社中森光則様
■参加者数：約120名