若手技術者ポスターセッション
～経営者・先輩に学ぶWebフォーラム～

【開催趣旨】半導体を中心とする電子デバイスのプロセス技術において、材料表面を清浄化・改質する技術はデバイス界面の信頼性に対して極めて重要である。また、ウェットプロセスを用いた新規なエッチングや薄膜を形成する技術は、デバイスの微細化・三次元化のひとつのテクノロジードライバである。本研究会は界面ナノ現象を明らかにすることでウェットプロセスに関する学問を構築し、次世代へと教育できる環境を整えている。同時に本研究会成果物の実行者である若手の主体性が極めて重要であることから、若手の主体性強化を目的としたポスター発表展を2015年より企画している。若手技術者とベテラン技術者との活発な議論を期待して、オンライン上にて、招待講演とポスターセッションの2部構成で開催する。

主催：公益社団法人 応用物理学会 界面ナノ電子化学研究会
協賛：一般社団法人 日本半導体製造装置協会
日時：2020年11月20日(金) 13:00～17:00
会場：オンライン(zoom)
資料：案内パンフレット

プログラム：
■招待講演
株式会社 FLOSFIA 代表取締役社長 人羅 俊実 氏
若手技術者への「アンチ技術」の勧め ～アウトプット思考・社会実装思考～
■ポスターセッション

本フォーラムにて，優秀講演賞に深谷天氏(ソニーセミコンダクタソリューションズ)が選ばれました．

本講演会は2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会にてシンポジウム「多様化する半導体ウェットプロセス」として開催されました．

【開催趣旨】半導体製造プロセスにおいて、材料表⾯の清浄化および改質は、デバイスの信頼性を確保する上で極めて重要な⼯程である。集積回路の微細化がサブ10 nmノードへ進⾏する⼀⽅で、⼀部の領域では新材料の導⼊と集積回路の三次元化積層化が進む。洗浄・ウェットプロセスにおいては、微細パターンのダメージレス処理と⾼清浄化を両⽴しなければならない従来の難題に加え、新材料や3次元化に対応した新しい洗浄・ウェットプロセスの研究開発も急がれている。本シンポジウムでは、こういった多様化する半導体デバイスのニーズに合わせた新規なウェットプロセスに関する新しい研究結果について報告する場を提供する。

日時：2019年9月19日(木) 13:30～17:00
会場：北大
資料：案内パンフレット

招待講演「SiとGe表面のウェットエッチングの新潮流：不動態化から加工まで」有馬健太(阪大院工)
招待講演「III-V族化合物半導体のウェットエッチング 〜窒化物半導体に関する最近の話題を中心に〜」佐藤威友(北大量集センター)
「ⅢⅤ族化合物半導体における水との表面反応メカニズム考察」西尾賢哉(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
「フッ硝酸を用いたSiエッチングにおけるソーマーク段差平坦化メカニズムの解明」深谷天(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
招待講演「多様化する電子デバイスの物理洗浄 ～スプレー洗浄の有用性とその課題～」清家善之(愛知工大)
招待講演「DRAMにおける洗浄技術の開発課題」八木秀明(マイクロンメモリジャパンTD)
招待講演「次世代三次元フラッシュメモリにおけるウェットプロセスの有用性」吉水康人(東芝メモリ)
「貴金属触媒を用いた湿式Si-TSV形成におけるエッチング溶液濃度の検討」依岡拓也(関大シス理)

【開催趣旨】界⾯ナノ電⼦化学研究会は半導体ウェットプロセスに関する様々な企業，研究機関および⼤学関係者により，半導体製造プロセスの学術的な解明，発展への貢献を重ねてきました．この度，1990年代後半から始まったDRAM不況や，シリコンサイクル不況時のリストラ嵐にも強く⽣き抜いた，本研究会に縁の深い偉⼤な諸先輩をお招きして，「⽣き様」「⼈⽣観」「強く⽣きる術」など⼈⽣を語って頂く機会を企画しました．⽼若男⼥問わず，半導体業界で今後も強く⽣き抜くために必要な術を⼤いに語り合って頂くため，合宿形式のフォーラムとして開催します．“半導体ウェットプロセスの未来、どう⽣きる” を副題に掲げ、著名な講師の⽅々より興味深い講演を聴講し，幅広い職
種の関係者が2⽇間に亘り，語り，交流し，議論する場を提供します．

日時：2018年11月1日(木)13:00 ～ 2日(金)12:30
会場： THE HAMANAKO
参加人数：名
資料：案内パンフレット

1⽇⽬
13:00〜13:10 開会挨拶 吉⽔康⼈(東芝メモリ)
13:10〜14:10 招待講演「製造業で働くミッション － 私の場合」⻘砥なほみ(マイクロンメモリジャパン)
14:10〜15:10 招待講演「⼈⽣いろいろ…VUCAの時代に⽣きる」灘原壮⼀(SCREENホールディングス)
15:40〜16:40 招待講演「Job(任務),Carrier(経歴) and Calling(天職) Authentic Happinessより」辻村学(荏原製作所)
18:00〜20:00 第26回カサロス(懇親会) 兼 ランプセッション 〜半導体の未来を語り合う〜
2⽇⽬
9:00〜10:00 招待講演「半導体洗浄技術概論・・君は何に疑問を抱く？どう⾏動する？25年を振り返って」冨⽥寛(東芝メモリ)
10:00〜11:00 招待講演「分析で『縁の下の⼒持ち』を⽬指してきた⼈⽣、また楽しからずや」嶋崎綾⼦(東芝ナノアナリシス)
11:00〜12:20 ラウンドテーブルセッション(ポスターセッション)
12:20〜12:30 閉会挨拶 岩元勇⼈(ソニーセミコンダクタソリューションズ)

本講演会は2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会にて，シリコンテクノロジー分科会 多層配線システム研究委員会との共同シンポジウム「マルチスケールプロセスへの挑戦 ―ドライかウェットかそれとも…―」として開催されました．シリコンプロセスは，実装技術との境界が消えつつある一方で限界もあります．さらなる革新のためにサブnmからμmをカバーするシンプルでrobustなプロセスが求められています。本シンポジウムではいわゆるドライ技術，ウェット技術の役割を見直し，新しいマルチスケールプロセスの提案について検討を行うため，さまざまな分野の方にご講演頂きました．

日時：2017年9月7日(木) 13:45～17:25
会場： 福岡コンベンションセンター
参加人数：
資料：案内パンフレット

「マルチスケールプロセスへの挑戦-シンポジウムの開催にあたって-」真田俊之(静大)
【招待講演】「超微細化と超三次元化の時代の配線考」磯林厚伸(東芝)
【招待講演】「10 nmノード以降対応のアトミックレイヤーエッチング」野尻一男(Lam Research)
【招待講演】「分子動力学の目でみたウェットとドライの物理」山口康隆(阪大)
「微小空間におけるウェットエッチング挙動の考察」奥山敦(ソニー)
【招待講演】「マルチスケール超臨界媒体の半導体プロセス応用」近藤英一(山梨大)
【招待講演】「ナノからマイクロにわたるめっきプロセス」新宮原正三(関西大)
「無電解メッキ法で作製した微細配線の電気特性」日恵野敦(東芝)
「触媒エッチングによる新規ダイシングプロセスの開発」小幡進(東芝)
「クロージングリマーク」上野和良(芝工大)

先端半導体デバイスは構造の微細化および電子材料の多様化が急速に進んでおり，半導体製造に用いられるウェットプロセス技術の開発には，固体／液体界面における現象をナノレベルで理解することが必要となっています．本講演会では「ナノ界面現象の探求」をテーマとして，さまざまな分野の先生方にご講演頂きました．また，講演会終了後には第22回カサロス(懇親会)を開催しました．

日時：2017年3月17日(金) 13:00～17:00
会場： 慶應義塾大学 矢上キャンパス
参加者数：約50名
資料：案内パンフレット

13:00～13:05 「開会の辞」 真田俊之（静岡大）
13:05～13:50 招待講演「真空下での乾燥に耐えるナノスーツ -含水試料のありのまま電顕観察への応用-」石井大佑(名工大)
13:50～14:35 招待講演「無電解金メッキ／電解金メッキによるナノギャップ電極」 真島豊(東工大)
14:50～15:35 招待講演「半導体クリーン化一筋 30年の軌跡(日本，アジア大企業奮闘記)」 白水好美(オフィスシラミズ)
15:35～16:20 招待講演「拡張ナノ流体デバイスと溶液物性」 馬渡和真(東京大)
16:30～16:55 オープンディスカッション
16:55～17:00 「閉会の辞」

界面ナノ電子化学研究会は半導体ウェットプロセスに関する様々な企業，研究機関および大学関係者により，半導体製造プロセスの学術的な解明，発展への貢献を重ねてきました．更なる発展のために活発な議論，関係者の交流，若手技術者の育成などを目的とし合宿形式の第1回フォーラムを開催しました．

日時：2016年10月28日(金)13:00～29日(土)12:00
会場： 信州上諏訪温泉「浜の湯」
資料：案内パンフレット

■1日目(10月28日)
開会挨拶：真田俊之(静岡大)
基調講演「裏面照射型CMOSイメージセンサ開発経緯と今後の展望」岩元勇人(ソニー)
基調講演「極薄水膜内の固体表面の原子スケール周波数変調AFM観察」新井豊子(金沢大)
「UCPSS 2016レポート」真田俊之(静岡大) 他
基調講演「人工知能と半導体プロセス」湯之上隆(微細加工研究所)
第21回カサロス(懇親会) 兼 ランプセッション ～半導体の未来を語り合う～
■2日目(10月29日)
招待講演「研究開発者・技術者のマネジメント」田中秀樹(青森公立大)
招待講演「水の話」山中弘次(オルガノ・長岡技科大)
ラウンドテーブルセッション(ポスターセッション)
閉会挨拶：冨田寛(東芝)

本講演会は2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会にてシンポジウム「界面ナノ電子化学　進化する半導体ウェットプロセス　～シリコンから化合物まで～」として開催されました．

日時：2015年9月13日(水) 13:15～17:45
会場： 名古屋国際会議場

「オープニング：界面ナノ電子化学研究会の意義」荒木浩之(SCREEN SPE)
招待講演「パワーを制する者が未来を制する－Siも、SiCも、GaNも－」湯之上隆(微細加工研究所)
招待講演「ナノ界面とマクロ挙動を繋ぐ感性と科学とシミュレーション」黒田孝二(京都工芸繊維大)
招待講演「SiCの洗浄技術について」木下博之(京都工繊大)
招待講演「溶融塩電気化学プロセスによる「炭素めっき」」辻村浩行(アイ’エムセップ)
「シリコン酸化膜の枚葉洗浄によるチャージアップ挙動」川上雅之(オルガノ)
「SiO2の固体壁面における水およびアルコールの吸着挙動の分子動力学解析」中岡聡(阪大工)
「ジャパンソニックでの微細化洗浄の課題」山本義治(ヤマトテクノス)
「IPA中極微量金属汚染の分析手法」伊藤雄大(東京エレクトロン)
「クロージング：シンポジウム閉会にあたって」吉田勇喜(関東化学)

本講演会は2014年秋季 第75回応用物理学会学術講演会にてシンポジウム『界面ナノ電子化学：半導体ウェットプロセスの最前線』として開催されました．

日時：2014年9月17日(水) 13:30～17:30
会場： 北海道大学 札幌キャンパス

「オープニング： シンポジウム開催にあたって」矢野大作(オルガノ)
招待講演「III-V族化合物半導体の電気化学エッチングと微細加工への応用」佐藤威友(北大量集セ)
招待講演「洗浄プロセス要求品質を検討する新しい取り組み -STRJ・SEMI・INE連携の必要性–」冨田寛(東芝S&S社)
「PVAブラシの粘弾性と摩擦特性」真田俊之(静大)
「枚葉洗浄SystemにおいてWafer帯電除去の課題」戸島孝之(東京エレクトロン九州)
「150℃硫酸中におけるフィルターの除粒子性能評価方法の検討」高倉知征(日本ポール)
招待講演「溶液との界面化学に基づく次世代半導体表面の原子レベル構造制御」有馬健太(阪大院工)
「半導体プロセスを用いたナノギャップ電極の作製」吉水康人(東芝)
「Cu表面の異常酸化メカニズムの研究」林浩平(和光純薬工業)
「薬液中の低濃度溶存酸素モニタリング」井上健太郎(堀場アドバンスドテクノ)
「SiO2の固体壁面近傍における水およびアルコールの挙動の分子動力学解析」中岡聡(阪大工)
「クロージング：シンポジウム閉会にあたって」真田俊之(静岡大)

本講演会は半導体素子の次世代構造および材料について，第一線で活躍されている先生より講演をして頂き，最先端でどのような研究がなされているかを，学び情報共有できる「場」を提供することを目的として行われました．また，講演会終了後には第16回カサロス(懇親会)を開催しました．

日時：2014年3月17日(月) 13：30～16：30
会場：東京工業大学 すずかけ台キャンパス すずかけホール集会室1
参加者： 53名

13:30～13:35「開会の辞」真田俊之(静岡大)
13:35～15:05「低消費電力LSI向けデバイス技術動向(仮)」若林整(東工大)
15:20～16:20「ポストシリコン半導体における界面制御技術」細井卓治(大阪大)
16:20～16:25「閉会の辞」萩本賢哉(ソニー)